Компьютерные новости
Все разделы
SK hynix разрабатывает первую в отрасли память 1c (класс 10 нм) DDR5
Компания SK hynix сегодня объявила о разработке первой в отрасли памяти DDR5 объемом 16 Гбит, построенной с использованием своего узла 1c, шестого поколения 10-нм процесса. Этот успех знаменует собой начало экстремального масштабирования до уровня, более близкого к 10 нм, в технологии производства памяти. Степень сложности процесса уменьшения технологического узла DRAM до 10 нм росла с каждым поколением, но SK hynix стала первой в отрасли, кто преодолел технологические ограничения, повысив уровень зрелости дизайна благодаря своей технологии 1b, пятому поколению 10-нм процесса.
SK hynix заявила, что будет готова к массовому производству 1c DDR5 в течение года, чтобы начать массовые поставки в следующем году. Для того чтобы уменьшить потенциальные ошибки, связанные с процедурой продвижения процесса, и передать преимущества 1b, которая широко признана за лучшую производительность DRAM, наиболее эффективным способом, компания расширила платформу 1b DRAM для разработки 1c. Новый продукт обладает улучшенной конкурентоспособностью по сравнению с предыдущим поколением благодаря применению нового материала в определенном процессе экстремального ультрафиолетового излучения или EUV, одновременно оптимизируя общий процесс применения EUV. SK hynix также повысила производительность более чем на 30% благодаря технологическим инновациям в дизайне. Операционная скорость 1c DDR5, которая, как ожидается, будет использоваться для высокопроизводительных центров обработки данных, улучшена на 11% по сравнению с предыдущим поколением до 8 Гбит/с. Благодаря повышению энергоэффективности более чем на 9%, SK hynix ожидает, что внедрение 1c DRAM поможет центрам обработки данных снизить затраты на электроэнергию на 30% в то время, когда развитие эры искусственного интеллекта приводит к увеличению энергопотребления.
«Мы стремимся предоставлять дифференцированные ценности клиентам, применяя технологию 1c, оснащенную лучшей производительностью и конкурентоспособностью по цене, к нашим основным продуктам следующего поколения, включая HBM, LPDDR6 и GDDR7»,- сказал руководитель отдела разработки DRAM Ким Джонхван. «Мы продолжим работать над сохранением лидерства в отрасли DRAM и позиции поставщика решений для памяти искусственного интеллекта, которому больше всего доверяют».
