Компьютерные новости

KIOXIA готовит доступные SSD-накопители Exceria G3 M.2 с QLC NAND и PCIe 5.0

Компания KIOXIA представляет новое решение для хранения данных — серию Exceria G3 SSD. Это линейка накопителей M.2 PCIe NVMe, которая сочетает скорость PCIe 5.0 с памятью QLC NAND, предлагая более доступные варианты быстрого хранения.

Выпуск этих накопителей M.2 2280 запланирован на четвертый квартал 2025 года, они будут доступны емкостью 1 ТБ и 2 ТБ. Они обещают последовательную скорость чтения до 10 000 МБ/с и скорость записи, достигающую 9 600 МБ/с для более крупной модели. Интегрируя новейший стандарт интерфейса с памятью BiCS FLASH QLC восьмого поколения, KIOXIA стремится привлечь пользователей, желающих обновить свои старые накопители SATA и PCIe 3.0, не переходя к более дорогому уровню TLC NAND.

Несмотря на использование QLC памяти, 2-терабайтный G3 демонстрирует впечатляющую производительность:

• Случайные IOPS: 1,6 миллиона операций чтения и 1,45 миллиона операций записи в секунду.
• Выносливость: 1200 TBW (TeraBytes Written), что сопоставимо со многими современными предложениями на базе TLC. Модель на 1 ТБ имеет показатель 600 TBW.

Вариант на 1 ТБ также впечатляет, со скоростью чтения 10 000 МБ/с и скоростью записи 8 900 МБ/с. Хотя цена пока неизвестна, главное преимущество этих накопителей заключается в доступности высокоскоростного интерфейса PCIe 5.0.

techpowerup.com
Павлик Александр   

Samsung может прекратить производство SATA SSD из-за дефицита NAND

Сообщается, что Samsung рассматривает возможность остановки своих производственных линий потребительских SSD-накопителей SATA III из-за растущего дефицита флеш-памяти NAND в цепочке поставок.

Эта потенциальная остановка обсуждается отраслевыми инсайдерами, поскольку большая часть NAND-флеш-памяти сейчас распределяется между клиентами центров обработки данных, оставляя ограниченные поставки для потребительского рынка с низкой маржой.

Это решение, вероятно, повлияет только на обычные SSD-накопители SATA III, но не затронет популярные накопители Samsung M.2 PCIe NVMe. Кроме того, есть сообщения о том, что Samsung переоборудует свои производственные линии NAND в Пхёнтэке и Хвасоне, чтобы сосредоточиться на производстве DRAM. Ожидается, что будущий завод Pyeongtaek Fab 4 (P4) также будет работать как предприятие только по производству DRAM.

Предыдущие отраслевые источники предполагают, что Samsung становится осторожной в отношении рынка NAND, в то время как спрос на стандартную DRAM резко возрос. Этот сдвиг делает флеш-память NAND менее привлекательным сегментом, что приводит к замедлению всей цепочки поставок из-за истощения запасов. Спрос на инфраструктуру искусственного интеллекта быстро исчерпал запасы по всей цепочке поставок, и флеш-память NAND не является исключением. Быстрое расширение инфраструктуры ИИ привело к дефициту, который может продлиться годы.

В качестве примера, было отмечено, что цена на 1 терабитную TLC NAND-память выросла с 4,80 долл. США в июле 2025 года до 10,70 долл. США в ноябре 2025 года, что означает рост более чем на 100% менее чем за шесть месяцев. Цены на другие типы флеш-памяти NAND, такие, как MLC и QLC, также выросли более чем, вдвое.

techpowerup.com
Павлик Александр     

KIOXIA представила новую серию SSD-накопителей Exceria PRO G2

KIOXIA анонсировала выпуск EXCERIA PRO G2 — нового флагмана производительности в своем портфолио персональных SSD-накопителей EXCERIA.

Этот накопитель, разработанный для энтузиастов, требующих лучшего, обеспечивает невероятную скорость PCIe 5.0, подкрепленную высокопроизводительной флеш-памятью BiCS FLASH TLC 3D.

Ключевые характеристики и производительность:

• Скорость чтения: до 14 900 МБ/с.
• Скорость записи: до 13 700 МБ/с.
• Технология: Усовершенствованная 3D-флеш-память BiCS FLASH TLC и высокопроизводительный механизм.
• Форм-фактор и емкость: M.2 2280, доступен емкостью до 4 ТБ.

Эта огромная пропускная способность в сочетании с исключительной производительностью случайного чтения/записи идеально подходит для мгновенной загрузки игр, бесперебойного редактирования видео 8K и профессиональных систем создания контента.

Серия EXCERIA PRO G2 возглавляет линейку персональных SSD-накопителей KIOXIA, дополняя другие модели: EXCERIA BASIC (PCIe 4.0), сбалансированную EXCERIA G3 (PCIe 5.0) и обычную серию EXCERIA PLUS G4 (PCIe 5.0).

Серия SSD EXCERIA PRO G2 будет доступна в четвертом квартале 2025 года.

techpowerup.com
Павлик Александр     

SK Hynix замедляет разработку HBM4, сосредоточившись на 300-слойной NAND Flash

Южнокорейская производительница микросхем памяти SK Hynix вносит коррективы в свои производственные планы, стратегически перераспределяя ресурсы.

В частности, компания решила замедлить график наращивания производства памяти HBM4 (High Bandwidth Memory четвертого поколения), которая является критически важным компонентом для высокопроизводительных вычислений и ускорителей искусственного интеллекта.

Это решение, вероятно, связано с необходимостью оптимизации исследовательских усилий и повышением приоритета других развивающихся сегментов рынка.

В то же время, SK Hynix ускоряет разработку и производство передовой памяти NAND Flash, объявив о намерении представить 300-слойные чипы NAND. Это значительное достижение в области вертикального масштабирования, которое позволит компании предложить рынку накопители с более высокой плотностью хранения данных и, вероятно, улучшенной энергоэффективностью.

Этот стратегический сдвиг отражает стремление компании балансировать между двумя ключевыми, но различными, направлениями: рынком высокоскоростной оперативной памяти HBM (где доминирует спрос на ИИ) и рынком массового хранения данных NAND Flash.

techpowerup.com
Павлик Александр

Micron выходит из потребительского бизнеса Crucial, фокусируясь на ИИ и ЦОД

Micron объявила о стратегическом выходе из своего потребительского бизнеса Crucial, что означает полное прекращение розничных продаж SSD-накопителей и модулей памяти под этим брендом в крупных магазинах и онлайн-ритейлерах. 

Это решение является стратегическим: компания перераспределяет производственные мощности в пользу быстрорастущих и более прибыльных сегментов, а именно — памяти для систем искусственного интеллекта (ИИ) и центров обработки данных (ЦОД). Micron утверждает, что ее стратегический фокус теперь сосредоточен на гипермасштабируемых клиентах.

Поставки продукции Crucial в потребительский канал продлятся только до февраля 2026 года, после чего бренд Crucial в рознице исчезнет. Однако, Micron подтвердила, что гарантийное покрытие и клиентская поддержка для уже проданной продукции останутся в силе.

Crucial, известная своими SSD серий MX и P и линейкой модулей DRAM, постепенно выводится из розничной продажи. Важно подчеркнуть, что Micron продолжит продавать корпоративные SSD и память под своим основным брендом через коммерческие каналы. Компания также намерена ограничить потери рабочей силы, перераспределяя пострадавших сотрудников на открытые внутренние должности. Этот шаг Micron происходит на фоне заключения крупных контрактов на HBM3E с NVIDIA и AMD и ожидаемого представления образцов HBM4 в следующем году.

techpowerup.com
Павлик Александр

Эпоха дешевых SSD подходит к концу: дефицит NAND-памяти усиливается, а производители не наращивают выпуск

Аналитики и источники на рынке утверждают, что дефицит флеш-памяти NAND усиливается, что сигнализирует о завершении эпохи дешевых твердотельных накопителей (SSD). Цены на SSD продолжают расти, поскольку ключевые производители памяти не торопятся наращивать объемы производства.

Решение не увеличивать выпуск NAND-памяти является стратегическим шагом производителей, стремящихся восстановить прибыльность после длительного периода низких цен. Вместо того чтобы вкладывать средства в расширение мощностей для NAND, крупные игроки рынка, такие как Samsung и Micron, переориентируют ресурсы на производство более прибыльной DRAM и HBM-памяти, необходимой для систем ИИ. Это создает напряжение в поставках и усиливает дефицит.

Усиление дефицита флеш-памяти приводит к удорожанию SSD-накопителей. Поскольку производители не планируют в ближайшее время наращивать объемы выпуска, ожидается, что цены на SSD продолжат расти в течение следующих кварталов.

fudzilla.com
Павлик Александр    

Samsung выпустила обновленный портативный SSD T7 Resurrected

Samsung объявила о выпуске обновленного внешнего накопителя — портативного твердотельного накопителя T7 Resurrected.

Новый PSSD обеспечивает высокоскоростные возможности хранения данных и отличается ответственным подходом к использованию материалов.

Он демонстрирует уникальный дизайн корпуса, изготовленного из 100% переработанного алюминия, сертифицированного TÜV Rheinland. Этот алюминий получают как отходы от производства мобильных устройств Samsung Galaxy. Благодаря отсутствию процесса окрашивания продукт демонстрирует естественный блеск алюминия и минимизирует использование химикатов. Упаковка также экологична: используется 100% переработанная бумага и соевые чернила. Благодаря этим усилиям T7 Resurrected получил награду CES Innovation Award 2026 в категории «Устойчивое развитие и энергетика».

T7 Resurrected обеспечивает максимальную скорость последовательного чтения до 1050 МБ/с и скорость записи до 1000 МБ/с по стандарту USB 3.2 Gen 2. Новый компактный PSSD, размером примерно с кредитную карту, идеально подходит для мобильной видеозаписи и редактирования 4K-видео. Он совместим с широким спектром устройств, включая смартфоны, планшеты, игровые консоли. Накопитель надежно защищает данные благодаря 256-битному аппаратному шифрованию AES и устойчивости к падениям с высоты до двух метров.

Портативный SSD Samsung T7 Resurrected будет доступен по всему миру с 30 ноября 2025 года в трех моделях емкостью 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ. Рекомендованные розничные цены: 119,99 долл. США за 1 ТБ, 205,99 долл. США за 2 ТБ и 378,99 долл. США за 4 ТБ.

techpowerup.com
Павлик Александр   

Samsung разработала флеш-память будущего: сверхплотную и на крохах энергии

Samsung совместно с австралийскими коллегами разработала NAND-флеш память нового поколения, которая объединяет затворы из сегнетоэлектриков и каналы из оксидных полупроводников. Эта разработка, предлагающая сверхвысокую плотность и низкое энергопотребление, была представлена в свежей публикации в журнале Nature.

Современная NAND-флеш память обладает высоким энергопотреблением из-за необходимости больших напряжений 15–20 В для операций записи и стирания. Новая архитектура радикально решает эту проблему: вместо традиционных плавающих затворов используются сегнетоэлектрические полевые транзисторы (FeFET) с диэлектриком из легированного цирконием оксида гафния (HfZrO) и каналом из оксидного полупроводника (например, IGZO). Это позволило снизить рабочее напряжение до сверхнизких значений 4–6 В, что значительно уменьшило энергопотребление.

Разработка продемонстрировала поддержку многоуровневого хранения данных до 5 бит на ячейку (32 уровня напряжения/заряда), сохранение данных более 10 лет и выносливость свыше 10⁵ циклов. Энергопотребление при операции записи/стирания в строке оказалось на 96% ниже, чем у классической 3D NAND. Технология полностью совместима с существующими CMOS-процессами, допускает вертикальную 3D-компоновку слоев и имеет длину канала 25 нм без ухудшения параметров.

Эта память откроет путь к созданию нового поколения надежной и энергоэффективной памяти, идеально подходящей для мобильных устройств, носимой электроники, Интернета вещей, а также для энергоэффективных дата-центров и систем искусственного интеллекта.

techpowerup.com
Павлик Александр