SSD-накопители Samsung 850 EVO с 3-битной флэш-памятью 3D V-NAND

Компания Samsung презентовала линейку SSD-накопителей Samsung 850 EVO, отличительной чертой которой является наличие 3-битной флэш-памяти 3D V-NAND.

Согласно заявлению производителя, этот параметр повышает показатели износостойкости и обеспечивает прирост производительности. Отмечено, что SSD-устройства отлично подходят для ноутбуков и игровых ПК.

Новинки, представленные в типоразмере 2,5 дюйма и использующие интерфейс SATA 6 Гбит/с, доступны в объемах 120, 250, 500 ГБ и 1 ТБ. В режиме ожидания модели потребляют 2-4 мВт, в простое – максимум 50 мВт, а при активной работе – 3,7-4,4 Вт. Температура устройства отслеживается при помощи технологии Dynamic Thermal Guard. Также производитель предоставляет 5-летнюю гарантию. В качестве контролера применяются два варианта: Samsung MGX для моделей емкостью 120/250/500 ГБ, и Samsung MEX для 1 ТБ. Скорость последовательных процессов чтения и записи составляет 540 и 520 МБ/с соответственно. Также, для моделей объемом 1 ТБ и 500 ГБ скорость случайных чтения и записи равна 98 000 IOPS и 90 000 IOPS соответственно. Скорость произвольного чтения для модели в 250 ГБ составляет 97 000 IOPS, для 120 ГБ – 94 000 IOPS, в то время как скорость произвольной записи двух вариантов составляет 88 000 IOPS.

Сообщается, что в продажу накопители поступят еще до окончания настоящего года. Цена будет указана дополнительно.

http://www.tomshardware.com
http://www.samsung.com
Мартынец Мария