Компьютерные новости
Все разделы
SK Hynix представила 96-слойные микросхемы 4D NAND объемом 512 Гбит
Компания SK Hynix представила новый тип памяти − 4D NAND. Но пусть название не вводит вас в заблуждение – никакого четвертого измерения там нет, это просто усовершенствованная технология 3D TLC NAND. Для ее создания инженеры совместили уже используемый дизайн ячейки с ловушкой заряда (Charge Trap Flash, CTF) с технологией переноса периферийной цепи управления под саму ячейку (Periphery Under Cell, PUC).
Это обеспечило ряд преимуществ. Во-первых, размеры самого чипа сократились на 30%, что позволяет размещать больше микросхем на пластинах и тем самым снизить производственные затраты. Во-вторых, на 30% поднялась скорость записи и на 25% увеличилась скорость чтения. В-третьих, удвоилась пропускная способность данных, а скорость Data I/O поднялась до 1200 Мбит/с при напряжении 1,2 В.
Теперь SK Hynix планирует полностью перейти на технологию 4D NAND. В ее ближайших планах – разработка фирменного контроллера и прошивки, чтобы можно было представить массовые пользовательские накопители объемом до 1 ТБ на базе 4D NAND. В будущем планируется переход на 128-слойный дизайн, с постепенным наращиванием количества слоев до 500 и более. Но на это потребуется не один год.
