SK hynix начнет производство памяти DDR5 в этом году

Компания SK hynix поделилась интересной информацией касательно памяти DDR5, и ее преимуществ над DDR4. Она будет более производительной, емкой, энергоэффективной и дешевой. Для достижения этого есть все предпосылки.

Во-первых, DDR5 сможет использовать структуру с 32 банками, созданную на базе восьми групп. Это в 2 раза превышает возможности DDR4 (максимум 16 банков на базе четырех групп), что позволяет удвоить скорость доступа к данным.

Во-вторых, длина пакетов (Burst Length, BL) в DDR5 увеличивается с 8 до 16. В-третьих, память DDR4 не может выполнять другие операции во время обновления таймингов, а DDR5 может благодаря функции Same Bank Refresh. В-четвертых, стандарт DDR5 увеличивает скорость на контакт за счет интеграции микросхемы Decision Feedback Equalization (DFE), которая повышает целостность сигнала при работе с большим количеством каналов и модулей DIMM.

Список преимуществ и особенностей микросхем DDR5 компании SK hynix можно продолжить следующими позициями:

• снижение рабочего напряжения с 1,2 до 1,1 В;
• использование в самих микросхемах алгоритмов Error Correction Code (ECC) и Error Check And Scrub (ECS);
• увеличение пропускной способности с 1600 – 3200 Мбит/с (DDR4) до 3200 – 8400 Мбит/с (DDR5);
• увеличение емкости самих микросхем с максимум 16 Гбит (DDR4) до 64 Гбит (DDR5).

Согласно анализу компании International Data Corporation (IDC), спрос на память DDR5 начнет расти начиная с 2020 года. До конца 2021 года этот стандарт займет 22% рынка, а в 2022 его доля вырастет до 43%. SK hynix планирует защищать свои лидерские позиции, и поначалу предложит покупателям 16-гигабитные чипы DDR5, созданные на базе 10-нм технологии. Позже появятся и другие варианты по объему и скорости.

https://www.techpowerup.com
https://news.skhynix.com
Сергей Будиловский

DDR5 появится со скоростью 4800 МТ/с

Компания Cadence вряд ли известна многим пользователям. Она не имеет своих фабрик и не представлена на массовом рынке. Cadence сконцентрировала свою деятельность в сфере разработки продуктов интеллектуальной собственности (IP), дизайна микросхем и инструментов для верификации.

В официальном блоге эксперт компании Cadence сообщил новые подробности о памяти DDR5. Изначальная ее скорость составит 4800 МТ/s (мегатранзакции в секунду). Это даже больше, чем у представленного в 2018 году образца модуля стандарта DDR5-4400 (4400 MT/s), подготовленного совместными усилиями Cadence и Micron. Затем в течение 12 месяцев мы увидим еще более производительные решения.

Однако главная цель DDR5 заключается не в скорости, а в объеме. Новый стандарт предполагает использование более емких ядер памяти. Изначальный их объем составит 24 Гбит, а позже он увеличится до 32 Гбит. Это позволит создавать модули общим объемом 256 ГБ, с задержкой доступа к каждому байту ниже 100 нс. Речь идет об очень емких и быстрых планках с низкими задержками.

Компания Cadence получила множество заказов на свои 7-нм IP. Их производство начнется в этому году. То есть уже с этого года стандарт DDR5 начнет покорят рынок.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Серии ОЗУ TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z и DARK Z получили 32-гигабайтные модули

Компания TEAMGROUP порадовала требовательных пользователей анонсом 32-гигабайтных модулей в игровых сериях T-FORCE VULCAN Z и T-FORCE DARK Z. Они будут доступны в качестве отдельных планок и в составе двухканальных наборов общим объемом 64 ГБ.

Серия TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z предлагает их с тактовой частотой DDR4-2666 и DDR4-3000. А в серии TEAMGROUP T-FORCE DARK Z 32-гигабайтные комплекты доступны исключительно с частотой DDR4-3000. В обоих случаях модули памяти получили алюминиевые радиаторы и профиль O.C. для быстрого и комфортного разгона. В процессе производства они проходят суровое и тщательное тестирование на надежность работы и совместимость с популярными платформами AMD и Intel.

Сводная таблица технической спецификации оперативной памяти серий TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z и DARK Z:

https://www.teamgroupinc.com
Сергей Будиловский

Новый 256-гигабайтный комплект G.SKILL Trident Z Neo DDR4-3600 для платформы Socket sTRX4

Компания G.SKILL с гордостью представила новый набор оперативной памяти в серии Trident Z Neo DDR4 общим объемом 256 ГБ (8 х 32 ГБ), частотой DDR4-3600, таймингами 16-20-20 и рабочим напряжением 1,35 В. В первую очередь он предназначен для платформы Socket sTRX4, а для тестирования использовалась материнская плата ASUS ROG ZENITH II EXTREME ALPHA и топовый процессор AMD Ryzen Threadripper 3990X.

Каждый модуль в составе этого комплекта создан на базе отборных 16-гигабитных микросхем памяти. За их эффективное охлаждение отвечает стильный алюминиевый радиатор с красочной LED-подсветкой, которую можно синхронизировать с популярными технологиями (ASUS Aura Sync, ASRock Polychrome Sync, GIGABYTE RGB Fusion 2.0, MSI Mystic Light Sync). Правда, он увеличивает высоту модулей, поэтому перед покупкой следует убедиться в отсутствии проблем с совместимостью с габаритными воздушными кулерами.

В продажу новый комплект G.SKILL Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 256 GB (32 GB x8) поступит во втором квартале текущего года. Стоимость не сообщается.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Micron начала поставки первой в мире памяти LPDDR5 для высокопроизводительных смартфонов

Компания Micron Technology, Inc. с гордостью сообщила о начале поставок первой в мире памяти LPDDR5 для высокопроизводительного смартфона Xiaomi Mi 10. Она увеличивает скорость доступа к данным на 50% и улучшает энергоэффективность на 20% по сравнению со стандартом LPDDR4x. Кроме того, новая память нацелена и в другие сегменты, включая автомобильную промышленность, клиентские PC и сетевые системы для 5G и AI.

В данный момент Micron поставляет своим клиентам память LPDDR5 объемом 6, 8 и 12 ГБ со скоростью 5,5 и 6,4 Гбит/с. До конца первой половины текущего года она интегрирует новые микросхемы в мультичиповый пакет uMCP5 для использования в смартфонах среднего и высокого класса. Благодаря этому повышается пропускная способность памяти и снижается нагрузка на аккумулятор. В итоге производительность отдельных задач (например, обработка изображений) повышается до уровня флагманских смартфонов.

https://www.techpowerup.com
https://www.micron.com
Сергей Будиловский

64-гигабайтный комплект ОЗУ GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200 с низкопрофильным радиатором

Серия DESIGNARE компании GIGABYTE ранее встречалась в материнских платах, ориентированных на творческих людей и создателей контента. Теперь компания порадовала новым 64-гигабайтным (2 х 32 ГБ) набором оперативной памяти – GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200.

Модули получили черный текстолит, высококачественную печатную плату и низкопрофильный серебристый алюминиевый радиатор. Общая высота модулей составляет стандартные 32 мм, поэтому они будут совместимы с большинством габаритных систем охлаждения.

По умолчанию GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200 работает в режиме DDR4-2666 с таймингами 19-19-19-43 (Intel) или 20-19-19-43 (AMD). Но в XMP-профиле есть режим DDR4-3200 с повышением напряжения до 1,35 В. В спецификации на официальном сайте его тайминги составляют 16-18-18-38, но на странице поддержки указаны 18-19-19-39.

Стоимость и дата начала продаж пока не сообщаются. Сводная таблица технической спецификации комплекта GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200:

https://www.gigabyte.com
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

G.SKILL анонсировала 32-гигабайтные модули с ультранизкими таймингами

Вскоре серии G.SKILL Trident Z RGB, Trident Z Royal и Trident Z Neo пополнятся новыми многоканальными наборами общим объемом 256 ГБ (8 х 32 ГБ), 128 ГБ (4 х 32 ГБ) и 64 ГБ (2 х 32 ГБ). Во всех случаях используются 32-гигабайтные модули стандарта DDR4-3200 с ультранизкими таймингами CL14-18-18-38. Сами они созданы на основе 16-гигабитных микросхем памяти.

256-гигабайтные комплекты от G.SKILL нацелены на HEDT-платформы Intel Core X 10-ого поколения (Cascade Lake-X) и AMD Ryzen Threadripper 3000. В свою очередь 128- и 64-гигабайтные наборы серии G.SKILL Trident Z Neo отлично впишутся в состав топовых сборок на AMD X570 (Socket AM4).

Все доступные новинки поддерживают технологию Intel XMP 2.0 для более удобного разгона и будут доступны в продаже в первом квартале 2020 года.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Цены на оперативную память могут вырасти во втором квартале 2020 года

Аналитическое подразделение DRAMeXchange компании TrendForce сообщила о смене тенденции на рынке оперативной памяти – спотовые цены начали восстанавливаться и цены по контрактам на первый квартал 2020 года прекратили свое падение.

Сейчас ситуация такая: пять кварталов подряд на рынке сохранялся переизбыток памяти, что вело к падению цен. По прогнозам он полностью исчезнет не ранее середины 2020 года. Поэтому в сегменте оперативной памяти для ПК и мобильном рынке в первом квартале 2020 года особых изменений не будет. Цены даже могут немного упасть. А вот на рынке серверной памяти цены пойдут вверх. Вначале повысятся контрактные цены, а затем и розничные. Во втором квартале эта тенденция может затронуть рынок ПК и мобильных устройств.

https://press.trendforce.com
Сергей Будиловский