Компьютерные новости

Готовьтесь к скоростям DDR5 свыше 9000 МТ/с с Intel Z890 и "Arrow Lake"

Предстоящие настольные процессоры Intel Core Ultra 200 "Arrow Lake-S" откроют новую волну комплектов памяти для разгона, так как ожидается, что архитектура будет поддерживать еще более высокие скорости памяти по сравнению с текущими процессорами 14-го поколения. На странице продукта материнской платы ASRock Z890 перечислены максимальные скорости памяти для различных конфигураций DIMM. Наиболее подходящая для разгона конфигурация — один однорядный DIMM на канал — по данным ASRock поддерживает DDR5-9200+ (OC). Самые быстрые комплекты памяти DDR5 OC на рынке достигают скоростей DDR5-8600, а летом JEDEC объявила о стандартизации высокочастотных конфигураций DDR5, таких как DDR5-8800. Для достижения таких высоких частот DIMM должен иметь драйвер тактовой частоты.

Те, кто ищет высокоемкие конфигурации памяти, могут порадоваться. Для двух однорядных DIMM на канал или одного двурядного DIMM на канал на странице продукта материнской платы указана скорость разгона DDR5-6800+. Это станет отличной новостью для тех, кто хочет использовать большие объемы памяти, такие как 96 ГБ или 128 ГБ, используя двурядные DIMM с достаточно высокой скоростью. Даже самая плотная конфигурация памяти — два двурядных DIMM на канал — поддерживает максимальную скорость разгона DDR5-5800+. Это позволит пользователям приблизиться к максимальной емкости платформы, например, 256 ГБ при использовании четырех 64 ГБ двурядных DIMM или 192 ГБ при использовании четырех 48 ГБ DIMM, но на гораздо более высоких скоростях, чем способны текущие платформы.

techpowerup.com
Павлик Александр

ADATA представила новый модуль памяти XPG LANCER NEON RGB DDR5

Мировой лидер в области модулей памяти и флеш-памяти — игровой бренд XPG от ADATA Technology, быстро развивающийся поставщик систем, компонентов и периферии для геймеров, профессионалов киберспорта и техноэнтузиастов, сегодня объявил о запуске игрового модуля памяти LANCER NEON RGB DDR5. LANCER NEON RGB использует эксклюзивное покрытие печатной платы для рассеивания тепла, что значительно увеличивает площадь рассеивания тепла, улучшает эффективность рассеивания тепла и уменьшает нагрев памяти при работе на высоких тактовых частотах. Наслаждайтесь экстремальным разгоном, сохраняя высокую производительность и никогда не идите на компромисс в скорости.

Одновременно LANCER NEON RGB обладает освещенной зоной RGB 60% и использует экологически чистые процессы внутри и снаружи, включая радиатор из переработанного пластика PCR, технологию IMR (In-Mold Roller) и сертифицированную FSC упаковку. Внешняя коробка, изготовленная из устойчивой бумаги FSC, в сочетании с внутренним лотком из 30% экологически чистого пластика PCR полностью соответствует идеалам защиты окружающей среды и сокращения выбросов углерода.

Эксклюзивное покрытие печатной платы для рассеивания тепла улучшает эффективность рассеивания тепла на 10%

Игровой модуль памяти LANCER NEON RGB DDR5 использует эксклюзивное покрытие печатной платы для рассеивания тепла, которое обеспечивает первоклассную стабильность рассеивания тепла и тепловое излучение. Оптимизированный слой маски для рассеивания тепла не только изолирует, но и обладает превосходными характеристиками рассеивания и проводимости тепла, одновременно охлаждаясь путем излучения тепла. Это покрытие для рассеивания тепла значительно увеличивает площадь рассеивания тепла по сравнению с традиционными радиаторами для разгона памяти, улучшая эффективность рассеивания тепла и уменьшая нагрев памяти при работе на высоких тактовых частотах. Модуль памяти LANCER NEON RGB с этим решением для охлаждения работает в среднем на 8,5°C ниже, чем стандартная память с разгоном, улучшая эффективность рассеивания тепла до 10%. Наслаждайтесь экстремальным разгоном, сохраняя высокую производительность и никогда не идите на компромисс в скорости. Кроме того, это покрытие делает ненужным отдельный радиатор памяти, расширяя возможности для геймеров и оверклоккеров в плане эстетики игры.

Экологически чистый внутри и снаружи и ведущая в отрасли 60% RGB-подсветка

Новый модуль памяти LANCER NEON RGB DDR5 обладает ведущей в отрасли 60% RGB-подсветкой радиатора. Кроме того, его производственный процесс и производственные материалы основываются на устойчивых концепциях ESG. Являясь первым модулем памяти DDR5 RGB для игр на рынке, произведенным по экологически чистым процессам, LANCER NEON RGB использует радиатор, изготовленный из 50% переработанного пластика PCR, что снижает выбросы углерода продукта на 72,5%. Кроме того, поверхность радиатора украшена технологией IMR, которая является экологически чистой и не производит отходов газов в соответствии с правилами ЕС. Более того, упаковка LANCER NEON RGB также является экологически чистой и сокращает выбросы углерода. Внешняя коробка изготовлена из устойчивой бумаги FSC, а внутренний лоток изготовлен из 30% экологически чистого пластика PCR в стремлении реализовать защиту окружающей среды и сокращение выбросов углерода внутри и снаружи.

Эволюция дизайна LANCER

LANCER NEON RGB DDR5 игровой модуль памяти наследует треугольную геометрическую языковую конструкцию семейства XPG LANCER, одновременно воплощая дух "GAME TO THE XTREME". Дизайн модуля развился от плоского треугольного рисунка до формованных трехмерных пирамид. Будь то подсвеченный или нет, LANCER NEON RGB излучает сдержанный стиль в сочетании с чувством изысканной точности. Когда подсвечивается RGB-эффектами, многоугольная алмазная поверхность радиатора фокусирует и преломляет цвета в великолепном визуальном зрелище. Кроме того, LANCER NEON RGB поддерживает Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, гарантируя, что модуль сохраняет стабильность при достижении экстремальной производительности, позволяя геймерам наслаждаться плавным ощущением скорости. Всего пять тактовых частот 6000, 6400, 6800, 7200 и 8000 МТ/с будут доступны при запуске в двух емкостях 16 ГБ и 24 ГБ, упакованных в наборы с одним/двумя модулями памяти.

techpowerup.com
Павлик Александр

SK hynix разрабатывает первую в отрасли память 1c (класс 10 нм) DDR5

 Компания SK hynix сегодня объявила о разработке первой в отрасли памяти DDR5 объемом 16 Гбит, построенной с использованием своего узла 1c, шестого поколения 10-нм процесса. Этот успех знаменует собой начало экстремального масштабирования до уровня, более близкого к 10 нм, в технологии производства памяти. Степень сложности процесса уменьшения технологического узла DRAM до 10 нм росла с каждым поколением, но SK hynix стала первой в отрасли, кто преодолел технологические ограничения, повысив уровень зрелости дизайна благодаря своей технологии 1b, пятому поколению 10-нм процесса. 

SK hynix заявила, что будет готова к массовому производству 1c DDR5 в течение года, чтобы начать массовые поставки в следующем году. Для того чтобы уменьшить потенциальные ошибки, связанные с процедурой продвижения процесса, и передать преимущества 1b, которая широко признана за лучшую производительность DRAM, наиболее эффективным способом, компания расширила платформу 1b DRAM для разработки 1c. Новый продукт обладает улучшенной конкурентоспособностью по сравнению с предыдущим поколением благодаря применению нового материала в определенном процессе экстремального ультрафиолетового излучения или EUV, одновременно оптимизируя общий процесс применения EUV. SK hynix также повысила производительность более чем на 30% благодаря технологическим инновациям в дизайне. Операционная скорость 1c DDR5, которая, как ожидается, будет использоваться для высокопроизводительных центров обработки данных, улучшена на 11% по сравнению с предыдущим поколением до 8 Гбит/с. Благодаря повышению энергоэффективности более чем на 9%, SK hynix ожидает, что внедрение 1c DRAM поможет центрам обработки данных снизить затраты на электроэнергию на 30% в то время, когда развитие эры искусственного интеллекта приводит к увеличению энергопотребления.

«Мы стремимся предоставлять дифференцированные ценности клиентам, применяя технологию 1c, оснащенную лучшей производительностью и конкурентоспособностью по цене, к нашим основным продуктам следующего поколения, включая HBM, LPDDR6 и GDDR7»,- сказал руководитель отдела разработки DRAM Ким Джонхван. «Мы продолжим работать над сохранением лидерства в отрасли DRAM и позиции поставщика решений для памяти искусственного интеллекта, которому больше всего доверяют».

techpowerup.com
Павлик Александр

COLORFUL представляет память iGame DDR5 Loong Edition

Компания Colorful Technology Company Limited, ведущий бренд компонентов для игровых компьютеров, игровых ноутбуков и Hi-Fi аудиопродуктов, запускает оперативную память iGame DDR5 Loong Edition в честь празднования Года Дракона. Память iGame DDR5 Loong Edition дополняет графические карты и материнскую плату iGame Loong Edition, которые были выпущены в начале этого года.

iGame DDR5 Loong Edition, созданная для дополнения видеокарт и материнской платы Loong Edition, украшена традиционными китайскими декоративными узорами, такими как «Xiangyun» (благоприятные облака) и «Yufeng» (легкий ветерок). Память iGame DDR5 Loong Edition имеет многослойную световую полосу RGB на элегантном радиаторе. Вершиной изысканного дизайна является золотая табличка с именем и узором, символизирующим Год Дракона. Память оснащена высоким радиатором из алюминиевого сплава, который обеспечивает отличное рассеивание тепла.

Память COLORFUL iGame DDR5 Loong Edition оснащена высокопроизводительными чипами Hynix A-die, предназначенными для разгона. Компоненты PMIC и матрица покрыты термосиликоновым гелем для улучшенного охлаждения, что повышает общие возможности охлаждения и разгона памяти.

Память Loong Edition доступна в трёх комплектах:

• Комплект 32 ГБ (2x16 ГБ) 6800 МТ/с CL32-45-45-108 1,4 В;
• Комплект 32 ГБ (2x16 ГБ) 7200 МТ/с CL32-44-44-115 1,45 В;
• Комплект 48 ГБ (2x24 ГБ) 6800 МТ/с CL34-46-46-108 1,35 В.

techpowerup.com
Павлик Александр

SK Hynix готовит масштабное повышение цен на DRAM, DDR5 подорожает до 20%

Корейский гигант SK Hynix планирует повысить цены на чипы DDR5-DRAM до 20%, следуя за другими производителями. Сообщения о повышении цен на чипы DRAM уже некоторое время циркулируют в интернете, и вскоре потребительский сегмент может ощутить последствия этих масштабных изменений. По данным Taiwan Economic Daily, из-за того, что компании сосредоточены на удовлетворении спроса на HBM на рынках искусственного интеллекта, производство DRAM пострадало. Стало известно, что SK Hynix планирует поднять цены на DDR5 на 15-20% в попытке увеличить прибыль и воспользоваться ситуацией.

SK Hynix планирует использовать 20% своих производственных линий DRAM для HBM, в то время как Samsung объявила, что зарезервирует 30% производства DRAM для высокоскоростной памяти HBM, которая пользуется высоким спросом. Поскольку гиганты отрасли стремятся сократить поставки DRAM, вопрос лишь во времени, когда это приведет к значительному росту цен на память. Как сообщалось ранее, потребители могут ожидать роста цен на DDR5 в среднем до 50% в ближайшие недели или месяцы.

Если вы планируете приобрести модули памяти DDR5, сейчас может быть лучшее время для покупки, учитывая, что цены на DDR5 могут существенно вырасти с дебютом процессоров следующего поколения, таких как Ryzen 9000 от AMD и чипов Arrow Lake от Intel. С ростом спроса в середине года это может привести к дефициту предложения, если ситуация продолжит развиваться таким же образом.

wccftech
Павлик Александр

G.SKILL анонсировала память DDR5-6400 CL30 с низкими задержками

G.SKILL International Enterprise Co., Ltd., ведущий мировой бренд производительной памяти и компонентов для ПК, выпустила спецификацию оперативной памяти с ультранизкой задержкой DDR5-6400 CL30-39-39-102 в комплекте объёмом 32 ГБ (2x16 ГБ). Эта высокопроизводительная спецификация будет доступна в сериях Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal с поддержкой профиля разгона Intel XMP 3.0, а также в сериях Trident Z5 Neo RGB и Trident Z5 Royal Neo с поддержкой профиля разгона AMD EXPO.

Пределы задержки DDR5-6400

 Команда разработчиков G.SKILL стремится к максимальному увеличению производительности памяти, и низкая задержка является ключевым фактором в разгоне памяти для энтузиастов и оверклокеров. По сравнению со стандартной DDR5-4800 CL40, новая спецификация DDR5-6400 CL30 улучшает скорость и задержку памяти. Однако, поскольку это спецификация для высокой производительности, важно проверить совместимость материнской платы и процессора.

Поддержка профилей разгона и доступность

Новая спецификация поставляется с поддержкой Intel XMP 3.0 в сериях Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal, а также AMD EXPO (Extended Profile for Overclocking) в сериях Trident Z5 Neo RGB и Trident Z5 Royal Neo для простого разгона памяти через BIOS материнской платы. Эти комплекты памяти будут доступны через мировых дистрибьюторов G.SKILL с конца августа 2024 года.

G.SKILL
Павлик Александр

Доходы от флеш-памяти NAND и DRAM «существенно» вырастут в 2024 году благодаря ИИ

Ожидается, что доход от DRAM и NAND Flash в этом году «значительно вырастет» до 90,7 и 67,4 миллиарда долларов соответственно.

Когда мы говорим о буме искусственного интеллекта, мы часто думаем о графических процессорах, процессорах для дата-центров и продуктах таких компаний, как NVIDIA. Особенно NVIDIA, чьи H100 и будущие графические процессоры Blackwell B200 и суперчипы являются центром генеративного движения ИИ, что позволило доходам от GPU, связанных с искусственным интеллектом, сделать NVIDIA одной из крупнейших компаний в мире.

Однако искусственный интеллект - это не только тензорные ядра и высококачественные кремниевые процессоры от Team Green; высокоскоростная память и хранилища также являются важными компонентами для создания массивных дата-центров и суперкомпьютеров, которые обучают сложные модели, такие как недавняя Llama 3.1 от Meta.

Поэтому неудивительно, что в этом году ожидается «значительное увеличение» доходов отрасли DRAM и NAND Flash. Согласно анализу рынка и отчетности, доходы от DRAM и NAND Flash в 2024 году, включая память и хранилища, вырастут на 75% и 77% соответственно.

С финансовой точки зрения прогнозируется, что доход от DRAM достигнет 90,7 миллиарда долларов в 2024 году и снова вырастет на 51% в 2025 году до 136,5 миллиарда долларов. Это частично связано с спросом на память высокой пропускной способности (HBM), повышением цен на DRAM и развитием более сложных (читай: дорогих) продуктов DRAM, таких как память DDR5. Например, хотя прогнозируется, что HBM составит 5% от общего объема поставок в этом году, на нее будет приходиться 20% всех доходов.

Доходы от NAND Flash охватывают SSD, которые, как ожидается, принесут 67,4 миллиарда долларов в 2024 году и 87 миллиардов долларов в 2025 году. Это будет достигнуто за счет корпоративных SSD QLC, используемых в серверах, рабочих станциях и дата-центрах с искусственным интеллектом. Конечно, другие области за пределами искусственного интеллекта также будут способствовать росту флеш-памяти NAND, одним из которых являются планы Apple внедрить хранилища QLC в свои iPhone к 2026 году.

tweaktown.com
Павлик Александр

SK Hynix запускает массовое производство памяти GDDR7 в 4 квартале 2024 года

Компания SK hynix подтвердила, что массовое производство памяти GDDR7 начнется намного раньше, чем предполагалось. Ранее Anandtech сообщал, что представитель компании заявил, что серийное производство GDDR7 начнется не ранее 1 квартала 2025 года. Однако компания быстро отреагировала на эти заявления и подтвердила, что массовое производство начнется раньше, в 4 квартале 2024 года.

Кажется, эти слухи побудили инженеров SK hynix ускорить производство игровой памяти следующего поколения. Согласно последнему пресс-релизу, массовое производство начнется в третьем квартале 2024 года.

«Разработка GDDR7 в марте произошла на фоне растущего интереса глобальных клиентов к пространству искусственного интеллекта в продукте DRAM, который соответствует как специализированной производительности для обработки графики, так и высокой скорости. Компания заявила, что начнет массовое производство в третьем квартале.»  

— SK hynix

Компания подтвердила, что память GDDR7 будет иметь скорость до 32 Гбит/с, что на 60% быстрее, чем у текущего поколения (GDDR6). SK hynix привела пример, заявив, что графические процессоры следующего поколения могут достигать пропускной способности до 1,5 ТБ/с (через 384-битную шину). Кроме того, также ожидается появление чипов со скоростью 40 Гбит/с, но понятно, что эти скорости не будут доступны в ближайшее время. На самом деле, по слухам, GeForce RTX 50, единственная серия видеокарт, которая на данный момент будет использовать GDDR7, будет работать на скорости 28 Гбит/с в своем первом поколении.

Память нового поколения GDDR7 от SK hynix также обеспечит улучшенную энергоэффективность более чем на 50% и будет использовать новую технологию упаковки. Благодаря увеличению количества слоев в теплорассеивающих подложках с четырех до шести и снижению теплового сопротивления на 74%, они улучшили производительность. Также стоит отметить, что размер модуля GDDR7 не изменился по сравнению с GDDR6.

videocardz.com
Павлик Александр