Компьютерные новости

Lexar представила сверхбыстрые SSD NM990 NVMe M.2 PCIe 5.0

Lexar анонсировала новую серию SSD NM990 NVMe M.2, разработанную для поддержки соединений PCIe 5.0 x4. Эти накопители, доступные в стандартном размере M.2 2280, представлены в трёх вариантах ёмкости: 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ. Серия NM990 ориентирована на пользователей, которым требуется быстрое и надёжное хранилище для таких ресурсоёмких задач, как создание контента, игры и профессиональные приложения.

Накопители NM990 используют 8-канальный контроллер NAND InnoGrit IG5666, который обеспечивает впечатляющие скорости.

Пиковая скорость последовательного чтения достигает 14 000 МБ/с. Скорость записи зависит от ёмкости модели: 1 ТБ модель может достигать 7500 МБ/с, 2 ТБ — до 10 000 МБ/с, а 4 ТБ — до 11 000 МБ/с. Количество случайных операций ввода/вывода в секунду (IOPS) также впечатляет: до 2 миллионов IOPS чтения и 1,5 миллиона IOPS записи у более крупных моделей. Такие показатели производительности обеспечивают быструю передачу файлов и эффективную обработку сложных рабочих нагрузок.

Для поддержания стабильной производительности во время интенсивного использования Lexar оснастила накопители графитовой наклейкой для рассеивания тепла и технологией Thermal Defender. Эти функции помогают снизить накопление тепла и предотвратить троттлинг, который мог бы замедлить работу устройства. Размеры накопителей составляют 22 мм в ширину, 80 мм в длину и 2,45 мм в толщину, а вес — около 6 граммов. Они рассчитаны на работу в диапазоне температур от 0 до 70 градусов Цельсия.

Что касается долговечности, то среднее время наработки на отказ (MTBF) NM990 составляет 1,5 миллиона часов. Выносливость (TBW) оценивается в 750 ТБ для модели на 1 ТБ, 1500 ТБ для 2 ТБ и 3000 ТБ для 4 ТБ. Lexar предоставляет пятилетнюю гарантию на эти накопители, подтверждая их качество и надёжность.

guru3d.com
Павлик Александр

PNY представила быстрый флеш-накопитель DUO LINK V3 USB 3.2 Gen 2

PNY расширяет свою линейку OTG-флеш-накопителей, анонсировав модель DUO LINK V3 USB 3.2 Gen 2 Type-C и Type-A. Этот высокопроизводительный накопитель, сочетающий большой объём памяти с элегантным матово-чёрным поворотным дизайном, идеально подходит для профессионалов и активных пользователей, которым требуется максимальная универсальность и скорость.

DUO LINK V3 разработан с использованием новейшей технологии USB 3.2 Gen 2, обеспечивая чрезвычайные скорости: до 1000 МБ/с для чтения и до 800 МБ/с для записи. Это делает его до 50 раз быстрее, чем стандартные флеш-накопители USB 2.0, позволяя мгновенно передавать большие файлы. Это идеальное решение для продвинутых пользователей и самых требовательных приложений.

С ёмкостью до 2 ТБ, DUO LINK V3 предоставляет достаточно места для хранения разнообразного контента, включая профессиональную графику, видео, музыку и игровые файлы. Накопитель изготовлен из высококачественных компонентов, имеет прочный и элегантный металлический корпус с удобной петлёй для ключей, что обеспечивает долговечность и лёгкость переноски, гарантируя безопасность ваших данных.

Благодаря интеллектуальному поворотному дизайну с разъёмами Type-A и Type-C, DUO LINK V3 обеспечивает максимальную совместимость с широким спектром устройств. Это позволяет беспрепятственно передавать файлы с мобильных устройств Type-C на полноразмерные устройства Type-A, такие, как ноутбуки и настольные компьютеры, для постоянного хранения. DUO LINK V3 является удобным решением для тех, кто постоянно работает в дороге, предлагая удобство без компромиссов.

Технические характеристики и цены

Флеш-накопитель PNY DUO LINK V3 предлагается в ёмкостях 256 ГБ, 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. Он оснащён двумя интерфейсами: USB 3.2 Gen 2 Type-C и USB 3.2 Gen 2 Type-A. Заявленная скорость чтения составляет до 1000 МБ/с, а скорость записи – до 800 МБ/с, что делает его до 265 раз быстрее стандартного USB 2.0. Устройство совместимо с мобильными устройствами Android и Apple с интерфейсом Type-C, компьютерами Type-C, а также другими полноразмерными устройствами USB-A. Он поддерживает USB 3.2 Gen 2 и обратно совместим с большинством хост-устройств USB 3.2 Gen 1/USB 3.0 и USB 2.0.

Флеш-накопители PNY DUO LINK V3 OTG уже доступны по рекомендованным розничным ценам:

• 256 ГБ: 34,99 долларов США
• 512 ГБ: 49,99 долларов США
• 1 ТБ: 81,99 долларов США
• 2 ТБ: 159,99 долларов США

Приобрести их можно на сайте PNY.com или Amazon.com.

techpowerup.com
Павлик Александр

Kioxia представила планы по ультрапроизводительному SSD на 10+ миллионов IOPS

Kioxia объявила свою средне- и долгосрочную стратегию роста, значительную часть которой занимает разработка передовых SSD-технологий для увеличения доли рынка.

Самый амбициозный проект компании – это прорывной твердотельный накопитель, который объединит их память XL-FLASH с абсолютно новой архитектурой контроллера.

"Мы берём наши сверхбыстрые чипы памяти XL-Flash, которые используют одноуровневые ячейки, и сочетаем их с совершенно новым контроллером", — пояснил представитель компании. "Эта комбинация должна обеспечить нам беспрецедентную производительность для небольших операций с данными. Мы нацелены на более чем 10 миллионов IOPS и планируем получить образцы готовыми ко второй половине 2026 года".

Компания также тесно сотрудничает с ведущими производителями графических процессоров для оптимизации производительности в приложениях с искусственным интеллектом и интенсивной графикой.

Текущие разработки и будущие планы

Тем временем, Kioxia активно выпускает своё текущее поколение SSD, построенных на технологии BiCS FLASH 8-го поколения. Серия CM9 ориентирована на системы искусственного интеллекта, которым нужны как высокая скорость, так и надёжная стабильность для максимального использования дорогих графических процессоров. С другой стороны, серия LC9 сосредоточена на огромной ёмкости хранения, достигая 122 терабайт на накопитель для таких задач, как крупномасштабные базы данных, питающие системы вывода ИИ.

Сама технология BiCS FLASH 8-го поколения представляет собой значительный шаг вперёд, интегрируя технологию CBA для достижения лучшей скорости и энергоэффективности, чем предыдущие поколения. Kioxia наращивает производство этих чипов, которые используются как в высокопроизводительных SSD, так и в смартфонах с поддержкой ИИ.

Заглядывая вперёд, компания применяет два подхода к разработке будущей флеш-памяти. Один путь сосредоточен на традиционном методе наращивания большего количества слоёв для создания более высокой ёмкости и производительности, что приведёт к таким продуктам, как BiCS FLASH 10-го поколения. Другой путь акцентирует внимание на BiCS FLASH 9-го поколения, который максимально использует преимущества технологии CBA, сочетая проверенные конструкции ячеек с передовой технологией CMOS, непосредственно связанной с массивом, обеспечивая высокую производительность при сохранении контролируемых затрат на разработку.

techpowerup.com
Павлик Александр

Реинкарнация Optane: InnoGrit показала SSD на чипах 3D XL-Flash с рекордной скоростью 3,5 млн IOPS

На выставке Computex 2025 компания InnoGrit представила твердотельный накопитель N3X, который позиционируется как преемник технологии Intel Optane. Этот SSD, оснащённый контроллером InnoGrit Tacoma IG5669 и вторым поколением постоянной памяти XL-Flash, работающей в режиме SLC, впечатляет рекордно низкими задержками и высокой производительностью, достигая 3,5 млн IOPS.

Накопитель InnoGrit N3X предназначен для корпоративных рабочих нагрузок, чувствительных к задержкам памяти и требующих максимальной надёжности. Контроллер IG5669 соответствует протоколу NVMe 2.0 и поддерживает интерфейс PCIe 5.0 x4. N3X обеспечивает постоянную скорость последовательного чтения до 14 Гбайт/с и постоянную скорость записи до 12 Гбайт/с. Однако настоящей звездой является производительность в операциях случайного чтения до 3,5 млн IOPS и случайной записи на уровне 700 тыс. IOPS.

Ключевой особенностью InnoGrit N3X, выделяющей его на фоне обычных и даже других корпоративных SSD, является рекордно низкий уровень задержки. Задержка при чтении составляет менее 13 мкс, что значительно лучше по сравнению с обычными SSD на чипах 3D TLC NAND, где задержка составляет порядка 50–100 мкс. Задержка при записи у новинки составляет всего 4 мкс (против 200–400 мкс у 3D TLC NAND).

Эти показатели делают InnoGrit N3X особенно полезным для таких применений, как кэширование, вычисления для ИИ, вычисления в оперативной памяти и аналитика в реальном времени, где каждая микросекунда имеет значение.

Накопитель InnoGrit N3X предлагает объёмы от 400 Гбайт до 3,2 Тбайт (в конфигурациях от 32 до 256 микросхем памяти). Рейтинг долговечности также впечатляет: 50 DWPD (полных циклов перезаписи в день) в течение 5 лет. Это значительно превышает стандартные уровни долговечности корпоративных твердотельных накопителей на базе NAND, делая его идеальным для задач с интенсивным использованием записи, таких как кэширование, а также передача данных, где долговечность и стабильная производительность имеют решающее значение.

InnoGrit считает, что её партнёры могли бы создавать SSD на базе чипов памяти XL-Flash и контроллера IG5669 в форм-факторах U.2 или E3.S для серверов, а также в форматах карт расширения для настольных рабочих станций и высокопроизводительных ПК.

XL-Flash от Kioxia — это высокопроизводительная технология NAND, разработанная для преодоления разрыва в задержках между DRAM и обычной флеш-памятью. Это делает её жизнеспособным решением в качестве постоянной памяти для корпоративных задач, где требуется память с высокой отзывчивостью, сопоставимой с DRAM. Во втором поколении XL-Flash компания Kioxia удвоила плотность за счёт использования архитектуры MLC (многоуровневая ячейка), позволившей увеличить ёмкость кристалла памяти со 128 Гбит до 256 Гбит. Однако InnoGrit считает, что такую память имеет смысл использовать в конфигурации SLC для ещё более высокой производительности, поскольку в конечном итоге именно это больше всего нужно пользователям подобных накопителей.

Изначально Kioxia позиционировала XL-Flash как конкурента снятой с производства памяти Optane от Intel. Теперь можно с уверенностью сказать, что XL-Flash действительно приходит на смену Optane, предлагая передовые возможности для требовательных корпоративных сред.

tomshardware.com
Павлик Александр

Samsung прекращает производство MLC NAND

Samsung, один из лидеров рынка флеш-памяти, прекращает производство MLC NAND (Multi-Level Cell) и сосредоточится на более современных технологиях хранения данных с более высокой плотностью. Это решение обусловлено экономическим давлением и желанием повысить эффективность производства, так как доля MLC NAND на рынке значительно уменьшилась.

Флеш-память MLC, которая хранит два бита информации на ячейку, ранее считалась хорошим компромиссом между долговечностью и объемом. Однако сейчас она стала нишевым продуктом. По прогнозам, к 2026 году доля MLC NAND составит лишь несколько процентов на рынке. Большая часть рынка теперь занята трехуровневой (TLC) и четырехуровневой (QLC) флеш-памятью, которые могут хранить три или четыре бита на ячейку соответственно, что делает их более экономически выгодными в производстве.

В настоящее время Samsung использует свои чипы MLC NAND преимущественно в модулях памяти eMMC, которые находят применение в промышленности и автомобильной отрасли. Там более высокая долговечность MLC является важным преимуществом. Подобные модули также использовались в OLED-телевизорах LG.

Тем не менее из-за прекращения производства, клиентам, полагающимся на MLC, вскоре придется искать альтернативы. Samsung будет принимать заказы на чипы MLC только до конца июня 2025 года. Когда именно начнется окончательное прекращение производства, пока неизвестно.

Сообщается, что Samsung уже некоторое время назад информировала некоторых своих клиентов о повышении цен на MLC NAND. Это побудило крупных заказчиков, таких как LG Display, искать новых поставщиков. Помимо Samsung, на рынке MLC NAND присутствуют такие компании, как ESMT и Kioxia. Kioxia использует собственные чипы MLC в своих продуктах eMMC, тогда как ESMT ранее полагалась на MLC NAND от Samsung.

Решение Samsung выйти из бизнеса MLC не стало неожиданностью, поскольку сообщения о таких планах появлялись еще в ноябре 2024 года. Этот шаг позволяет компании полностью сосредоточиться на современных решениях для хранения данных, которые обеспечивают более низкую стоимость за бит и лучшую масштабируемость.

hardwareluxx.de                                                                       
Павлик Александр

Patriot Memory представила новые SSD-накопители Viper, включая PV593 и PV563 без DRAM

Patriot Memory продемонстрировала несколько новых SSD на выставке Computex 2025 в Тайбэе. Среди них — Viper Gaming PV593, PV563 DRAM-less PCIe Gen 5 SSD и будущий PV573.

Модель PV563 позиционируется как один из первых DRAM-less PCIe Gen 5 x4 SSD и, вероятно, первый в мире DRAM-less SSD, достигающий производительности чтения до 14 000 МБ/с. По данным Patriot, PV563 достигает последовательной производительности до 14 000 МБ/с для чтения и 11 500 МБ/с для записи. Patriot PV563 будет доступен емкостью 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ и будет использовать контроллер MAP1806 от Maxiotek. С такой производительностью и тем фактом, что в нем нет кэша DRAM, это может сделать его одним из самых быстрых и доступных SSD-накопителей на рынке на момент его запуска.

Patriot PV593 — это версия более высокого класса с кэшем DRAM. Она использует 6-нм контроллер SMI SM2508, а также будет доступна в версиях емкостью 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ. PV593 имеет такую же производительность последовательного чтения до 14 000 МБ/с, но гораздо более высокую производительность записи — до 13 000 МБ/с. Производительность случайного чтения 4K составляет до 2 000 тысяч IOPS.

Patriot также планирует выпустить SSD PV573, который, по заявлениям, будет находиться в промежуточном положении по производительности между этими двумя моделями. Более подробные сведения о PV573 пока не разглашаются.

techpowerup.com
Павлик Александр

Kioxia продемонстрировала прототип SSD-накопителя Gen 5 со скоростью более 14 ГБ/с

На выставке Computex 2025 компания Kioxia активно демонстрировала свои новейшие разработки в области твердотельных накопителей, ориентированные как на потребительский, так и на корпоративный сегменты. Было представлено несколько решений, охватывающих различные поколения интерфейсов PCIe и форм-факторы.

Прототип Exceria PRO G2 M.2 NVMe Gen 5

В центре внимания стенда Kioxia находился прототип SSD-накопителя Exceria PRO G2 M.2 NVMe следующего поколения, предназначенный для энтузиастов ПК. Этот накопитель, находящийся на стадии разработки, использует интерфейс PCI-Express Gen 5. Особым отличием стала заявленная последовательная скорость чтения более 14 ГБ/с, что выводит его на один уровень с самыми производительными SSD Gen 5 на рынке. Такая высокая скорость передачи данных критически важна для ресурсоёмких задач, таких как загрузка больших игр, работа с 4K/8K видео и обработка объемных файлов. Накопитель планируется выпускать в емкостях 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ, удовлетворяя потребности пользователей в большом и быстром хранилище.

Корпоративные решения CM9

Помимо потребительских моделей, Kioxia также представила свою линейку корпоративных накопителей CM9. Эти SSD разработаны для требовательных рабочих нагрузок в дата-центрах и серверах. Они были показаны в форм-факторах U.2 NVMe Gen 5 x4 и E3.S, которые являются ключевыми для современных серверных инфраструктур, предлагая высокую плотность хранения данных и эффективное охлаждение. Корпоративные накопители CM9 обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для бесперебойной работы критически важных систем.

Exceria Gen 4 NVMe для PlayStation 5

Особое место в демонстрации Kioxia занял SSD-накопитель Exceria Gen 4 NVMe, специально разработанный для консоли PlayStation 5. Этот накопитель предлагает последовательную скорость до 6,2 ГБ/с, что полностью соответствует требованиям Sony к расширению памяти консоли. Кроме того, он оснащен встроенным радиатором, что крайне важно для обеспечения оптимального температурного режима внутри компактного корпуса PS5 и предотвращения термического тротлинга во время длительных игровых сессий. Это решение позволяет геймерам легко расширить внутреннее хранилище консоли, сохраняя при этом скорость загрузки игр и плавность игрового процесса.

techpowerup.com
Павлик Александр

Silicon Motion представила скоростной контроллер SSD без DRAM

На выставке Computex 2025 компания Silicon Motion продемонстрировала свои новейшие продукты для контроллеров SSD и флеш-накопителей.

Главным событием стал новый SM2504XT, клиентский контроллер SSD NVMe без DRAM. Он построен по 6-нм технологическому процессу TSMC, потребляет всего 2,4 Вт в активном режиме и 1 мВт в режиме ожидания. Контроллер имеет 4 канала флеш-памяти с 16 элементами управления, каждый со скоростью передачи данных до 3600 МТ/с. Он поддерживает типы флеш-памяти NAND 3D TLC и 3D QLC от популярных поставщиков.

Был показан референсный SSD на базе SM2504XT, который предлагает максимальную скорость последовательного чтения 11,5 ГБ/с и максимальную скорость последовательной записи 11 ГБ/с. Также он демонстрирует до 1,7 миллиона случайных операций IOPS при 4K-чтении и до 2 миллионов случайных операций IOPS при 4K-записи.

Далее идет контроллер SSD-накопителей корпоративного класса SM8366. Он разработан для хост-интерфейса PCI-Express Gen 5 x4 в популярных форм-факторах, таких как U.2, E1.S и E3.S, включая некоторые накопители сверхвысокой емкости. Демонстрационный накопитель, представленный на стенде Silicon Motion, имел компоненты флеш-памяти NAND, расположенные на двух печатных платах, соединенных между собой ленточным кабелем. Контроллер включает кэш-память DRAM и защиту от потери питания на основе конденсаторов. Этот контроллер демонстрировал последовательную скорость чтения 14710 МБ/с с QD128 и последовательную запись 3444 МБ/с с QD128, а также 3 миллиона IOPS при случайном чтении 4K с QD512.

techpowerup.com
Павлик Александр