Компьютерные новости

Lexar представила линейку SSD Ares PRO M.2 Gen 5 с высокой скоростью до 14 ГБ/с

Компания Lexar представила новую линейку флагманских твердотельных накопителей Ares PRO M.2 NVMe, ориентированных на геймеров и энтузиастов. Новинки используют интерфейс PCI-Express 5.0 x4 и оснащены DRAM-кэшем.

Накопители доступны в трех вариантах емкости — 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ. Все модели обеспечивают впечатляющую скорость последовательного чтения до 14 ГБ/с. Скорость последовательной записи отличается в зависимости от модели: до 11 ГБ/с для версии на 4 ТБ, до 10 ГБ/с для 2 ТБ и до 7,5 ГБ/с для 1 ТБ. Также, производительность случайного доступа (4K IOPS) для старших моделей составляет до 2 миллионов для чтения и 1,5 миллиона для записи.

Вместо встроенного радиатора, Ares PRO оснащен пленкой на основе графена для рассеивания тепла. Выносливость накопителей заявлена на уровне 3000 TBW для модели на 4 ТБ, 1500 TBW для 2 ТБ и 750 TBW для 1 ТБ. Накопители поставляются с 5-летней гарантией, но цена и дата выхода пока не разглашаются.

techpowerup.com
Павлик Александр

ADATA XPG выпустила твердотельный накопитель SPECTRIX S65G

ADATA выпустила под своим игровым брендом XPG новый твердотельный накопитель SPECTRIX S65G. Эта модель сочетает интерфейс PCIe Gen4x4 и встроенную RGB-подсветку.

Накопитель соответствует стандарту NVMe 1.4 и обеспечивает скорость последовательного чтения до 6000 МБ/с и записи до 5000 МБ/с. Он совместим с настольными платформами Intel и AMD, а также может использоваться для расширения памяти консоли PlayStation 5, предлагая емкость до 2000 ГБ.

SPECTRIX S65G оснащен системой коррекции ошибок LDPC и технологией шифрования Pyrite для защиты данных. Накопитель имеет фирменный дизайн с X-образным световодом и поставляется с 5-летней ограниченной гарантией.

techpowerup.com
Павлик Александр

Samsung возвращает Z-NAND: сверхбыстрая память для серверов и ИИ

После семилетнего перерыва Samsung официально подтвердила возвращение к Z-NAND — высокоскоростной SLC-памяти, которая ранее конкурировала с Intel Optane. Новое поколение Z-SSD обещает до 15× выше производительность, на 80 % ниже энергопотребление и минимальные задержки благодаря технологии GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS), позволяющей GPU напрямую обращаться к накопителю, минуя CPU и оперативную память.

Z-NAND — это не новая архитектура, а глубоко оптимизированная SLC-память с низкой латентностью. В 2018 году Samsung уже выпускала SSD 983 ZET, который приближался к Optane 900P по скорости, но не выдержал конкуренции из-за высокой цены.

Новые Z-SSD предназначены исключительно для серверного рынка, высокопроизводительных вычислений (HPC) и ИИ-нагрузок. В обычных ПК такая память не имеет смысла: производство слишком дорогое, GIDS не поддерживается потребительскими платформами, а бытовые сценарии не требуют столь низких задержек. Для пользователей Samsung предлагает другие линейки — 990 PRO, 870 EVO, T9 Portable SSD — оптимизированные под реальные задачи массового рынка.

В сегменте сверхбыстрой памяти Samsung — не единственный игрок. Kioxia готовит обновлённую XL-Flash с контроллером на более чем 10 млн IOPS, Phison продвигает собственную реализацию SCM под названием PASCARI, Solidigm и Micron экспериментируют с SLC-решениями для дата-центров. Параллельно развиваются интерфейсы PCIe 6.0 и CXL, способные изменить саму архитектуру доступа к памяти.

Обычные пользователи не увидят Z-NAND в своих ПК — по крайней мере, пока. Но мы надеемся, что однажды производители памяти услышат чаяния простых потребителей, и мы увидим накопители на этом типе памяти в массовом сегменте — без серверных ценников и без компромиссов.

tomshardware.com
Павлик Александр

Silicon Motion анонсировала первый потребительский контроллер PCIe 6.0 и новый DRAM-less PCIe 5.0

Silicon Motion на конференции Future of Memory and Storage (FMS) представила первые детали о своих новых контроллерах для SSD-накопителей. Среди анонсов — первый потребительский контроллер PCIe 6.0 под кодовым названием Neptune, а также новый DRAM-less контроллер PCIe 5.0.

Контроллер Neptune обещает обеспечить последовательную скорость чтения 25 ГБ/с или выше и до 3,5 миллиона IOPS. Однако, такая производительность достижима только при использовании NAND-памяти со скоростью 4800 МТ/с в восьмиканальной конфигурации. Его выход на рынок ожидается не ранее 2028 года.

Еще одной новинкой стал контроллер SM2524XT — DRAM-less решение для PCIe 5.0. Он демонстрирует последовательную скорость чтения 14 ГБ/с и 2,5 миллиона IOPS, что соответствует показателям флагманского контроллера SM2508. Из-за четырехканального NAND-интерфейса, ожидается, что реальная производительность первых накопителей на его базе будет ниже. Выход SM2524XT запланирован на следующий год.

Оба новых контроллера, а также SM2504XT, получили поддержку Separate Command Architecture (SCA). Эта функция позволяет параллельно обрабатывать команды и передавать адреса, что помогает уменьшить задержки и увеличить доступную пропускную способность NAND-памяти.

techpowerup.com
Павлик Александр

Team Group представила твердотельный накопитель NV5000 M.2 PCIe 4.0

Team Group анонсировала выпуск новой серии NV (от Nova Value) твердотельных накопителей, первым представителем которой стал NV5000 M.2 PCIe 4.0.

Этот высокопроизводительный накопитель начального уровня предназначен для модернизации как настольных компьютеров, так и ноутбуков.

Основные характеристики и особенности

• Технологии: Накопитель оснащен флеш-памятью 3D NAND и соответствует стандарту NVMe 1.4.
• Производительность: Обеспечивает скорость чтения до 5000 МБ/с при емкости до 2 ТБ.
• Охлаждение: Использует фирменную графеновую этикетку толщиной менее 1 мм для эффективного рассеивания тепла. Эта конструкция не препятствует установке радиаторов на материнской плате.
• Программное обеспечение: Поддерживает собственное программное обеспечение Team Group для мониторинга состояния (SMART).
• Совместимость: Накопитель полностью совместим с новейшими платформами Intel и AMD.

Team Group также сообщила, что планирует расширить серию NV дополнительными моделями.

techpowerup.com
Павлик Александр       

Консорциум NVM Express обновляет спецификации для NVMe-накопителей

Консорциум NVM Express анонсировал важные обновления для 11 своих спецификаций NVMe, что позволит этой технологии лучше соответствовать требованиям современных приложений с искусственным интеллектом, облачных сервисов, а также корпоративных и клиентских систем.

Ключевые нововведения

Обновления охватывают Базовую спецификацию NVMe 2.3, спецификации наборов команд (NVM 1.2, ZNS 1.4 и другие), транспорта (NVMe over PCIe, RDMA, TCP) и интерфейса управления (NVMe-MI 2.1). Среди ключевых функций, появившихся в новых спецификациях:

• Быстрое восстановление после сбоя: Обеспечивает связь с подсистемой NVMe через альтернативные каналы, что позволяет быстро восстановить работу в случае потери связи с контроллером и предотвратить потерю данных.
• Конфигурация ограничения мощности: Предоставляет полный контроль над максимальной мощностью NVMe-устройства, что важно для старых систем с ограниченными возможностями питания.
• Отчетность о потреблении: Позволяет хосту измерять и контролировать мощность и общее потребление энергии накопителя в течение всего срока службы.
• Очистка пространства имен: Позволяет выполнить криптографическую очистку отдельных пространств имен, не затрагивая при этом всю подсистему NVMe.
• Настраиваемая индивидуальность устройства — поддерживает механизмы, позволяющие хосту безопасно изменять конфигурацию подсистемы NVM, упрощая управление запасами для поставщиков устройств.

Новые спецификации и описание функций доступны для скачивания на официальном веб-сайте NVM Express.

techpowerup.com
Павлик Александр

Lexar выпустила внутренний SSD PLAY 2280 SE PCIe 4.0 ёмкостью 4 ТБ для PlayStation 5

Lexar анонсировала твердотельный накопитель Lexar PLAY 2280 SE PCIe 4.0 ёмкостью 4 ТБ. Он обеспечивает максимальную скорость чтения до 7000 МБ/с и максимальную скорость записи до 6000 МБ/с, что сокращает время загрузки и обеспечивает бесперебойный игровой процесс на консолях PlayStation 5.

Характеристики и возможности

Созданный как дополнение к PS5, твердотельный накопитель Lexar PLAY 2280 SE PCIe 4.0 объёмом 4 ТБ улучшает игровой опыт благодаря уникальному радиатору, который помогает поддерживать оптимальную производительность во время интенсивных игровых сессий. Благодаря дополнительному хранилищу объёмом 4 ТБ, накопитель может вместить до 100 игр класса AAA.

Хотя этот накопитель не имеет DRAM-буфера, его характеристики, вероятно, указывают на использование памяти типа TLC.

Цена и доступность

Твердотельный накопитель Lexar PLAY 2280 SE PCIe 4.0 (4 ТБ) является протестированным и одобренным для консоли PS5. Он доступен эксклюзивно онлайн на Costco.com по рекомендованной розничной цене 224,99 долларов США.

Lexar также отмечает, что её накопитель NM790 M.2 2280 PCIe 4.0 NVMe, известный скоростью чтения до 7400 МБ/с и оптимизацией энергоэффективности, также доступен на Costco.com в версии 4 ТБ по рекомендованной розничной цене 219,99 долларов США.

techpowerup.com
Павлик Александр

Kioxia начинает поставки образцов флеш-памяти BiCS FLASH 9-го поколения

Kioxia объявила о начале пробных поставок образцов флеш-памяти BiCS FLASH 3D 9-го поколения с технологией Triple-Level Cell (TLC) ёмкостью 512 Гбит/с. Массовое производство этих устройств планируется начать в 2025 финансовом году.

Новые чипы разработаны для приложений, требующих высокой производительности и исключительной энергоэффективности, и будут интегрированы в корпоративные SSD-накопители Kioxia, в частности те, что предназначены для систем искусственного интеллекта.

Стратегия развития и ключевые улучшения

Kioxia придерживается двухосной стратегии для удовлетворения разнообразных потребностей рынка:

• Продукты BiCS FLASH 9-го поколения: Достигают высокой производительности при сниженной себестоимости благодаря технологии CBA (CMOS непосредственно присоединённый к массиву), которая интегрирует существующие технологии ячеек памяти с новейшей технологией CMOS.
• Продукты BiCS FLASH 10-го поколения: Будут включать увеличенное количество слоёв памяти для будущих решений с большей ёмкостью и высокой производительностью.

Новая TLC-память BiCS FLASH 9-го поколения на 512 Гбит/с, разработанная с использованием 120-слойного процесса стекирования на основе технологии BiCS FLASH 5-го поколения, демонстрирует значительные улучшения по сравнению с существующими продуктами Kioxia BiCS FLASH такой же ёмкости:

• Производительность записи: улучшение на 61%.
• Производительность чтения: улучшение на 12%.
• Энергоэффективность: повышена на 36% при записи и на 27% при чтении.
• Скорость передачи данных: интерфейс Toggle DDR 6.0 обеспечивает 3,6 Гбит/с. Kioxia также подтвердила, что в демонстрационных условиях 512-гигабитный TLC работает со скоростью до 4,8 Гбит/с.
• Битовая плотность: увеличена на 8% благодаря усовершенствованию планарного масштабирования.

Линейка продуктов BiCS FLASH 9-го поколения будет определена в соответствии с требованиями рынка.

techpowerup.com
Павлик Олександр