Компьютерные новости
Все разделы
Toshiba создала 16-слойную стековую NAND-память с помощью технологии TSV
Компания Toshiba сообщила об успешном создании первого в мире 16-слойного чипа NAND флэш-памяти. Для реализации этого проекта была использована технология Through Silicon Via (TSV), которая предполагает наличие специальных вертикальных электродов. Они проходят через всю структуру, объединяя все используемые ядра флэш-памяти в одно целое.
В результате такого подхода пропускная способность (I/O data rate) превысила 1 Гбит/с, что выше показателя любой существующей NAND-микросхемы. При этом рабочее напряжение составляет 1,2 – 1,8 В (в зависимости от физического размещения ядер), а снижение потребляемой мощности при операциях чтения и записи достигает 50%.
Первые прототипы новой стековой памяти компании Toshiba характеризуются общим объемом 128 ГБ (8 слоев) и 256 ГБ (16 слоев) при высоте 1,35 и 1,9 мм соответственно. По мнению разработчиков, они отлично подходят для использования в разных сферах: от массовых пользовательских устройств до высокопроизводительных SSD-дисков корпоративного класса благодаря низким задержкам, высокой пропускной способности и отличной энергоэффективности.
