Компьютерные новости
Оперативная память
Inno3D вышла на рынок оперативной памяти под брендом iCHILL
Компания Inno3D расширяет свою деятельность на рынок оперативной памяти, где ее продукция будет представлена под знакомым брендом iCHILL. Новинки нацелены на геймеров и требовательных пользователей. Заявлено о подготовке модулей объемом от 4 до 16 ГБ, но пока на официальном сайте засветились лишь 8- и 16-гигабайтные планки, а также двухканальные 16-гигабайтные наборы.
Производитель микросхем не обозначен. Новинки протестированы на корректную работу в диапазоне скоростей от 2400 до 4000 МГц, но по умолчанию все они запускаются в режиме DDR4-2133 МГц с напряжением 1,2 В.
Для охлаждения используется довольно массивный алюминиевый радиатор, но высоту модулей производитель не указывает. Что же касается подсветки, то может быть три варианта: без подсветки, RGB-иллюминация и RGB-иллюминация с поддержкой ASUS Aura Sync. Тип подсветки указан на коробке и на официальном сайте.
В продажу новинки поступят в ближайшие недели, но их стоимость пока не сообщается. Сравнительная таблица оперативной памяти iCHILL:
Серия |
iCHILL |
|||||||
Тип |
DDR4 |
|||||||
Объем, ГБ |
8 (1 х 8) |
16 (1 х 16) |
16 (2 x 8) |
16 (2 x 8) |
16 (2 x 8) |
16 (2 x 8) |
16 (2 x 8) |
16 (2 x 8) |
Частота, МГц |
2400 |
2400 |
2400 |
2666 |
3000 |
3200 |
3600 |
4000 |
Напряжение, В |
1,2 |
1,2 |
1,2 |
1,2 |
1,35 |
1,35 |
1,35 |
1,35 |
Тайминги |
CL16 |
CL16 |
CL16 |
CL16 |
CL15 / CL16 |
CL15 |
CL18 |
CL18 |
Гарантия |
Пожизненная |
http://www.inno3d.com
Сергей Будиловский
Samsung начала массовое производство 10-нм 16-гигабитных чипов LPDDR4X-памяти
Компания Samsung первой в мире начала массовое производство второго поколения 10-нм (1y-nm) 16-гигабитных чипов LPDDR4X. В отличие от микросхем первого поколения (1x-nm 16Gb LPDDR4X), новинки могут похвастать аналогичной скоростью передачи данных (4266 Мбит/с), но при снижении энергопотребления на 10%. Благодаря этому уменьшается нагрузка на аккумулятор.
Компания Samsung уже успела поместить четыре новых чипа в единый корпус для дальнейшего использования в составе новых смартфонов и планшетов. Получилась 8-гигабайтная микросхема LPDDR4X с пропускной способностью 34,1 ГБ/с. При этом ее толщина на 20% ниже, чем в аналогичной конструкции, созданной на основе чипов первого поколения.
Ожидается, что новые микросхемы LPDDR4X-памяти от Samsung на базе 16-гигабитных чипов второго поколения появятся в новых флагманских мобильных устройствах, которые дебютируют в конце этого года или в начале 2019-го.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Samsung первой представила 8-гигабитные чипы LPDDR5
Пока десктопные процессоры активно осваивают DDR4-память, компания Samsung переводит мобильные устройства и автомобильную промышленность на стандарт LPDDR5. Корейский гигант первым в мире представил 8-гигабитные чипы LPDDR5, созданные на базе 10-нм технологии.
В продажу поступят два варианта. Первый может похвастать пропускной способностью 6400 Мбит/с (скорость передачи достигает 51,2 ГБ/с при 64-битной шине) при рабочем напряжении 1,1 В, а второй – 5500 Мбит/с (44 ГБ/с) при 1,05 В. Для сравнения напомним, что максимальная пропускная способность актуальных чипов LPDDR4X не превышает 4266 Мбит/с (34,1 ГБ/с). То есть новинки на 29-50% быстрее.
Дополнительно чипы ОЗУ Samsung 8Gb LPDDR5 характеризуются рядом оптимизаций. Например, они могут снижать напряжение в зависимости от актуальной рабочей частоты. А в случае активации режима глубокого сна (Deep Sleep Mode) их энергопотребление не превышает половины того, что использует LDDR4X в режиме ожидания. В результате этих и других улучшений потребление энергии новыми чипами снизилось на 30%, что позволит уменьшить нагрузку на аккумулятор и продлить время автономной работы мобильных устройств.
На данный момент Samsung вместе с партнерами завершила функциональное тестирование и валидацию прототипа 8-гигабайтной микросхемы LDDR5, состоящей из восьми 8-гигабитных чипов, и уже планирует ее массовое производство. Таким образом, в следующем поколении смартфонов мы обязательно увидим модели с 8 ГБ LDDR5-памяти на борту.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Китайские компании подозреваются в краже интеллектуальной собственности Samsung и SK Hynix
Первой о промышленном шпионаже и попытках кражи интеллектуальной собственности в сфере создания DRAM-памяти заявила компания Micron, за что в ответ получила судебный иск о нарушении патентных прав. Теперь же корейское издание Korea Times заявляет, что аналогичные попытки осуществлялись китайскими компаниями и в отношении двух других гигантов этого рынка – Samsung и SK Hynix. Сами они от комментариев отказались.
Дело в том, что вся эта интеллектуальная собственность по созданию и тестированию чипов нарабатывалась компаниями в течение десятилетий, и она необходима для эффективного производства современных чипов. Китайские же компании, по информации Korea Times, не желают тратить столько времени и не хотят пойти легальным путем лицензирования соответствующих технологий. Поэтому они избрали третий путь – промышленного шпионажа.
Кстати, компания Micron таки вышла с официальным заявлением по поводу судебного запрета. Она подтвердила, что две ее дочерние китайские компании получили предварительный судебный запрет на производство, продажу и импорт определенных DRAM-модулей фирменных брендов Crucial и Ballistix, а также SSD. Запрет распространяется лишь на территорию КНР. По расчетам Micron, это приведет к 1%-ому падению годовой выручки и особо не повредит финансовому положению компании. Вместе с тем Micron заявила, что крайне разочарована судебным решением и убеждена в своей невиновности, поэтому продолжит активную защиту своих прав и репутации.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Официальный дебют памяти GIGABYTE AORUS RGB Memory 3200MHz
Впервые продемонстрированный в рамках выставки Computex 2018, комплект оперативной памяти GIGABYTE AORUS RGB Memory 3200MHz теперь уже представлен официально. Он уже отгружается и вскоре поступит в продажу с пожизненной гарантией, хотя конечная стоимость пока не сообщается.
Новинка состоит из двух 8-гигабайтных модулей, построенных на основе высококачественных микросхем Samsung B-Die, которые прошли предварительную сортировку и проверку. В номинальном режиме GIGABYTE AORUS RGB Memory 3200MHz работает на частоте 2133 МГц с таймингами 16-15-15-36 и напряжением 1,2 В. Также в SPD записан профиль Intel XMP 2.0, активация которого приводит к повышению частоты до 3200 МГц при таймингах 16-18-18-38 и напряжении 1,35 В.
Для охлаждения чипов памяти используется алюминиевый радиатор, состоящий из двух 2-мм пластин. Он увеличивает общую высоту планок до 39 мм. В верхнюю его часть встроена RGB LED-подсветка с поддержкой 11 режимов работы. Для настройки и синхронизации иллюминации можно использовать фирменную утилиту RGB Fusion.
https://www.gigabyte.com
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
В Китае приостановлены продажи DRAM и NAND-чипов Micron – ждем роста цен?
Неприятная новость пришла с Китая, где народный суд города Фучжоу (Fuzhou Intermediate People’s Court) удовлетворил требования истца (тайваньской компании UMC) и выдал предварительный судебный запрет на продажу в материковом Китае 26 продуктов компании Micron, включая как сами микросхемы DRAM и NAND, так и продукты на их основе. Об этом сообщила UMC в своем пресс-релизе. Правда, копию постановления суда она не показала, ссылаясь на то, что судебный процесс еще не закончен. В свою очередь представители Micron отказались от каких-либо комментариев до официального вручения им судебного запрета.
История противостояния Micron и UMC началась еще в прошлом году, когда американская компания обвинила тайваньскую в краже интеллектуальной собственности по производству чипов памяти в интересах китайской компании Fujian Jinhua Integrated Circuit Co. В свою очередь UMC подала в январе этого года иск в китайский суд о нарушении патентных прав со стороны Micron. Именно этот иск и был удовлетворен судом. В качестве компенсации тайваньская компания требовала не только запрета на продажу продукции Micron, но также запрет на производство и импорт, уничтожение всех складских запасов и выплату компенсации. Пока не ясно, удовлетворил ли суд запросы истца в полном объеме.
Аналитики предполагают, что решение китайского суда может быть продиктовано разворачивающейся торговой войной между Китаем и США. Как бы там ни было, если запрет на продажу действительно существует, то это приведет к глобальному росту цен на оперативную память, твердотельные диски и даже видеокарты, ведь их производство сконцентрировано именно в Китае, а Samsung и SK Hynix вряд ли смогут оперативно перекрыть возросший спрос на чипы памяти.
https://www.bloomberg.com
Сергей Будиловский
Micron начала массовое производство GDDR6-памяти
Компания Micron с гордостью сообщила о начале массового производства микросхем GDDR6-памяти, которые будут использоваться не только в составе видеокарт нового поколения, но и в других сферах: игровых консолях, сетевом оборудовании, автомобильной промышленности, криптографических системах и при ускорении работы систем с AI или глубинным обучением.
В данный момент Micron предлагает производителям пять новых моделей микросхем GDDR6-памяти и еще две находятся на стадии тестового производства. Все они характеризуются одинаковым объемом 8 Гбит (1 ГБ). Самые медленные чипы работают на скорости 10 – 12 Гбит/с при напряжении 1,25 В, а более быстрые поддерживают скорости от 12 до 14 Гбит/с, но при напряжении 1,35 В.
Компания уже отправила образцы новых микросхем своим партнерам для тестирования в конечных устройствах, поэтому в скором времени будут появляться новые продукты с применением GDDR6-памяти.
https://www.techpowerup.com
http://investors.micron.com
Сергей Будиловский
Samsung начала массовое производство 64-гигабайтных модулей DDR4
Компания Samsung с гордостью сообщила о начале массового производства первых в индустрии 64-гигабайтных модулей DDR4 RDIMM, построенных на основе 16-гигабитных (2-гигабайтных) микросхем, работающих на тактовой частоте 2666 МГц. Новинки ориентированы на использование в серверах и промышленных системах.
В частности, сервер HPE ProLiant DL385 Gen10, базирующийся на процессорах линейки AMD EPYC 7000, является первой в индустрии моделью с сертифицированной поддержкой новых 64-гигабайтных модулей Samsung DDR4 RDIMM. Это позволяет ему предоставлять в распоряжение пользователя до 2 ТБ оперативной памяти при использовании двух процессоров.
Более того, до конца текущего года Samsung планирует начать производство образцов 256-гигабайтных DIMM-модулей на базе аналогичных 16-гигабитных микросхем. Это позволит увеличить адресное пространство в серверах до внушительных 8 ТБ.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Показать еще