Компьютерные новости
Оперативная память
В ближайшие два года на рынке появятся чипы памяти GDDR7 емкостью 4 ГБ и 6 ГБ
Производители памяти готовят к выпуску микросхемы стандарта GDDR7 объемом 4 ГБ и 6 ГБ, которые существенно расширят возможности конфигурации видеопамяти в будущих поколениях видеокарт.
Сейчас в массовых устройствах используются преимущественно чипы на 2 ГБ, тогда как чипы на 3 ГБ применяются лишь в некоторых специфических решениях.
Появление микросхем емкостью 4 ГБ позволит создавать графические адаптеры с 16 ГБ видеобуфера при использовании всего четырех чипов на 128-битной шине, а восемь таких чипов обеспечат 32 ГБ памяти на 256-битной шине. В свою очередь, чипы на 6 ГБ найдут применение в производительных и профессиональных решениях, позволяя набрать больший объем памяти с меньшим количеством микросхем на плате.
videocardz.com
Павлик Александр
Samsung передает производство памяти DDR5 сторонним подрядчикам ради чипов HBM
Samsung решила передать выпуск готовых модулей оперативной памяти DDR5 сторонним партнерам, чтобы освободить собственные фабричные площади и ресурсы.
Компания переориентирует свои заводы в Чхонане и Онъяне на выпуск более сложной и значительно более прибыльной памяти HBM и других передовых компонентов для систем ИИ.
Из-за нехватки свободных мест для расширения традиционного конвейера памяти на собственных предприятиях, изготовление готовых модулей DDR5 полностью перекладывается на плечи профильных азиатских подрядчиков.
В число главных партнеров вошли несколько компаний: Dreamtech уже организовала массовый выпуск таких модулей на заводах в Индии, Hanyang Digitech занимается производством памяти во Вьетнаме, а SFA Semicon задействовала для этого мощности на Филиппинах.
Постоянная ссылка на новостьIntel и SK Hynix могут начать производство оперативной памяти DRAM в США
Intel и южнокорейский гигант SK Hynix рассматривают возможность создания совместного предприятия для локализации производства оперативной памяти на территории США.
В рамках потенциального сотрудничества SK Hynix планирует арендовать или приобрести производственные мощности Intel в штате Нью-Мексико, где ранее выпускалась энергонезависимая память 3D XPoint.
Главной целью партнерства станет развертывание производственных линий для выпуска памяти стандарта DDR5, а также высокоскоростных микросхем HBM, необходимых для ускорителей ИИ. Помимо этого, SK Hynix рассматривает использование фабрики Intel Fab 42 в Аризоне для завершающих этапов тестирования и упаковки полупроводниковых кристаллов.
Запуск собственного выпуска DRAM в Северной Америке позволит обоим партнерам существенно снизить зависимость от азиатских производственных площадок и воспользоваться финансовыми субсидиями в рамках американской государственной программы поддержки полупроводниковой отрасли.
Рекомендованные объемы инвестиций и детальные сроки реализации проекта партнеры объявят после завершения официальных переговоров.
hardwareluxx.de
Павлик Александр
Patriot и ASUS ROG представили комплект оперативной памяти Viper Steel 5 Infinite RGB DDR5-7600
Patriot Memory в сотрудничестве с геймерским брендом ASUS Republic of Gamers разработала специальное издание оперативной памяти Viper Steel 5 Infinite RGB DDR5-7600.
Комплект разработан для энтузиастов и оверклокеров, стремящихся получить максимальную производительность на современных материнских платах ASUS ROG.
Модули получили массивные алюминиевые радиаторы с уникальным дизайном в стиле ROG, зеркальным покрытием и встроенной подсветкой Infinite RGB, поддерживающей полную синхронизацию с экосистемой ASUS Aura Sync. Память функционирует на эффективной частоте 7600 МТ/с с таймингами CL36 и поддерживает профили автоматического разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO для быстрой настройки в BIOS.
Для обеспечения стабильной работы при высоких нагрузках применена 10-слойная печатная плата и отобранные вручную чипы памяти. Новинка будет поставляться в виде двухканальных комплектов общим объемом 32 ГБ (2 x 16 ГБ) и 64 ГБ (2 x 32 ГБ).
Рекомендованную стоимость и сроки выхода комплекта Viper Steel 5 Infinite RGB в продажу разработчик объявит в ближайшее время.
Постоянная ссылка на новостьKepler Computing разрабатывает сегнетоэлектрическую память для преодоления дефицита памяти
Американский стартап Kepler Computing вышел из режима секретности и объявил о разработке принципиально нового типа памяти на основе сегнетоэлектрических материалов.
Технология позиционируется как альтернатива HBM для систем искусственного интеллекта, способная приблизиться к пропускной способности на ватт уровня SRAM и при этом превысить емкость SRAM и HBM до десяти раз. Главным преимуществом проекта является отсутствие потребности в передовом EUV-литографическом оборудовании.
Производство новых микросхем планируется развернуть путем модернизации уже существующих фабрик, выпускающих кремний по 28-нм техпроцессу. Переоснащение предприятий займет около восьми месяцев, что значительно дешевле и быстрее по сравнению со строительством новых линий для проливов DRAM или HBM. На реализацию этой инициативы стартап уже привлек 468 миллионов долларов США инвестиций.
Первые тестовые образцы чипов Kepler рассчитывает выпустить уже в этом году, а массовое производство на мощностях GlobalFoundries в Сингапуре стартует в 2027 году. К 2028 году компания планирует расширить выпуск на территории США. Если технология подтвердит свою эффективность, это поможет снизить нагрузку на рынок традиционной оперативной памяти и смягчить глобальный дефицит.
overclock3d.net
Павлик Александр
G.Skill выпустила флагманскую оперативную память Trident Z5 Royal NeoX с поддержкой AMD EXPO-ULL
G.Skill анонсировала новую флагманскую серию оперативной памяти Trident Z5 Royal NeoX DDR5, оптимизированную для платформы AMD.
Ключевой особенностью новинки стала поддержка профилей разгона AMD EXPO Ultra Low Latency, которые оптимизируют не только первичные, но и вторичные и третичные задержки для достижения минимальной латентности.
Серия представлена комплектами стандартного объема 32 ГБ (2×16 ГБ) с частотой DDR5-6000. В зависимости от модификации задержки составляют от CL36 до экстремально низких CL26. Внешне модули сохранили узнаваемый дизайн Royal с зеркальным золотистым или серебристым радиатором и кристаллической светодиодной полосой RGB.
techpowerup.com
Павлик Александр
SK hynix увеличивает производство передовой 1c DRAM
SK hynix активно переводит свои фабрики на новейший техпроцесс 1c DRAM.
Благодаря быстрым темпам модернизации уже до конца года доля новой памяти в производстве превысит треть. Это позволит обогнать главных конкурентов в лице Samsung и Micron, которые на данный момент удерживают лидерство по объемам выпуска этого поколения.
Новая технология обеспечивает более высокую плотность и улучшенную энергоэффективность. Она станет основой для выпуска оперативной памяти следующего поколения, включая HBM4E для систем искусственного интеллекта, а также LPDDR6 и DDR5.
В будущем, из-за физических ограничений классических микросхем, планируется переход на вертикальные транзисторы и объемную компоновку 3D DRAM.
techpowerup.com
Павлик Александр
CXMT удвоит мощности по выпуску памяти, но догнать Samsung и SK Hynix ей не удастся
Крупнейший китайский производитель DRAM, компания CXMT, планирует к 2028 году удвоить свои производственные мощности с 300 тысяч до 600 тысяч кремниевых пластин в месяц.
Для финансирования расширения компания провела IPO на почти 10 миллиардов долларов США. В этот же период Samsung Electronics и SK Hynix суммарно добавят еще около 600 тысяч пластин в месяц, что лишь увеличит отрыв Южной Кореи.
По данным Bank of Korea, номинальные цифры не отражают реального положения дел из-за низкого выхода годных чипов и санкционных ограничений США на поставку оборудования. Имея около 15% от мировых производственных мощностей, CXMT обеспечивает лишь 8% фактических поставок DRAM, ориентируясь преимущественно на внутренний рынок.
В сегменте передовых технологий Южная Корея сохранит преимущество, хотя в долгосрочной перспективе укрепление китайской цепочки поставок будет оказывать давление на рынок.
techpowerup.com
Павлик Александр
Показать еще
