Компьютерные новости
Все разделы
Samsung Z-NAND – ответ на 3D XPoint
В то время как Intel начинает активно продвигать технологию 3D XPoint на рынке флэш-накопителей, компания Samsung решила ответить релизом Z-NAND. Этот стандарт позиционируется в качестве эволюции традиционных NAND-микросхем, улучшая их надежность, масштабируемость и снижая их стоимость.
Первое использование чипов Z-NAND мы увидим в серии твердотельных накопителей Samsung Z-SSD, ориентированных на использование в промышленной и корпоративной среде. Новинки созданы в формате карт расширения с интерфейсом PCI Express x4 и доступны в объеме 800 ГБ, хотя в последствии планируется выход на рынок моделей емкостью 1, 2 и 4 ТБ. Ключевое улучшение по сравнению с традиционными NAND PCIe-накопителями заключается в уменьшении задержек минимум на 70% и существенному повышению последовательной скорости чтения и записи (до 3200 МБ/с). А вот скорости произвольного чтения и записи уже не такие высокие по сравнению с обычными NVMe-накопителями – 750 000 и 160 000 IOPS соответственно. Стоимость новинок пока не сообщается.
