Поиск по сайту

up

Компьютерные новости

Накопители

Новые карты памяти Transcend microSDXC 330S и 350V High Endurance

Модельный ряд карт памяти компании Transcend пополнился двумя новинками: Transcend microSDXC 330S и Transcend microSDXC 350V High Endurance. Первая отлично подходит для смартфонов, планшетов, фотоаппаратов, портативных игровых приставок, экшн-камер и дронов. Вторая предназначена для устройств с высокой интенсивностью операций записи, например, для автомобильных видеорегистраторов, камер слежения и IP-камер.

Transcend microSDXC 330S

Transcend microSDXC 330S создана на базе памяти 3D NAND общим объемом 64 или 128 ГБ. Она соответствует классам скоростных характеристик A2, V30 и UHS-I U3. Максимальная последовательная скорость чтения достигает 100 МБ/с, а записи – 85 МБ/с. Скорость чтения произвольных блоков находится на уровне 4000 IOPS, а записи – 2000 IOPS.

Transcend microSDXC 350V High Endurance

Transcend microSDXC 350V High Endurance создана на базе более долговечной памяти 3D NAND MLC общим объемом 64 или 128 ГБ. Их выносливость (TBW) составляет 85 и 170 ТБ соответственно. К тому же радуют показатели производительности: скорость последовательного чтения данных достигает 100 МБ/с, а записи – 45 МБ/с, что соответствует классам UHS-I U1 и Class 10. Именно благодаря комбинации выносливости и скорости эта карта отлично подходит для систем с высокой интенсивностью записи данных.

Transcend microSDXC 350V High Endurance

Вместе с новинками можно использовать фирменное ПО RecoveRx для восстановления случайно удаленных данных. Карта Transcend microSDXC 330S поступит в продажу с 5-летней ограниченной гарантией, а Transcend microSDXC 350V High Endurance – с 2-летней. Их ценники пока не сообщаются.

https://www.transcend-info.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Samsung начала массовое производство 512-гигабайтных микросхем eUFS 3.0

В данный момент флагманские смартфоны используют накопители формата embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1. Но компания Samsung уже приготовила им замену в виде eUFS 3.0. Для справки: Samsung представила первые накопители eUFS 2.0 в январе 2015 года. Они были в 1,4 раза быстрее eMMC 5.1. В 2017 году появились чипы eUFS 2.1, а теперь пришла очередь eUFS 3.0.

Samsung eUFS 3

Первыми появятся 512-гигабайтные микросхемы eUFS 3.0. В компактном форм-факторе стековой структуры расположились восемь ядер V-NAND пятого поколения объемом по 512 Гбит и высокопроизводительный контроллер.

Максимальная скорость последовательной передачи данных в 512-гигабайтных чипах eUFS 3.0 достигает 2100 МБ/с, а записи – 410 МБ/с. Для сравнения: в микросхеме eUFS 2.1 аналогичного объема эти же показатели составляли 860 и 255 МБ/с соответственно. При произвольном чтении и записи данных скорости новинки достигают 63 000 и 68 000 IOPS (42 000 и 40 000 IOPS у eUFS 2.1).

Samsung eUFS 3

Уже в этом месяце Samsung выпустит 512- и 128-гигабайтные накопители eUFS 3.0. Во второй половине 2019 года на рынок поступят варианты объемом 1 ТБ и 256 ГБ. Их стоимости не сообщаются.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

SD Express повысит скорость передачи данных до 985 МБ/с

SD Association анонсировала карты памяти SD Express и microSD Express. С одной стороны, они сочетают интерфейсы PCI Express 3.1 и NVMe 1.3, чтобы повысить скорость передачи данных до 985 МБ/с. С другой – полностью совместимы с устаревшими интерфейсами SD и microSD, но в таком случае скоростные показатели будут гораздо ниже. Техническое их описание заложено в новой спецификации SD 7.1.

SD Express

Обе новинки получили поддержку технологий Bus Mastering, Multi Queue и Host Memory Buffer. Они предназначены для различных устройств, включая смартфоны, планшеты, игровые консоли, IoT, автомобили, камеры, экшн-камеры, VR и многие другие. Карты SD Express и microSD Express смогут без проблем записывать и воспроизводить видео в режиме Super Slow-Motion, делать качественные фото в режиме RAW Continuous Burst или вести съемку в разрешении 8K.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Transcend ESD230C, ESD240C и ESD250C – новые портативные SSD с интерфейсом USB Type-C

Компания Transcend презентовала сразу три новых продукта: Transcend ESD230C, ESD240C и ESD250C. Это портативные внешние накопители, созданные на базе микросхем 3D NAND и оснащенные интерфейсом USB 3.1 Gen 2. Они быстрые, компактные, легкие и не боятся встрясок, поэтому отлично подходят для хранения и переноски ценной информации.

Transcend ESD230C

Размеры его корпуса составляют 77 х 55,7 х 9,6 мм, а масса – 35 г. Представлен исключительно в черной версии и благодаря специальному покрытию корпус отлично противостоит появлению отпечатков пальцев и царапин. Transcend ESD230C доступен в трех вариантах объема: 240, 480 и 960 ГБ. Максимальная скорость чтения достигает 520 МБ/с, а записи – 460 МБ/с.

Transcend ESD230C ESD240C ESD250C

Transcend ESD240C

Использует элегантный серебристый алюминиевый корпус, размеры которого составляют 81,4 х 33,6 х 7,5 мм, а масса – 33 г. Будет доступен в двух вариантах емкости: 240 и 480 ГБ. Максимальные последовательные скорости чтения и записи находятся на том же уровне 520 и 460 МБ/с соответственно.

Transcend ESD230C ESD240C ESD250C

Transcend ESD250C

Внешне похож на ESD240C, но использует темно-серый (Space Gray) окрас корпуса и характеризуется чуть большей длиной и массой (120,16 х 33,6 х 7,5 мм; 47 г). А все потому, что он доступен в трех вариантах емкости: 240, 480 и 960 ГБ. Скоростные показатели не изменились.

Transcend ESD230C ESD240C ESD250C

Все три новинки оснащены двумя интерфейсными кабелями в комплекте поставки (USB Type-C ↔ USB Type-A, USB Type-C ↔ USB Type-C) и могут использовать ПО Transcend Elite для создания резервных копий данных, шифрования информации и прочих полезных действий. В продажу они поступят с 3-летней гарантией. Стоимости пока не сообщаются.

https://www.transcend-info.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Стоимость чипов NAND флэш-памяти начнет расти во втором квартале

Если вы в ближайшее время присматривались к SSD, то рекомендуем не откладывать покупку в долгий ящик. Дело в том, что еще в первом квартале текущего года стоимость микросхем NAND Flash будет находиться на низком уровне, но уже во втором квартале она начнет повышаться. А вместе с этим поднимутся и цены на твердотельные накопители.

NAND

Также к неблагоприятным для потребителей факторам относят снижение темпов перехода к производству 96-слойных чипов и рост спроса среди OEM-производителей. Например, компания Phison Electronics уже зафиксировала рост продаж собственных контроллеров и доходов за январь на 13,4%. Насколько весомым будет рост и как долго он продлится пока не сообщается, ведь ранее аналитики прогнозировали падение стоимости чипов NAND Flash не только в первом, но и во втором квартале.

https://www.digitimes.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Seagate планирует выпустить 14-ТБ HDD со скоростью чтения 500 МБ/с в этом году

Компания Seagate с радостью сообщила, что уже в этом году планирует вывести на рынок две инновационные новинки. Первая из них появится в первой половине 2019 года. Это 16-терабайтный жесткий диск, созданный на основе технологии HAMR (Heat-Assisted Magnetic Recording). Также Seagate сообщила, что уже тестирует новое поколение этой технологии, которое позволит создавать HDD объемом до 24 ТБ.

Seagate

Вторая новинка – 14-терабайтный жесткий диск с двумя силовыми приводами (технология Seagate MACH.2). Последовательная скорость чтения в нем достигает 500 МБ/с, а произвольная заявлена на уровне 160 IOPS. На рынке новинка появится до конца 2019 года. О ценниках пока говорить рано.

https://www.anandtech.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Портативный внешний SSD Transcend ESD230C объемом до 960 ГБ

Производители все смелее выходят на рынок портативных внешних SSD, постепенно заменяя ими более привычные HDD. Вот и компания Transcend представила модель Transcend ESD230C. Она использует сдержанный и практичный дизайн корпуса со специальным защитным покрытием, которое оберегает от царапин и скрадывает отпечатки пальцев.

Transcend ESD230C

Внутри находятся микросхемы 3D Nand объемом 240, 480 и 960 ГБ. Максимальная последовательная скорость чтения данных составляет 520 МБ/с, а записи – 480 МБ/с. Правда, официальный сайт не указывает скоростные показатели для каждой версии. Для питания внутренних компонентов и передачи данных используется интерфейс USB 3.1 Gen 2 Type-C с заявленной поддержкой протокола UASP. В комплект поставки входят два кабеля: USB Type-C ↔ USB Type-A и USB Type-C ↔ USB Type-C, поэтому проблем с подключением быть не должно.

Transcend ESD230C

Расширить функциональные возможности накопителя поможет ПО Transcend Elite, которое можно бесплатно скачать с официального сайта. Размеры Transcend ESD230C составляют 77 х 55,7 х 9,6 мм, а масса – 35 г. Новинка доступна с 3-летней гарантией по цене €74 (240 ГБ), €108 (480 ГБ) и €192 (960 ГБ).

https://www.transcend-info.com
https://www.computerbase.de
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Samsung представила первый в мире накопитель eUFS 2.1 объемом 1 ТБ

Samsung сообщила о начале массового производства первых в мире терабайтных накопителей формата embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1, которые предназначены для использования в мобильных устройствах, в первую очередь – в смартфонах. Таким образом, южнокорейскому IT-гиганту потребовалось четыре года, чтобы перейти от 128-гигабайтного чипа eUFS до 1-терабайтного.

Samsung 1 TB eUFS

Размеры новинки составляют всего 11,5 х 13,0 мм. Внутри в форме стека расположены 16 микросхем V-NAND объемом по 512 Гбит каждая и фирменный контроллер. Общей емкости в 1 ТБ достаточно для хранения 260 десятиминутных 4K-видео (3840 х 2160). Для сравнения: 64 ГБ хватит лишь для 13 подобных файлов.

Также новинка может похвастать высокими скоростными показателями. Максимальная последовательная скорость чтения и записи составляет 1000 и 260 МБ/с соответственно. А эти же показатели при произвольном доступе к данным достигают 58 000 и 50 000 IOPS. То есть при чтении данных Samsung 1 TB eUFS работает в 2 раза быстрее обычных SATA SSD, но по скорости записи он пока еще проигрывает.

Samsung 1 TB eUFS

В первой половине текущего года компания планирует нарастить производство 512-гигабитных микросхем V-NAND на одном из своих заводов, чтобы удовлетворить потребности рынка в новых терабайтных накопителях.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Показать еще