Цены на оперативную память в следующем году могут подняться на 30%

Сейчас мы наслаждаемся периодом низких цен на оперативную память, но такое положение вещей может измениться уже в следующем году. Согласно источникам авторитетного портала DigiTimes, средние цены продаж (Average selling prices (ASP)) в сегменте DRAM в 2020 году могут вырасти на 30%.

Главная причина заключается в стабильно высоком спросе на оперативную память в сегменте серверов и мобильных устройств. Подыгрывают такому сценарию и сами производители ОЗУ: они не спешат вкладываться в расширение производственных мощностей. Например, в 2020 году они увеличат производство лишь на 12,5% – это самый низкий показатель роста за последние 10 лет. Таким образом, если спрос будет сильно превышать предложение, то цены на оперативную память опять поползут вверх. И если вы планировали расширение ОЗУ, то сейчас для этого лучшее время.

https://www.tomshardware.com
https://www.dvhardware.net
Сергей Будиловский

G.SKILL представила новые 4-канальные наборы ОЗУ для HEDT-платформ AMD и Intel

Компания G.SKILL расширила ассортимент своей продукции новыми 4-канальными наборами оперативной памяти серий Trident Z Neo и Trident Z Royal для HEDT-платформ AMD Socket sTRX4 (AMD TRX40) и Intel Socket LGA2066 (Intel X299).

Речь идет о решениях общим объемом 32 ГБ (4 х 8 ГБ), 64 ГБ (4 х 16 ГБ; 8 х 8 ГБ), 128 ГБ (8 х 16 ГБ; 4 х 32 ГБ) и 256 ГБ (8 х 32 ГБ). Их тактовые частоты находятся в пределах от 2666 до 4000 МГц при напряжениях 1,2 – 1,45 В.

Наиболее производительные наборы DDR4-3800 и DDR4-4000 предназначены для HEDT-платформы Intel. Для обладателей AMD предлагают комплекты с максимальной частотой DDR4-3600. Все они поддерживают технологию Intel XMP 2.0 и появятся в продаже в конце 2019 года.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Рынок оперативной памяти вернулся к росту после трех убыточных кварталов

Согласно последнему аналитическому отчету DRAMeXchange, спрос на рынке оперативной памяти вернулся к здоровому уровню, что очень порадовало производителей микросхем DRAM. Их общая выручка в третьем квартале выросла на 4%, окончив тем самым период спада, который продолжался три квартала подряд. Более того, три ключевых производителя планируют увеличить поставки своей продукции в четвертом квартале, чтобы удовлетворить растущий спрос на рынке.

Samsung улучшила продажи на 30% и подняла выручку на 5% (до $7,12 млрд) по сравнению с показателями предыдущего квартала. Главная причина ее роста – активная закупка микросхем памяти китайскими производителями смартфонов и восстановление рынка серверов.

Уровень продаж SK Hynix вырос на 20%, а выручка – на 3,5% (до $4,41 млрд). А вот у Micron продажи выросли на 30% по сравнению со слабыми показателями второго квартала. Выручка достигла $3,07 млрд. Тем не менее общая доля ее рынка упала до 19,9% из-за роста показателей Samsung и Nanya.

https://press.trendforce.com
Сергей Будиловский

Быстрее чем XMP: новая технология GIGABYTE AORUS Memory Boost для разгона фирменной памяти

Компания GIGABYTE представила два новых комплекта оперативной памяти серии AORUS RGB Memory. Оба они имеют в своем составе по два 8-гигабайтных модуля с номинальной частотой DDR4-2666 МГц и возможностью работы в режиме DDR4-3600 после активации XMP-профилей. Отличаются лишь тем, что в версии Demo Kit есть два фальшивых модуля – они используют тот же дизайн и RGB LED-подсветку, но не имеют в своем составе чипов памяти. Они предназначены исключительно для красоты, чтобы занять все доступные DIMM-слоты.

Вместе с новыми наборами дебютировала и технология GIGABYTE AORUS Memory Boost. Она будет активна только в некоторых фирменных материнских платах. Включается в BIOS и автоматически активирует более высокую тактовую частоту для фирменной ОЗУ. Например, для двух этих комплектов скорость повышается до DDR4-3700 / 3733 МГц.

Сравнительная таблица технической спецификации новых наборов ОЗУ линейки GIGABYTE AORUS RGB Memory:

https://www.techpowerup.com
https://www.gigabyte.com
Сергей Будиловский

Оперативная память Micron дважды побила рекорд G.SKILL

В сентябре известный тайваньский оверклокер Toppc использовал модули серии G.SKILL Trident Z Royal для установки нового мирового рекорда частоты оперативной памяти – DDR4-6016,8 МГц. Но под конец октября это достижение удалось дважды побить модулям серии Ballistix Elite 4000 от компании Micron.

Вначале другой тайваньский оверклокер Bianbao смог поднять частоту до уровня DDR4-6024,4 МГц. Для этого он использовал материнскую плату ASUS Crosshair VIII IMPACT и процессор AMD Ryzen 5 3600X с понижением частоты до 2,2 ГГц. Для охлаждения CPU и ОЗУ использовалась система на основе жидкого азота.

Затем настал звездный час греческого энтузиаста OGS. С помощью аналогичного тестового стенда он поднял частоту ОЗУ до уровня DDR4-6054,4 МГц. Кстати, в обоих случаях использовалась новая версия BIOS на основе микрокода AGESA 1.0.0.4.

https://www.techpowerup.com
https://hwbot.org
Сергей Будиловский

Теперь и в арсенале Team Group есть 32-гигабайтные модули памяти

Без громкой презентации компания Team Group добавила 32-гигабайтные модули оперативной памяти в серию ELITE. Они полностью соответствуют требованиям стандартов JEDEC и проверены на совместимость с актуальными платформами.

Новинки представлены в виде одиночных модулей и двухканальных наборов общим объемом 64 ГБ. Они работают на частотах 2400 / 2666 МГц при напряжении 1,2 В. Это позволило отказаться от дополнительного радиатора, что снижает конечную стоимость и повышает совместимость с габаритными кулерами.

Сводная таблица технической спецификации 32-гигабайтных модулей серии Team Group ELITE:

https://www.teamgroupinc.com
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

На 40% эффективнее: SK hynix представила 16-гигабитные чипы DDR4-памяти

Компания SK hynix с гордостью представила самые емкие в индустрии 16-гигабитные микросхемы памяти DDR4, созданные на основе техпроцесса 1z нм. Их производство не требует использования дорогой EUV литографии, а значит есть все предпосылки для снижения конечной стоимости.

Пропускная способность новинок достигает 3200 Мбит/с – это самый большой номинальный показатель для интерфейса DDR4. При этом энергоэффективность готовых модулей на базе этих чипов улучшилась на 40% по сравнению с аналогичными по плотности модулями, созданными на основе 8-гигабитных чипов прошлого поколения (технология 1y нм).

Массовое производство 1z-нм микросхем памяти запланировано на следующий год. SK hynix также планирует использовать эту технологию для создания чипов LPDDR5 и HBM3.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Новые наборы ОЗУ серий DDR4-4000 G.SKILL Trident Z и Trident Z Royal с таймингами CL15

Обычно повышение производительности оперативной памяти достигается двумя путями: увеличением тактовой частоты или снижением таймингов. Компании G.SKILL удалось совместить их в новых 32-гигабайтных (4 х 8 ГБ) наборах серий Trident Z и Trident Z Royal.

Новинки могут работать на эффективной частоте DDR4-4000 при таймингах CL15-16-16-36 и напряжении 1,5 В. А все благодаря использованию легендарных чипов Samsung B-die. Ранее лучшими задержками для режима DDR4-4000 считались CL17.

Для сравнения: пропускная способность комплекта ОЗУ DDR4-3200 с задержками CL14 в тесте чтения бенчмарка AIDA64 находится в районе 50 ГБ/с для системы с процессором AMD Ryzen 9 3900X. Замена этой памяти на DDR4-4000 с таймингами CL15 повышает пропускную способность до 61 ГБ/с или на 22%.

Оба новых набора ОЗУ серий DDR4-4000 G.SKILL Trident Z и Trident Z Royal поддерживают технологию Intel XMP 2.0 для простоты разгона. Они поступят в продажу до конца текущего года.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский