Компьютерные новости
Оперативная память
Micron расширяет производство в Вирджинии, чтобы в четыре раза увеличить выпуск DDR4
Micron инвестирует около 2 млрд долларов США в модернизацию предприятия в Вирджинии, из которых 275 млн долларов США поступили от американских властей в рамках «Закона о чипах».
Новые линии позволят компании использовать техпроцесс 1α, увеличивающий плотность транзисторов на 40% по сравнению с предыдущим поколением и обходящийся более дешёвой DUV‑литографией вместо дорогой EUV.
Выпуск DDR4 на новых линиях начнётся до конца 2026 года. Это важный шаг, так как спрос на DDR4 остаётся высоким в промышленности, телекоммуникациях, обороне и даже аэрокосмической сфере, несмотря на переход потребительского и серверного сегментов на DDR5. Micron планирует в течение следующих 20 лет инвестировать около 200 млрд долларов США в расширение производства в США, включая Нью‑Йорк и Айдахо, а в Вирджинии также будет расположено предприятие по упаковке HBM‑памяти.
tomshardware.com
Павлик Александр
Бывший топ‑менеджер Samsung прогнозирует конец дефицита памяти благодаря китайским DRAM
Кхе Хьон Кьонг, экс‑руководитель Samsung Electronics, заявил на форуме NAEK в Южной Корее, что инвестиции китайских компаний в производство DRAM могут снять глобальный дефицит уже в 2027–2028 годах.
По его словам, цены на оперативную память начнут снижаться со второй половины 2027 года, когда производственные мощности Китая достигнут шести миллионов пластин в месяц.
Сейчас 70% рынка контролируют Samsung и SK Hynix в Корее, а также Micron в США. Выход CXMT и YMTC на глобальный уровень может разрушить монополию трёх гигантов и снизить цены для потребителей и бизнеса. В то же время эксперт предупредил, что инвестиции могут сократиться, если рентабельность вложений в ШИ снизится.
Постоянная ссылка на новостьCorsair начала использовать китайскую память CXMT в своих DDR5‑модулях Vengeance
Это первый случай интеграции DRAM от ChangXin Memory Technologies в продукцию глобального бренда, что свидетельствует о выходе китайских производителей на мировой рынок из‑за дефицита памяти.
Corsair столкнулась с нехваткой поставок от Samsung, SK Hynix и Micron, которые переориентировали производство на HBM и LPDDR5X для ШИ‑чипов. В результате компания применила DRAM от CXMT в модуле Vengeance объёмом 16 ГБ со скоростью 6000 MT/s и таймингами CL36. Идентификатор модуля — CMK5X16G3E60C36A2‑CN.
CXMT активно наращивает производство DDR5, предлагая чипы на 16 и 24 Гб со скоростью до 8000 MT/s. По характеристикам они уже приближаются к решениям Samsung и SK Hynix. В то же время другие китайские производители, такие как Jiahe Jinwei, увеличивают выпуск RDIMM для дата‑центров.
Аналитики отмечают, что китайские компании не только покрывают внутренний спрос, но и начинают предлагать более дешёвые альтернативы для глобальных брендов. CXMT и YMTC планируют удвоить производственные мощности в рамках «Epic Expansion», что позволит им занять большую долю рынка на фоне дефицита памяти. Ожидается, что на Computex 2026 будет представлено больше модулей с китайскими DRAM‑чипами.
Постоянная ссылка на новостьSamsung договорилась с сотрудниками и отложила забастовку
Профсоюз работников Samsung Electronics объявил о приостановке забастовки, которая должна была начаться на этой неделе.
Это стало возможным после достижения предварительного соглашения с руководством компании о вознаграждениях. Переговоры длились несколько дней и неоднократно срывались, но в итоге стороны согласовали новые условия.
Сотрудники требовали пересмотра системы премий, так как были недовольны разницей в выплатах по сравнению с конкурентом SK hynix и внутренним распределением бонусов между подразделениями Samsung. Компания согласилась отменить 50‑процентный лимит на премиальные выплаты, привязать их к операционной прибыли и закрепить изменения в контрактах.
Согласно документу профсоюза, Samsung выделит около 10,5% от согласованных показателей эффективности бизнеса на специальные премии для производственных подразделений. Выплаты будут осуществляться акциями компании в течение как минимум 10 лет.
Голосование по соглашению пройдёт с 22 по 27 мая. Лидер профсоюза Чхве Сын Хо заявил, что ожидает одобрения договорённости большинством членов.
Забастовка могла серьёзно повлиять на экономику Южной Кореи и глобальные поставки микросхем памяти, особенно на фоне высокого спроса со стороны индустрии ШИ. Центральный банк страны прогнозировал, что акция протеста могла снизить рост экономики на 0,5 процентного пункта.
Постоянная ссылка на новостьASUS анонсировала DDR5 ROG память для энтузиастов
ASUS вышла на рынок оперативной памяти с первым комплектом DDR5 под брендом Republic of Gamers.
Модули созданы в сотрудничестве с BIWIN и выполнены в чёрно‑красной цветовой схеме с золотыми акцентами в честь 20‑летия ROG. Производитель рекомендует использовать их вместе с юбилейной материнской платой ROG Crosshair X870E 2006 Edition.
Комплект имеет объём 48 ГБ (2×24 ГБ), работает на частоте DDR5‑6000 с таймингами 26‑36‑36‑76 и поддерживает профили AMD EXPO и Intel XMP. Добавлен режим «ROG Mode», который оптимизирует работу на платах ROG Crosshair, Maximus и Strix. Модули оснащены ARGB‑подсветкой с поддержкой Aura Sync через Armoury Crate.
ASUS также объявила программу ROG‑certified memory, которая позволит другим производителям DDR5 выпускать модули с поддержкой ROG Mode и Aura Sync.
В Китае новинка стоит 5 999 юаней, что примерно равно 880 долл. США.
videocardz.com
Павлик Александр
Китайский бренд POWEV выходит на рынок DDR5 с модулями UDIMM, SODIMM и RDIMM
Китайский бренд POWEV выходит на рынок DDR5 с модулями UDIMM, SODIMM и RDIMM объёмом до 64 ГБ и скоростью 4800–5600 MT/s.
Это суббренд компании Jiahe Jinwei, которая начала массовое производство памяти DDR5 и уже поставляет модули в дата‑центры Китая.
POWEV делит свои продукты на «чисто внутренние» модули и «индустриальные», что означает использование разных источников DRAM‑чипов: от китайского CXMT до корейских или тайваньских производителей. UDIMM и SODIMM доступны в вариантах до 32 ГБ, тогда как RDIMM могут достигать 64 ГБ и поддерживают ECC. Все модули работают на напряжении 1,2 В и соответствуют стандартам JEDEC.
Особенностью запуска является то, что Jiahe Jinwei не раскрывает технологию производства DRAM, в отличие от Samsung или SK hynix, которые указывают поколение своих техпроцессов. Это вызывает вопросы о происхождении чипов, но для пользователей главным остаётся соответствие стандартам и стабильность работы.
Выход POWEV на рынок совпадает с глобальным дефицитом DRAM, поэтому дополнительные поставки могут частично снизить давление на цены. Компания уже поставляет модули в китайские дата‑центры, а в ближайшее время планирует расширение на потребительский сегмент.
techpowerup.com
Павлик Александр
В Японии обнаружены поддельные модули DDR5 SO‑DIMM с пластиковыми «чипами» и фальшивыми наклейками
Они распространяются через онлайн‑площадки, включая Yahoo Auctions и Mercari, и представляют риск для покупателей, особенно при покупке бывшей в употреблении памяти.
Пользователь X под ником TAKI сообщил, что его знакомый приобрёл модуль DDR5 SO‑DIMM, который внешне выглядел настоящим.
После разрезания одного из «чипов» оказалось, что внутри нет кремния — только пластик или стекловолокно. На плате также заметны признаки подделки: округлённые края PCB, более светлый цвет текстолита, другая форма PMIC и несоответствующие маркировки на корпусах «чипов».
Фальшивые модули проще распознать в ноутбучной памяти, где чипы открыты. В случае десктопных DDR5 DIMM это сложнее, так как большинство комплектов имеют радиаторы, скрывающие PCB и пакеты DRAM. Это делает покупку бывших в употреблении или непроверенных комплектов рискованной, если нет возможности сравнить их с проверенными фото по конкретному артикулу.
Подобные мошеннические случаи уже происходили ранее: продавались комплекты DDR5, которые внутри содержали старые DDR2 или DDR4 под «маскировкой» современных радиаторов. Производители, включая Corsair, даже меняли упаковку своих модулей, чтобы усложнить подделки и мошеннические возвраты.
videocardz.com
Павлик Александр
Team Group добавляет модули DDR5‑8000 в серии ELITE PLUS и ELITE DDR5
Team Group объявила о расширении линейки памяти ELITE PLUS DDR5 и ELITE DDR5 новыми модулями, работающими на частоте до 8000 MT/s при напряжении 1,1 В и таймингах CL56‑56‑56‑128.
Новинки соответствуют стандартам JEDEC и ориентированы на пользователей, которым нужна высокая скорость работы при низком энергопотреблении.
Модули DDR5‑8000 получили технологию Same‑Bank Refresh и оптимизированную архитектуру IC, что обеспечивает стабильность при многозадачности и повышает эффективность системы.
Компания планирует выпускать их в виде комплектов 16 ГБ × 2. Старт продаж ожидается в июне 2026 года на Amazon в Северной Америке.
Team Group позиционирует новые модули как решение для обучения, развлечений и высокопроизводительных сценариев, подчёркивая снижение энергопотребления и увеличение срока службы ПК.
techpowerup.com
Павлик Александр
Показать еще
