Компьютерные новости
Оперативная память
AMD и Intel уже готовятся перейти на стандарты DDR5 и PCIe 5.0
Линейка десктопных процессоров AMD Ryzen 4000 на базе микроархитектуры Zen 3, которая дебютирует во второй половине текущего года, станет последним представителем платформы Socket AM4. В 2021 году AMD анонсирует новую линейку CPU на базе Zen 4 под новый разъем, но она будет доступна на рынке в 2022 году. Кроме того, она принесет с собой поддержку памяти DDR5 и интерфейса PCIe 5.0.
Intel со своей стороны также готовится перейти на новые стандарты. Более того, именно она может первой интегрировать поддержку DDR5 в свои серверные 10-нм процессоры линейки Intel Xeon Sapphire Rapids. Их дебют ожидается в 2021 году.
Переход на новый стандарт форсируют и производители самих чипов оперативной памяти. Например, SK hynix уже в этом году начнет производство микросхем DDR5 с эффективной скоростью 4800 МГц. Позже на рынке появятся модели с частотой до 8400 МГц.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
ADATA XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB – емкая, быстрая и красивая оперативная память
Компания ADATA представила новую серию оперативной памяти – XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB. Она нацелена на геймеров, оверклокеров и энтузиастов. Ее модули приковывают взгляд двусторонним алюминиевым радиатором с четким геометрическим узором и яркой RGB-подсветкой. Иллюминацию можно синхронизировать с популярным ПО от ключевых производителей материнских плат (ASRock, ASUS, GIGABYTE и MSI).
В состав серии ADATA XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB вошли одиночные модули объемом 8 и 16 ГБ, а также двухканальные наборы общей емкостью 16 (2 х 8 ГБ) и 32 ГБ (2 х 16 ГБ). Они работают на тактовой частоте от DDR4-3000 до DDR4-4133 МГц с напряжением 1,35 или 1,4 В. Задержки составляют CL16-20-20, CL18-20-20 или CL19-23-23. И, конечно же, поддерживаются профили Intel XMP 2.0 для быстрого оверклокинга.
ADATA обещает, что в мае появятся модули объемом 32 ГБ и частотой 4600 и 4800 МГц. Остальные варианты будут доступны в апреле. Их стоимость пока не сообщается.
https://www.xpg.com
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
SK hynix начнет производство памяти DDR5 в этом году
Компания SK hynix поделилась интересной информацией касательно памяти DDR5, и ее преимуществ над DDR4. Она будет более производительной, емкой, энергоэффективной и дешевой. Для достижения этого есть все предпосылки.
Во-первых, DDR5 сможет использовать структуру с 32 банками, созданную на базе восьми групп. Это в 2 раза превышает возможности DDR4 (максимум 16 банков на базе четырех групп), что позволяет удвоить скорость доступа к данным.
Во-вторых, длина пакетов (Burst Length, BL) в DDR5 увеличивается с 8 до 16. В-третьих, память DDR4 не может выполнять другие операции во время обновления таймингов, а DDR5 может благодаря функции Same Bank Refresh. В-четвертых, стандарт DDR5 увеличивает скорость на контакт за счет интеграции микросхемы Decision Feedback Equalization (DFE), которая повышает целостность сигнала при работе с большим количеством каналов и модулей DIMM.
Список преимуществ и особенностей микросхем DDR5 компании SK hynix можно продолжить следующими позициями:
- снижение рабочего напряжения с 1,2 до 1,1 В;
- использование в самих микросхемах алгоритмов Error Correction Code (ECC) и Error Check And Scrub (ECS);
- увеличение пропускной способности с 1600 – 3200 Мбит/с (DDR4) до 3200 – 8400 Мбит/с (DDR5);
- увеличение емкости самих микросхем с максимум 16 Гбит (DDR4) до 64 Гбит (DDR5).
Согласно анализу компании International Data Corporation (IDC), спрос на память DDR5 начнет расти начиная с 2020 года. До конца 2021 года этот стандарт займет 22% рынка, а в 2022 его доля вырастет до 43%. SK hynix планирует защищать свои лидерские позиции, и поначалу предложит покупателям 16-гигабитные чипы DDR5, созданные на базе 10-нм технологии. Позже появятся и другие варианты по объему и скорости.
https://www.techpowerup.com
https://news.skhynix.com
Сергей Будиловский
DDR5 появится со скоростью 4800 МТ/с
Компания Cadence вряд ли известна многим пользователям. Она не имеет своих фабрик и не представлена на массовом рынке. Cadence сконцентрировала свою деятельность в сфере разработки продуктов интеллектуальной собственности (IP), дизайна микросхем и инструментов для верификации.
В официальном блоге эксперт компании Cadence сообщил новые подробности о памяти DDR5. Изначальная ее скорость составит 4800 МТ/s (мегатранзакции в секунду). Это даже больше, чем у представленного в 2018 году образца модуля стандарта DDR5-4400 (4400 MT/s), подготовленного совместными усилиями Cadence и Micron. Затем в течение 12 месяцев мы увидим еще более производительные решения.
Однако главная цель DDR5 заключается не в скорости, а в объеме. Новый стандарт предполагает использование более емких ядер памяти. Изначальный их объем составит 24 Гбит, а позже он увеличится до 32 Гбит. Это позволит создавать модули общим объемом 256 ГБ, с задержкой доступа к каждому байту ниже 100 нс. Речь идет об очень емких и быстрых планках с низкими задержками.
Компания Cadence получила множество заказов на свои 7-нм IP. Их производство начнется в этому году. То есть уже с этого года стандарт DDR5 начнет покорят рынок.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Серии ОЗУ TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z и DARK Z получили 32-гигабайтные модули
Компания TEAMGROUP порадовала требовательных пользователей анонсом 32-гигабайтных модулей в игровых сериях T-FORCE VULCAN Z и T-FORCE DARK Z. Они будут доступны в качестве отдельных планок и в составе двухканальных наборов общим объемом 64 ГБ.
Серия TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z предлагает их с тактовой частотой DDR4-2666 и DDR4-3000. А в серии TEAMGROUP T-FORCE DARK Z 32-гигабайтные комплекты доступны исключительно с частотой DDR4-3000. В обоих случаях модули памяти получили алюминиевые радиаторы и профиль O.C. для быстрого и комфортного разгона. В процессе производства они проходят суровое и тщательное тестирование на надежность работы и совместимость с популярными платформами AMD и Intel.
Сводная таблица технической спецификации оперативной памяти серий TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z и DARK Z:
Серия |
TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z |
TEAMGROUP T-FORCE DARK Z |
|||||
Тип |
DDR4 DIMM |
||||||
Объем, ГБ |
4 / 8 / 16 / 32 / 8 (2 х 4) / 16 (2 х 8) / 32 (2 х 16) / 64 (2 х 32) |
8 / 16 / 16 (2 х 8) / 32 (2 х 16) / 64 (2 х 32) |
|||||
Частота, МГц |
2666 |
3000 |
3200 |
2666 |
3000 |
3200 |
3600 |
Пропускная способность, МБ/с |
21 328 (PC4 21300) |
24 000 (PC4 2400) |
25 600 (PC4 25600) |
21 328 (PC4 21300) |
24 000 (PC4 2400) |
25 600 (PC4 25600) |
28 800 (PC4 28800) |
Тайминги |
CL18-18-18-43 |
CL16-18-18-38 |
CL16-18-18-38 |
CL15-17-17-35 / CL16-18-18-38 |
CL16-18-18-38 |
CL16-18-18-38 |
CL18-22-22-42 |
Рабочее напряжение, В |
1,2 |
1,35 |
1,35 |
1,2 |
1,35 |
1,35 |
1,35 |
Размеры, мм |
32 х 140 х 7 |
43,5 х 141 х 8,3 |
|||||
Радиатор |
Алюминиевый |
||||||
Гарантия |
Пожизненная |
https://www.teamgroupinc.com
Сергей Будиловский
Новый 256-гигабайтный комплект G.SKILL Trident Z Neo DDR4-3600 для платформы Socket sTRX4
Компания G.SKILL с гордостью представила новый набор оперативной памяти в серии Trident Z Neo DDR4 общим объемом 256 ГБ (8 х 32 ГБ), частотой DDR4-3600, таймингами 16-20-20 и рабочим напряжением 1,35 В. В первую очередь он предназначен для платформы Socket sTRX4, а для тестирования использовалась материнская плата ASUS ROG ZENITH II EXTREME ALPHA и топовый процессор AMD Ryzen Threadripper 3990X.
Каждый модуль в составе этого комплекта создан на базе отборных 16-гигабитных микросхем памяти. За их эффективное охлаждение отвечает стильный алюминиевый радиатор с красочной LED-подсветкой, которую можно синхронизировать с популярными технологиями (ASUS Aura Sync, ASRock Polychrome Sync, GIGABYTE RGB Fusion 2.0, MSI Mystic Light Sync). Правда, он увеличивает высоту модулей, поэтому перед покупкой следует убедиться в отсутствии проблем с совместимостью с габаритными воздушными кулерами.
В продажу новый комплект G.SKILL Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 256 GB (32 GB x8) поступит во втором квартале текущего года. Стоимость не сообщается.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Micron начала поставки первой в мире памяти LPDDR5 для высокопроизводительных смартфонов
Компания Micron Technology, Inc. с гордостью сообщила о начале поставок первой в мире памяти LPDDR5 для высокопроизводительного смартфона Xiaomi Mi 10. Она увеличивает скорость доступа к данным на 50% и улучшает энергоэффективность на 20% по сравнению со стандартом LPDDR4x. Кроме того, новая память нацелена и в другие сегменты, включая автомобильную промышленность, клиентские PC и сетевые системы для 5G и AI.
В данный момент Micron поставляет своим клиентам память LPDDR5 объемом 6, 8 и 12 ГБ со скоростью 5,5 и 6,4 Гбит/с. До конца первой половины текущего года она интегрирует новые микросхемы в мультичиповый пакет uMCP5 для использования в смартфонах среднего и высокого класса. Благодаря этому повышается пропускная способность памяти и снижается нагрузка на аккумулятор. В итоге производительность отдельных задач (например, обработка изображений) повышается до уровня флагманских смартфонов.
https://www.techpowerup.com
https://www.micron.com
Сергей Будиловский
64-гигабайтный комплект ОЗУ GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200 с низкопрофильным радиатором
Серия DESIGNARE компании GIGABYTE ранее встречалась в материнских платах, ориентированных на творческих людей и создателей контента. Теперь компания порадовала новым 64-гигабайтным (2 х 32 ГБ) набором оперативной памяти – GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200.
Модули получили черный текстолит, высококачественную печатную плату и низкопрофильный серебристый алюминиевый радиатор. Общая высота модулей составляет стандартные 32 мм, поэтому они будут совместимы с большинством габаритных систем охлаждения.
По умолчанию GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200 работает в режиме DDR4-2666 с таймингами 19-19-19-43 (Intel) или 20-19-19-43 (AMD). Но в XMP-профиле есть режим DDR4-3200 с повышением напряжения до 1,35 В. В спецификации на официальном сайте его тайминги составляют 16-18-18-38, но на странице поддержки указаны 18-19-19-39.
Стоимость и дата начала продаж пока не сообщаются. Сводная таблица технической спецификации комплекта GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200:
Модель |
GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200 |
Тип |
DDR4 |
Объем, ГБ |
64 (2 х 32) |
Частота в SPD, МГц |
2666 |
Тайминги в SPD |
19-19-19-43 (Intel 300) 20-19-19-43 (AMD Ryzen) |
Напряжение в SPD, В |
1,2 |
Протестированная частота, МГц |
3200 |
Протестированные тайминги |
16-18-18-38 |
Протестированное напряжение, В |
1,35 |
Поддержка XMP |
XMP 2.0 |
Размеры, мм |
133 х 32 х 7 |
Гарантия |
Пожизненная |
https://www.gigabyte.com
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Показать еще