Компьютерные новости
Все разделы
Новые твердотельные накопители Silicon Power M10 M.2 2280 и M10 mSATA
Для всех желающих улучшить дисковую подсистему ноутбуков, компактных или десктопных ПК компания Silicon Power представила два новых твердотельных накопителя: Silicon Power M10 M.2 2280 и Silicon Power M10 mSATA.
Оба они созданы на основе NAND флэш-микросхем памяти с многоуровневой структурой ячеек (MLC) общим объемом 120, 240 и 480 ГБ. Но первая новинка разработана в формате M.2 2280, а вторая использует стандарт mSATA. При этом оба SSD-накопителя демонстрируют одинаковый уровень производительности при работе с несжимаемыми данными (бенчмарк CrystalDiskMark): до 520 МБ/с при чтении информации и до 330 МБ/с при записи.
Дополнительно Silicon Power M10 M.2 2280 и Silicon Power M10 mSATA могут похвастать поддержкой актуальных и необходимых технологий: Intel Smart Response, Trim, NCQ, ECC, S.M.A.R.T., Wearing Leveling, Bad Block Management. В продажу они поступят с 3-летней гарантией.
Сравнительная таблица технической спецификации твердотельных накопителей Silicon Power M10 M.2 2280 и M10 mSATA:
|
Модель |
Silicon Power M10 M.2 2280 |
Silicon Power M10 mSATA |
|
Форм-фактор |
M.2 2280-D5-B-M |
Полноразмерный mSATA |
|
Тип микросхем памяти |
MLC NAND |
|
|
Объем, ГБ |
120, 240, 480 |
|
|
Максимальная скорость последовательного чтения / записи (CrystalDiskMark), МБ/с |
520 / 330 |
|
|
Скорость записи произвольных блоков объемом 4 КБ, IOPS |
40 000 |
|
|
Диапазон рабочих температур, °С |
0…+70 |
|
|
Среднее время наработки на отказ (MTBF), часов |
2 000 000 |
|
|
Гарантия, лет |
3 |
|
|
Поддерживаемые технологии |
Intel Smart Response, Trim, NCQ, ECC, S.M.A.R.T., Wearing Leveling, Bad Block Management |
|
|
Размеры, мм |
80 х 22 х 3,5 |
50,8 х 29,9 х 4 |
|
Масса, г |
8 |
8,5 |
