Компьютерные новости
Все разделы
Стартовало массовое производство компактных eUFS-накопителей объемом 512 ГБ
Компания Samsung заявила о начале массового производства 512-гигабайтных накопителей embedded Universal Flash Storage (eUFS), которые предназначены для использования в мобильных устройствах следующего поколения. В компактном корпусе новинки расположено восемь 64-слойных 512-гигабитных микросхем V-NAND и контроллер для управления их работой.
Общего объема достаточно для хранения 130 10-минутных видеоклипов в разрешении 4K Ultra HD (3840 x 2160), что в 10 раз больше, чем позволяют актуальные 64-гигабайтные eUFS-накопители. При этом показатели производительности новинки также находятся на высоте. В частности, последовательная скорость чтения и записи достигает 860 и 255 МБ/с соответственно, что гораздо выше показателей карт microSD. При произвольных операциях скорости чтения и записи составляют 42 000 и 40 000 IOPS. Для сравнения: у карты microSD они находятся на уровне 100 IOPS.
Кроме 64-слойных 512-гигабитных микросхем, компания Samsung анонсировала расширение выпуска 256-гигабитных V-NAND-чипов, что позволит разнообразить портфолио компактных решений для хранения данных.