Компьютерные новости

Samsung может переключить часть мощностей производства HBM3E на обычную DRAM

Поскольку Samsung переходит на производство памяти HBM4, компания, по сообщениям, рассматривает возможность переключения части своих производственных мощностей, предназначенных для HBM3E, на выпуск обычной DRAM, чтобы удовлетворить текущий высокий спрос.

Обсуждения сосредоточены на переводе 30–40% мощностей с 10-нм класса четвертого поколения (1a DRAM) на 10-нм класс пятого поколения (1b линейка), которая используется для производства DDR5, LPDDR5X, LPDDR6 и GDDR7. Благодаря дополнительным инвестициям в перепрофилирование, Samsung ожидает высвободить эквивалент около 80 000 пластин в месяц.

Это неожиданное решение вызвано экономическими соображениями. Хотя HBM традиционно считается более маржинальной, внутренние оценки Samsung показывают, что операционная прибыль для стека HBM3E из 12 слоев составляет около 30%. В противовес этому, ближайшие ожидания по DRAM общего назначения превышают 60%. Эти различия в марже, наряду с прогнозами значительного снижения средних цен продаж HBM3E, уменьшили стимул к расширению производства HBM3E.

Учитывая рекордно высокий спрос на DRAM, Samsung ничего не потеряет: вся доступная DRAM будет поглощена индустрией ИИ. Любые остатки мощностей HBM3E будут заняты разработчиками ASIC, такими как Google, Broadcom и MediaTek. Однако, потребуется несколько месяцев, чтобы эти производственные изменения проявились в цепочке поставок.

techpowerup.com
Павлик Александр

XPG выпустила новую серию игровой памяти ARMAX DDR5

XPG представила новую серию игровой памяти ARMAX DDR5, которая включает модели ARMAX RGB DDR5 с подсветкой и сдержанную версию ARMAX DDR5 без подсветки.

Ключевой особенностью этой линейки является ориентация на оптимальную совместимость с мини-ПК малого форм-фактора (SFF). Благодаря радиатору высотой всего 39,5 мм, модули не будут создавать помех для больших процессорных кулеров и другого оборудования в компактных корпусах.

Основные характеристики:

• Производительность: Серия работает в диапазоне скоростей от 6000 до 6400 МТ/с, что позиционирует ее как "золотую зону" производительности для платформ следующего поколения.
• Технологии: Память оснащена встроенной интегральной схемой управления питанием (PMIC) и кодом исправления ошибок (ECC).
• Разгон: Поддерживается легкий разгон благодаря профилям Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.
• Дизайн: Дизайн вдохновлен эстетикой истребителей-невидимок, а версия RGB поддерживает XPG PRIME и программное обеспечение основных производителей материнских плат.

Серия памяти XPG ARMAX DDR5 уже доступна в продаже по всему миру и поставляется с ограниченной пожизненной гарантией.

techpowerup.com
Павлик Александр    

SK hynix запустит тотальное расширение фабрик памяти DRAM, чтобы побороть дефицит

Несмотря на то, что SK hynix уже распределила всю производственную квоту на память на 2026 год по предварительным заказам, она будет предпринимать решительные меры для устранения дефицита, как сообщает издание The Chosun Daily.

В следующем году SK hynix планирует модернизировать линии выпуска памяти на всех своих предприятиях, а также будет искать дополнительные площади для размещения оборудования для производства DRAM.

Главные планы SK hynix по расширению мощностей:

• Передовое предприятие M15x сосредоточится на выпуске HBM (High Bandwidth Memory), и его мощности расширяются в первую очередь.
• На предприятии M14 будут модернизированы линии по выпуску памяти DDR.
• На фабриках M16, M8 и M10 она займется оптимизацией использования доступных площадей для размещения дополнительного оборудования.

По оценкам аналитиков, в следующем году спрос на DRAM (включая HBM) вырастет на 18%. Из-за этого SK hynix ускоряет план по увеличению объемов выпуска этих микросхем, который изначально предполагал прирост с 70 000 до 100 000 ежемесячно обрабатываемых кремниевых пластин. Более того, некоторые источники ожидают, что на предприятиях SK hynix по производству NAND будет произведено перевооружение, позволяющее выделить часть мощностей под выпуск DRAM. Шестое поколение 10-нм техпроцесса также сыграет в этой экспансии определенную роль.

biz.chosun.com
Павлик Александр   

Samsung начала тестирование памяти GDDR7 со скоростью 36 Гбит/с и емкостью 3 ГБ

Samsung начала испытания своей самой быстрой памяти GDDR7, работающей на скорости 36 Гбит/с. С емкостью 24 Гбит/с на чип это обеспечивает общую емкость 3 ГБ на модуль, готовую для следующего поколения видеокарт.

Южнокорейская компания также производит 3-гигабайтные модули со скоростью 28,0 Гбит/с и уже запустила их в массовое производство. Это первое подтверждение массового производства 3-гигабайтных модулей, которые являются редкостью.

Также проходят испытания модули GDDR7 среднего класса с пропускной способностью 28 Гбит/с. Более быстрые модули с пропускной способностью 32 и 36 Гбит/с, вероятно, будут использоваться в профессиональных картах, таких как линейка Pro-Viz от NVIDIA.

Например, графический процессор NVIDIA RTX PRO 6000 "Blackwell" уже содержит модули на 3 ГБ. Недавно NVIDIA обновила графический процессор RTX PRO 5000 "Blackwell", увеличив его объем памяти до 72 ГБ GDDR7 ECC вместо 48 ГБ. Это обновление также использует 24 модуля, что подтверждает емкость 3 ГБ на модуль.

Это важно для NVIDIA, поскольку компания, как сообщается, еще не предоставила партнерам окончательные спецификации карт RTX 50 SUPER. По состоянию на ноябрь ни один партнер не получил деталей дизайна, что может свидетельствовать об ожидании окончательного выбора модулей GDDR7. Изначально NVIDIA планировала обновление в середине жизненного цикла на конец первого – начало второго квартала 2026 года. Ранее предполагалось, что три новые модели, вероятно RTX 5070 SUPER, RTX 5070 Ti SUPER и RTX 5080 SUPER, заменят существующие, причем все три карты будут иметь на 50% больше памяти, чем их аналоги без SUPER.

techpowerup.com
Павлик Александр

Китайская CXMT представила память DDR5-8000 и LPDDR5X-10667

Китайская CXMT (Changxin Memory Technologies) продемонстрировала свои первые модули памяти DDR5-8000 и LPDDR5X-10667 на Китайской международной выставке полупроводников 2025 года. Эта продукция соответствует предложениям мировых производителей памяти.

Память DDR5 от CXMT работает со скоростью 8000 МТ/с, в то время как память LPDDR5X достигает 10 667 МТ/с.

Эти модули памяти доступны в емкостях LPDDR5X 12 Гбит/с и 16 Гбит/с. Модули DDR5 масштабируются до форматов 16 Гбит/с и 24 Гбит/с. Позже они упаковываются в различные форм-факторы для корпоративных серверов (RDIMM, MRDIMM, TFF MRDIMM), настольных компьютеров (UDIMM), ноутбуков (SODIMM) и высококачественных разгонных устройств (CUDIMM и CSODIMM).

В январе 2025 года были идентифицированы новые 16-нм микросхемы DRAM от CXMT в модулях Gloway DDR-6000 UDIMM. Эти 16-гигабитные микросхемы DDR5 имеют площадь 67 квадратных миллиметров и плотность 0,239 Гбит/с на квадратный миллиметр. Ячейки DRAM G4 на 20 процентов меньше, чем у предыдущего поколения G3 от CXMT. Эта разработка является результатом перехода компании от 23-нм (G1) к 18-нм (G2) узлам. Однако, несмотря на этот прогресс, CXMT по-прежнему примерно на три года отстает от Samsung, SK Hynix и Micron в производственных возможностях, поэтому не ожидайте, что глобальный дефицит DRAM будет решен в ближайшее время.

techpowerup.com
Павлик Александр    

Samsung перераспределяет производство NAND на DRAM на корейских заводах

Samsung готовит значительные изменения в своей производственной стратегии памяти. Это решение обусловлено постоянным ростом спроса на DRAM, который стимулируется развитием глобальной инфраструктуры искусственного интеллекта.

Согласно корейским отраслевым отчетам, компания планирует перевести часть своих линий флеш-памяти NAND в Пхёнтхэке и Хвасоне на производство DRAM. Кроме того, ее будущая фабрика Pyeongtaek Fab 4 (P4) будет запущена как линия, исключительно ориентированная на DRAM, используя новейший процесс 1c от Samsung.

Источники в отрасли отмечают, что Samsung стала осторожна в отношении рынка NAND, в то время как спрос на стандартную DRAM резко возрос. Цены быстро растут; некоторые серверные клиенты предлагают на 70% более высокие цены за модули DDR5 объемом 96 ГБ и 128 ГБ, но все еще испытывают дефицит поставок. Крупные технологические компании ожидают, что дефицит продлится годами, и уже ведут переговоры о распределении DRAM на 2027 год.

В настоящее время Samsung производит как DRAM, так и NAND на заводах Pyeongtaek Fab 1, Pyeongtaek Fab 3 и в своем кампусе Хвасон. Гибридные линии на заводах P1 и Хвасон будут больше ориентированы на DRAM, поскольку оборудование NAND будет постепенно выводиться из эксплуатации. Fab 4, которая сейчас находится на завершающей стадии строительства, в следующем году стартует как специализированная линия 1c DRAM. Samsung также рассматривает возможность использования второй зоны P4, первоначально запланированной для литейного производства, также для DRAM. После внесения изменений ожидается, что производство DRAM на заводах P1 и Fab 4 значительно возрастет уже в первой половине следующего года. Сокращение производства NAND в Корее будет компенсировано увеличением производства на заводе Samsung в Сиане, Китай.

techpowerup.com
Павлик Александр

Samsung повысила цены на чипы памяти до 60% из-за ограниченного предложения

По сообщениям, Samsung повысила цены на несколько модулей памяти DDR5 на величину до 60% в этом месяце. Этот резкий рост происходит на фоне сокращения предложения, вызванного глобальным бумом строительства центров обработки данных с ИИ.

Повышение цен произошло после необычного шага Samsung по отсрочке октябрьского контрактного ценообразования, которое компания обычно устанавливает ежемесячно. Резкий рост цен на DDR5 серверного класса создает дополнительное давление на производителей оригинального оборудования (OEM), которые уже испытывают дефицит комплектующих.

Президент Fusion Worldwide Тоби Гоннерман сообщил Reuters, что многие крупные производители серверов «теперь признают, что они не получат достаточно продукции», а премиальные цены достигли «экстремального» уровня.

Недавнее контрактное ценообразование демонстрирует, как быстро росли расходы. Например, цена на модуль DDR5 от Samsung на 32 ГБ выросла со 149 долларов США в сентябре до 239 долларов в ноябре. Компания также повысила цены на модули DDR5 на 16 ГБ и 128 ГБ примерно на 50%, до 135 долларов и 1194 долларов соответственно. Цены на модули на 64 ГБ и 96 ГБ выросли более чем на 30%, сообщили источники.

Этот дефицит вызвал панические покупки у некоторых клиентов и нарушает спрос на другие полупроводниковые компоненты. Международная корпорация по производству полупроводников (SMIC) заявила, что плотный рынок DDR5 вынудил покупателей воздерживаться от заказов на дополнительные типы чипов, тогда как Xiaomi предупредила, что рост цен на память приводит к увеличению производственных расходов смартфонов.

Текущий дефицит превращается в значительное преимущество для Samsung. Хотя компания все еще отстает от конкурентов в сфере передовых процессоров искусственного интеллекта, ее подразделение памяти теперь обладает более сильным ценовым рычагом, чем SK Hynix и Micron. TrendForce ожидает, что контрактные цены Samsung вырастут на 40-50% в четвертом квартале, что выше прогнозируемого роста примерно на 30% для более широкого рынка, благодаря высокому спросу и долгосрочным соглашениям о поставках, действующим до 2026 и 2027 годов.

techpowerup.com
Павлик Александр    

Память Patriot Viper Xtreme 5 DDR5 достигает рекорда скорости 13 211 МТ/с

Patriot Memory объявила о значительном достижении своей флагманской памяти Viper Xtreme 5 DDR5 DRAM, которая официально установила новый мировой рекорд частоты памяти, впервые в истории преодолев барьер в 13 200 МТ/с.

Профессиональный оверклокер Ai Max в сотрудничестве с экспертом по настройке Брайаном, также известным как "Chew", достиг подтвержденной скорости 6605,7 МГц (13 211,4 МТ/с). Для установления рекорда были использованы память Patriot Viper Xtreme 5 DDR5, процессор Intel Core Ultra 7 265K и материнская плата GIGABYTE Z890 AORUS Tachyon Ice в условиях охлаждения жидким азотом. Этот балл теперь занимает первое место в мире на HWBOT.org, что подчеркивает инженерный опыт Patriot и ее неустанное стремление расширять границы производительности.

Эта веха закрепляет за Viper Xtreme 5 статус самой быстрой памяти DDR5 в мире, демонстрируя непревзойденную целостность сигнала, стабильность и возможности на экстремальных частотах. Каждый компонент серии Xtreme 5 — от компоновки печатной платы до биннинга микросхем — был разработан для обеспечения элитной производительности разгона как для энтузиастов-спортсменов, так и для профессионалов.

Лес Генри, вице-президент по продажам Patriot Memory, прокомментировал: «Побитие мирового рекорда частоты памяти – это монументальный подвиг, который подтверждает неустанную философию инженерии и дизайна, лежащую в основе серии Viper Xtreme 5. Эта веха – не просто число, это доказательство нашей приверженности высокой производительности».

Память серии Patriot Viper Xtreme 5 DDR5 уже доступна в широком диапазоне скоростей и емкостей через авторизованных дистрибьюторов и ведущих интернет-магазинов по всему миру.

techpowerup.com
Павлик Александр