Компьютерные новости

Dell и Lenovo могут ограничить ноутбуки среднего класса 8 ГБ оперативной памяти DDR5 в ответ на рост цен

С ростом цен на оперативную память DDR5, некоторые ноутбуки среднего класса вскоре могут поставляться с бюджетными характеристиками.

Аналитическая компания TrendForce ожидает, что такие производители, как Dell и Lenovo, выпустят больше ноутбуков только с 8 ГБ памяти. Это решение является прямой реакцией на высокие цены на DDR5, которые могут оказать существенное влияние на рынок в течение многих лет.

Согласно новому отчету TrendForce, хотя производители будут предлагать больше вариантов с 8 ГБ, покупателям, возможно, придется согласиться на более низкое соотношение цены и производительности. Эти ноутбуки могут больше не справляться с ресурсоемкими офисными и игровыми задачами. В то же время, премиальные бизнес-ноутбуки и игровые модели с 32 ГБ или 64 ГБ памяти DDR5 будут иметь завышенные рекомендованные розничные цены. Для бюджетных ноутбуков снижение характеристик до минимума приведет к тому, что доступные варианты будут испытывать трудности даже с базовыми задачами в Windows 11, которая с каждой новой версией потребляет все больше памяти.

Еще одна проблема, с которой сталкиваются производители, связана с ноутбуками, поставляемыми с распаянной DRAM. В частности, ультратонкие конструкции требуют модернизации, чтобы изменить их конфигурации.

В отчете также указывается, что цены на все ноутбуки могут вырасти только во втором квартале 2026 года, несмотря на то, что некоторые поставщики лучше подготовлены к потрясениям, имея большие запасы компонентов. Учитывая огромный спрос на память со стороны центров обработки данных с искусственным интеллектом, ноутбуки не являются единственными продуктами, которым грозит опасность: производители смартфонов также будут пересматривать свои запасы.

techpowerup.com
Павлик Александр    

SK Hynix прогнозирует ограниченные поставки DRAM до 2028 года из-за приоритета ИИ-решений

SK Hynix провела внутреннюю встречу, на которой компания представила прогноз, что ограниченные поставки товарной DRAM — которая включает DDR5/DDR4, GDDR6/GDDR7 и LPDDR5x/LPDDR6 — продлятся вплоть до 2028 года. Все вышеупомянутые варианты DRAM важны для компонентов ПК и консолей, что ставит потребителей под угрозу значительного роста цен.

Компания ожидает, что запасы поставщиков памяти будут истощаться, поскольку производственные мощности не будут увеличиваться для удовлетворения спроса, что является отклонением от обычной реакции рынка.

В то же время, SK Hynix отметила, что эта ситуация не коснется самых современных решений компании, таких как HBM и SOCAMM. Ожидается, что эти продукты получат дополнительное расширение мощностей без влияния ограниченных поставок, поскольку они потребляются в больших объемах для интеграции в продукты искусственного интеллекта (графические процессоры и серверы).

Недавно SK Hynix приступила к установке большего количества машин EUV. Сообщается, что компания планирует установить 20 единиц EUV с низкой числовой апертурой (Low-NA) в течение следующих двух лет, все из которых предназначены для памяти HBM и передовых решений для хранения данных. Как результат, запланированное расширение мощностей DRAM не принесет пользы группе товарной DRAM, поскольку все новые мощности SK Hynix будут обслуживать только клиентов ее центров обработки данных. Однако не все компании следуют этому пути. Некоторые конкуренты SK Hynix, например, Samsung, как сообщается, перераспределяют часть своих производственных мощностей HBM на обычную DRAM, чтобы удовлетворить потребительский спрос.

techpowerup.com
Павлик Александр

Samsung разрабатывает память GDDR7 на 40 Гбит/с с емкостью 3 ГБ

На Корейском технологическом фестивале 2025 года в Сеуле память Samsung GDDR7 получила Медаль Президента Республики Корея в знак признания инноваций.

Samsung разрабатывает этот чип памяти следующего поколения на 12-нм узле DRAM, достигая скорости 40 Гбит/с при емкости 3 ГБ (24 Гбит/с). Ранее Samsung представила образцы GDDR7 со скоростью 36 Гбит/с.

Подтверждение массового производства 3-гигабайтных модулей является важным, поскольку такая емкость является редкостью. Samsung также производит 3-гигабайтные модули с пропускной способностью 28 Гбит/с, которые уже находятся в массовом производстве, вероятно, для будущего обновления NVIDIA SUPER в середине цикла.

Пока Samsung тестирует 40 Гбит/с модули, конкуренция обостряется. SK Hynix готовится представить свой 24-гигабитный чип GDDR7, рассчитанный на пропускную способность 48 Гбит/с, что значительно превышает ожидаемые ранее показатели. Такое быстрое развитие GDDR7 свидетельствует о том, что производители памяти стараются успевать за высоким спросом отрасли на увеличение пропускной способности.

techpowerup.com
Павлик Александр    

Samsung может переключить часть мощностей производства HBM3E на обычную DRAM

Поскольку Samsung переходит на производство памяти HBM4, компания, по сообщениям, рассматривает возможность переключения части своих производственных мощностей, предназначенных для HBM3E, на выпуск обычной DRAM, чтобы удовлетворить текущий высокий спрос.

Обсуждения сосредоточены на переводе 30–40% мощностей с 10-нм класса четвертого поколения (1a DRAM) на 10-нм класс пятого поколения (1b линейка), которая используется для производства DDR5, LPDDR5X, LPDDR6 и GDDR7. Благодаря дополнительным инвестициям в перепрофилирование, Samsung ожидает высвободить эквивалент около 80 000 пластин в месяц.

Это неожиданное решение вызвано экономическими соображениями. Хотя HBM традиционно считается более маржинальной, внутренние оценки Samsung показывают, что операционная прибыль для стека HBM3E из 12 слоев составляет около 30%. В противовес этому, ближайшие ожидания по DRAM общего назначения превышают 60%. Эти различия в марже, наряду с прогнозами значительного снижения средних цен продаж HBM3E, уменьшили стимул к расширению производства HBM3E.

Учитывая рекордно высокий спрос на DRAM, Samsung ничего не потеряет: вся доступная DRAM будет поглощена индустрией ИИ. Любые остатки мощностей HBM3E будут заняты разработчиками ASIC, такими как Google, Broadcom и MediaTek. Однако, потребуется несколько месяцев, чтобы эти производственные изменения проявились в цепочке поставок.

techpowerup.com
Павлик Александр

XPG выпустила новую серию игровой памяти ARMAX DDR5

XPG представила новую серию игровой памяти ARMAX DDR5, которая включает модели ARMAX RGB DDR5 с подсветкой и сдержанную версию ARMAX DDR5 без подсветки.

Ключевой особенностью этой линейки является ориентация на оптимальную совместимость с мини-ПК малого форм-фактора (SFF). Благодаря радиатору высотой всего 39,5 мм, модули не будут создавать помех для больших процессорных кулеров и другого оборудования в компактных корпусах.

Основные характеристики:

• Производительность: Серия работает в диапазоне скоростей от 6000 до 6400 МТ/с, что позиционирует ее как "золотую зону" производительности для платформ следующего поколения.
• Технологии: Память оснащена встроенной интегральной схемой управления питанием (PMIC) и кодом исправления ошибок (ECC).
• Разгон: Поддерживается легкий разгон благодаря профилям Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.
• Дизайн: Дизайн вдохновлен эстетикой истребителей-невидимок, а версия RGB поддерживает XPG PRIME и программное обеспечение основных производителей материнских плат.

Серия памяти XPG ARMAX DDR5 уже доступна в продаже по всему миру и поставляется с ограниченной пожизненной гарантией.

techpowerup.com
Павлик Александр    

SK hynix запустит тотальное расширение фабрик памяти DRAM, чтобы побороть дефицит

Несмотря на то, что SK hynix уже распределила всю производственную квоту на память на 2026 год по предварительным заказам, она будет предпринимать решительные меры для устранения дефицита, как сообщает издание The Chosun Daily.

В следующем году SK hynix планирует модернизировать линии выпуска памяти на всех своих предприятиях, а также будет искать дополнительные площади для размещения оборудования для производства DRAM.

Главные планы SK hynix по расширению мощностей:

• Передовое предприятие M15x сосредоточится на выпуске HBM (High Bandwidth Memory), и его мощности расширяются в первую очередь.
• На предприятии M14 будут модернизированы линии по выпуску памяти DDR.
• На фабриках M16, M8 и M10 она займется оптимизацией использования доступных площадей для размещения дополнительного оборудования.

По оценкам аналитиков, в следующем году спрос на DRAM (включая HBM) вырастет на 18%. Из-за этого SK hynix ускоряет план по увеличению объемов выпуска этих микросхем, который изначально предполагал прирост с 70 000 до 100 000 ежемесячно обрабатываемых кремниевых пластин. Более того, некоторые источники ожидают, что на предприятиях SK hynix по производству NAND будет произведено перевооружение, позволяющее выделить часть мощностей под выпуск DRAM. Шестое поколение 10-нм техпроцесса также сыграет в этой экспансии определенную роль.

biz.chosun.com
Павлик Александр   

Samsung начала тестирование памяти GDDR7 со скоростью 36 Гбит/с и емкостью 3 ГБ

Samsung начала испытания своей самой быстрой памяти GDDR7, работающей на скорости 36 Гбит/с. С емкостью 24 Гбит/с на чип это обеспечивает общую емкость 3 ГБ на модуль, готовую для следующего поколения видеокарт.

Южнокорейская компания также производит 3-гигабайтные модули со скоростью 28,0 Гбит/с и уже запустила их в массовое производство. Это первое подтверждение массового производства 3-гигабайтных модулей, которые являются редкостью.

Также проходят испытания модули GDDR7 среднего класса с пропускной способностью 28 Гбит/с. Более быстрые модули с пропускной способностью 32 и 36 Гбит/с, вероятно, будут использоваться в профессиональных картах, таких как линейка Pro-Viz от NVIDIA.

Например, графический процессор NVIDIA RTX PRO 6000 "Blackwell" уже содержит модули на 3 ГБ. Недавно NVIDIA обновила графический процессор RTX PRO 5000 "Blackwell", увеличив его объем памяти до 72 ГБ GDDR7 ECC вместо 48 ГБ. Это обновление также использует 24 модуля, что подтверждает емкость 3 ГБ на модуль.

Это важно для NVIDIA, поскольку компания, как сообщается, еще не предоставила партнерам окончательные спецификации карт RTX 50 SUPER. По состоянию на ноябрь ни один партнер не получил деталей дизайна, что может свидетельствовать об ожидании окончательного выбора модулей GDDR7. Изначально NVIDIA планировала обновление в середине жизненного цикла на конец первого – начало второго квартала 2026 года. Ранее предполагалось, что три новые модели, вероятно RTX 5070 SUPER, RTX 5070 Ti SUPER и RTX 5080 SUPER, заменят существующие, причем все три карты будут иметь на 50% больше памяти, чем их аналоги без SUPER.

techpowerup.com
Павлик Александр

Китайская CXMT представила память DDR5-8000 и LPDDR5X-10667

Китайская CXMT (Changxin Memory Technologies) продемонстрировала свои первые модули памяти DDR5-8000 и LPDDR5X-10667 на Китайской международной выставке полупроводников 2025 года. Эта продукция соответствует предложениям мировых производителей памяти.

Память DDR5 от CXMT работает со скоростью 8000 МТ/с, в то время как память LPDDR5X достигает 10 667 МТ/с.

Эти модули памяти доступны в емкостях LPDDR5X 12 Гбит/с и 16 Гбит/с. Модули DDR5 масштабируются до форматов 16 Гбит/с и 24 Гбит/с. Позже они упаковываются в различные форм-факторы для корпоративных серверов (RDIMM, MRDIMM, TFF MRDIMM), настольных компьютеров (UDIMM), ноутбуков (SODIMM) и высококачественных разгонных устройств (CUDIMM и CSODIMM).

В январе 2025 года были идентифицированы новые 16-нм микросхемы DRAM от CXMT в модулях Gloway DDR-6000 UDIMM. Эти 16-гигабитные микросхемы DDR5 имеют площадь 67 квадратных миллиметров и плотность 0,239 Гбит/с на квадратный миллиметр. Ячейки DRAM G4 на 20 процентов меньше, чем у предыдущего поколения G3 от CXMT. Эта разработка является результатом перехода компании от 23-нм (G1) к 18-нм (G2) узлам. Однако, несмотря на этот прогресс, CXMT по-прежнему примерно на три года отстает от Samsung, SK Hynix и Micron в производственных возможностях, поэтому не ожидайте, что глобальный дефицит DRAM будет решен в ближайшее время.

techpowerup.com
Павлик Александр