Компьютерные новости
Оперативная память
SK hynix разрабатывает первую в отрасли память 1c (класс 10 нм) DDR5
Компания SK hynix сегодня объявила о разработке первой в отрасли памяти DDR5 объемом 16 Гбит, построенной с использованием своего узла 1c, шестого поколения 10-нм процесса. Этот успех знаменует собой начало экстремального масштабирования до уровня, более близкого к 10 нм, в технологии производства памяти. Степень сложности процесса уменьшения технологического узла DRAM до 10 нм росла с каждым поколением, но SK hynix стала первой в отрасли, кто преодолел технологические ограничения, повысив уровень зрелости дизайна благодаря своей технологии 1b, пятому поколению 10-нм процесса.
SK hynix заявила, что будет готова к массовому производству 1c DDR5 в течение года, чтобы начать массовые поставки в следующем году. Для того чтобы уменьшить потенциальные ошибки, связанные с процедурой продвижения процесса, и передать преимущества 1b, которая широко признана за лучшую производительность DRAM, наиболее эффективным способом, компания расширила платформу 1b DRAM для разработки 1c. Новый продукт обладает улучшенной конкурентоспособностью по сравнению с предыдущим поколением благодаря применению нового материала в определенном процессе экстремального ультрафиолетового излучения или EUV, одновременно оптимизируя общий процесс применения EUV. SK hynix также повысила производительность более чем на 30% благодаря технологическим инновациям в дизайне. Операционная скорость 1c DDR5, которая, как ожидается, будет использоваться для высокопроизводительных центров обработки данных, улучшена на 11% по сравнению с предыдущим поколением до 8 Гбит/с. Благодаря повышению энергоэффективности более чем на 9%, SK hynix ожидает, что внедрение 1c DRAM поможет центрам обработки данных снизить затраты на электроэнергию на 30% в то время, когда развитие эры искусственного интеллекта приводит к увеличению энергопотребления.
«Мы стремимся предоставлять дифференцированные ценности клиентам, применяя технологию 1c, оснащенную лучшей производительностью и конкурентоспособностью по цене, к нашим основным продуктам следующего поколения, включая HBM, LPDDR6 и GDDR7»,- сказал руководитель отдела разработки DRAM Ким Джонхван. «Мы продолжим работать над сохранением лидерства в отрасли DRAM и позиции поставщика решений для памяти искусственного интеллекта, которому больше всего доверяют».
techpowerup.com
Павлик Александр
COLORFUL представляет память iGame DDR5 Loong Edition
Компания Colorful Technology Company Limited, ведущий бренд компонентов для игровых компьютеров, игровых ноутбуков и Hi-Fi аудиопродуктов, запускает оперативную память iGame DDR5 Loong Edition в честь празднования Года Дракона. Память iGame DDR5 Loong Edition дополняет графические карты и материнскую плату iGame Loong Edition, которые были выпущены в начале этого года.
iGame DDR5 Loong Edition, созданная для дополнения видеокарт и материнской платы Loong Edition, украшена традиционными китайскими декоративными узорами, такими как «Xiangyun» (благоприятные облака) и «Yufeng» (легкий ветерок). Память iGame DDR5 Loong Edition имеет многослойную световую полосу RGB на элегантном радиаторе. Вершиной изысканного дизайна является золотая табличка с именем и узором, символизирующим Год Дракона. Память оснащена высоким радиатором из алюминиевого сплава, который обеспечивает отличное рассеивание тепла.
Память COLORFUL iGame DDR5 Loong Edition оснащена высокопроизводительными чипами Hynix A-die, предназначенными для разгона. Компоненты PMIC и матрица покрыты термосиликоновым гелем для улучшенного охлаждения, что повышает общие возможности охлаждения и разгона памяти.
Память Loong Edition доступна в трёх комплектах:
- Комплект 32 ГБ (2x16 ГБ) 6800 МТ/с CL32-45-45-108 1,4 В;
- Комплект 32 ГБ (2x16 ГБ) 7200 МТ/с CL32-44-44-115 1,45 В;
- Комплект 48 ГБ (2x24 ГБ) 6800 МТ/с CL34-46-46-108 1,35 В.
techpowerup.com
Павлик Александр
SK Hynix готовит масштабное повышение цен на DRAM, DDR5 подорожает до 20%
Корейский гигант SK Hynix планирует повысить цены на чипы DDR5-DRAM до 20%, следуя за другими производителями. Сообщения о повышении цен на чипы DRAM уже некоторое время циркулируют в интернете, и вскоре потребительский сегмент может ощутить последствия этих масштабных изменений. По данным Taiwan Economic Daily, из-за того, что компании сосредоточены на удовлетворении спроса на HBM на рынках искусственного интеллекта, производство DRAM пострадало. Стало известно, что SK Hynix планирует поднять цены на DDR5 на 15-20% в попытке увеличить прибыль и воспользоваться ситуацией.
SK Hynix планирует использовать 20% своих производственных линий DRAM для HBM, в то время как Samsung объявила, что зарезервирует 30% производства DRAM для высокоскоростной памяти HBM, которая пользуется высоким спросом. Поскольку гиганты отрасли стремятся сократить поставки DRAM, вопрос лишь во времени, когда это приведет к значительному росту цен на память. Как сообщалось ранее, потребители могут ожидать роста цен на DDR5 в среднем до 50% в ближайшие недели или месяцы.
Если вы планируете приобрести модули памяти DDR5, сейчас может быть лучшее время для покупки, учитывая, что цены на DDR5 могут существенно вырасти с дебютом процессоров следующего поколения, таких как Ryzen 9000 от AMD и чипов Arrow Lake от Intel. С ростом спроса в середине года это может привести к дефициту предложения, если ситуация продолжит развиваться таким же образом.
Постоянная ссылка на новостьG.SKILL анонсировала память DDR5-6400 CL30 с низкими задержками
G.SKILL International Enterprise Co., Ltd., ведущий мировой бренд производительной памяти и компонентов для ПК, выпустила спецификацию оперативной памяти с ультранизкой задержкой DDR5-6400 CL30-39-39-102 в комплекте объёмом 32 ГБ (2x16 ГБ). Эта высокопроизводительная спецификация будет доступна в сериях Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal с поддержкой профиля разгона Intel XMP 3.0, а также в сериях Trident Z5 Neo RGB и Trident Z5 Royal Neo с поддержкой профиля разгона AMD EXPO.
Пределы задержки DDR5-6400
Команда разработчиков G.SKILL стремится к максимальному увеличению производительности памяти, и низкая задержка является ключевым фактором в разгоне памяти для энтузиастов и оверклокеров. По сравнению со стандартной DDR5-4800 CL40, новая спецификация DDR5-6400 CL30 улучшает скорость и задержку памяти. Однако, поскольку это спецификация для высокой производительности, важно проверить совместимость материнской платы и процессора.
Поддержка профилей разгона и доступность
Новая спецификация поставляется с поддержкой Intel XMP 3.0 в сериях Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal, а также AMD EXPO (Extended Profile for Overclocking) в сериях Trident Z5 Neo RGB и Trident Z5 Royal Neo для простого разгона памяти через BIOS материнской платы. Эти комплекты памяти будут доступны через мировых дистрибьюторов G.SKILL с конца августа 2024 года.
Постоянная ссылка на новостьДоходы от флеш-памяти NAND и DRAM «существенно» вырастут в 2024 году благодаря ИИ
Ожидается, что доход от DRAM и NAND Flash в этом году «значительно вырастет» до 90,7 и 67,4 миллиарда долларов соответственно.
Когда мы говорим о буме искусственного интеллекта, мы часто думаем о графических процессорах, процессорах для дата-центров и продуктах таких компаний, как NVIDIA. Особенно NVIDIA, чьи H100 и будущие графические процессоры Blackwell B200 и суперчипы являются центром генеративного движения ИИ, что позволило доходам от GPU, связанных с искусственным интеллектом, сделать NVIDIA одной из крупнейших компаний в мире.
Однако искусственный интеллект - это не только тензорные ядра и высококачественные кремниевые процессоры от Team Green; высокоскоростная память и хранилища также являются важными компонентами для создания массивных дата-центров и суперкомпьютеров, которые обучают сложные модели, такие как недавняя Llama 3.1 от Meta.
Поэтому неудивительно, что в этом году ожидается «значительное увеличение» доходов отрасли DRAM и NAND Flash. Согласно анализу рынка и отчетности, доходы от DRAM и NAND Flash в 2024 году, включая память и хранилища, вырастут на 75% и 77% соответственно.
С финансовой точки зрения прогнозируется, что доход от DRAM достигнет 90,7 миллиарда долларов в 2024 году и снова вырастет на 51% в 2025 году до 136,5 миллиарда долларов. Это частично связано с спросом на память высокой пропускной способности (HBM), повышением цен на DRAM и развитием более сложных (читай: дорогих) продуктов DRAM, таких как память DDR5. Например, хотя прогнозируется, что HBM составит 5% от общего объема поставок в этом году, на нее будет приходиться 20% всех доходов.
Доходы от NAND Flash охватывают SSD, которые, как ожидается, принесут 67,4 миллиарда долларов в 2024 году и 87 миллиардов долларов в 2025 году. Это будет достигнуто за счет корпоративных SSD QLC, используемых в серверах, рабочих станциях и дата-центрах с искусственным интеллектом. Конечно, другие области за пределами искусственного интеллекта также будут способствовать росту флеш-памяти NAND, одним из которых являются планы Apple внедрить хранилища QLC в свои iPhone к 2026 году.
Постоянная ссылка на новостьSK Hynix запускает массовое производство памяти GDDR7 в 4 квартале 2024 года
Компания SK hynix подтвердила, что массовое производство памяти GDDR7 начнется намного раньше, чем предполагалось. Ранее Anandtech сообщал, что представитель компании заявил, что серийное производство GDDR7 начнется не ранее 1 квартала 2025 года. Однако компания быстро отреагировала на эти заявления и подтвердила, что массовое производство начнется раньше, в 4 квартале 2024 года.
Кажется, эти слухи побудили инженеров SK hynix ускорить производство игровой памяти следующего поколения. Согласно последнему пресс-релизу, массовое производство начнется в третьем квартале 2024 года.
«Разработка GDDR7 в марте произошла на фоне растущего интереса глобальных клиентов к пространству искусственного интеллекта в продукте DRAM, который соответствует как специализированной производительности для обработки графики, так и высокой скорости. Компания заявила, что начнет массовое производство в третьем квартале.»
— SK hynix
Компания подтвердила, что память GDDR7 будет иметь скорость до 32 Гбит/с, что на 60% быстрее, чем у текущего поколения (GDDR6). SK hynix привела пример, заявив, что графические процессоры следующего поколения могут достигать пропускной способности до 1,5 ТБ/с (через 384-битную шину). Кроме того, также ожидается появление чипов со скоростью 40 Гбит/с, но понятно, что эти скорости не будут доступны в ближайшее время. На самом деле, по слухам, GeForce RTX 50, единственная серия видеокарт, которая на данный момент будет использовать GDDR7, будет работать на скорости 28 Гбит/с в своем первом поколении.
Память нового поколения GDDR7 от SK hynix также обеспечит улучшенную энергоэффективность более чем на 50% и будет использовать новую технологию упаковки. Благодаря увеличению количества слоев в теплорассеивающих подложках с четырех до шести и снижению теплового сопротивления на 74%, они улучшили производительность. Также стоит отметить, что размер модуля GDDR7 не изменился по сравнению с GDDR6.
videocardz.com
Павлик Александр
G.SKILL анонсирует комплекты памяти DDR5-6000 CL28
G.SKILL объявила о выпуске комплектов памяти DDR5-6000 CL28-36-36-96 на 32 ГБ (2x16 ГБ) и 64 ГБ (2x32 ГБ) комплекта, а также DDR5-6000 CL28-38-38-96 в комплектах емкостью 48 ГБ (2x24 ГБ) и 96 ГБ (2x48 ГБ) в новой серии Trident Z5 Royal Neo, разработанной для совместимых платформ AMD AM5. Включая технологию AMD EXPO для легкого разгона памяти в BIOS, этот комплект памяти с низкой задержкой является идеальным решением DDR5 для энтузиастов и оверклокеров.
Оптимизация с помощью тайминга памяти
Для энтузиастов и оверклокеров тайминг или задержка памяти является ключевым фактором, влияющим на производительность комплекта памяти. Поскольку синхронизация памяти — это задержка между определенными действиями, желательна меньшая задержка; и производительность можно улучшить путем поиска наилучшего сочетания скорости памяти и задержки. По сравнению со стандартной скоростью и задержкой памяти DDR5 DDR5-4800 CL40, эта новая спецификация памяти DDR5-6000 CL28 направлена на обеспечение более оптимизированной комбинации на совместимых платформах AMD AM5.
Поддержка и доступность AMD EXPO
Эта новая спецификация поддерживает технологию AMD EXPO (Extended Profile for Overclocking) для легкого разгона памяти через BIOS материнской платы. Начиная с августа 2024 года, эта новая спецификация станет доступной для партнеров G.SKILL по всему миру.
techpowerup.com
Павлик Александр
G.SKILL анонсирует память DDR5 серии Trident Z5 Royal Neo с AMD EXPO DDR5-8000
G.SKILL International Enterprise Co., Ltd. рада представить память DDR5 серии Trident Z5 Royal Neo, разработанную для платформ AMD AM5. Память Trident Z5 Royal Neo оснащена технологией AMD EXPO (расширенные профили для разгона) и будет доступна до DDR5-8000 со спецификацией сверхскоростной памяти CL38-48-48-127 в комплектах емкостью 32 ГБ (2x16 ГБ) и 48 ГБ (2x24 ГБ). Эта новая серия памяти с зеркальной отделкой золотого или серебряного цвета является идеальным решением памяти DDR5 для энтузиастов и оверклокеров, позволяющих создать стильную и высокопроизводительную ПК-систему AMD.
Дизайн Trident Z5 Royal класса люкс с алюминиевым теплоотводом, вырезанным на станке с ЧПУ, в зеркальном золотом или серебряном цвете и кристаллической световой полосой для великолепной RGB-подсветки. Trident Z5 Royal Neo предназначен для платформ AMD AM5 с профилем AMD EXPO. Настройка RGB-подсветки возможна с помощью программного обеспечения G.SKILL Trident Z Lighting Control или стороннего программного обеспечения для подсветки материнской платы.
Благодаря новому процессору AMD Ryzen серии 9000 для настольных ПК на совместимой платформе серия Trident Z5 Royal Neo обеспечивает экстремальную скорость разгона памяти до DDR5-8000 благодаря режиму делителя тактовой частоты 1:2 в BIOS, что обеспечивает энтузиастам AMD и оверклокерам отличное скоростное решение для памяти.
Новые комплекты памяти DDR5 серии Trident Z5 Royal Neo поддерживают технологию AMD EXPO (расширенный профиль для разгона), упрощающую разгон памяти через BIOS материнской платы, и будут доступны партнерам-дистрибьюторам G.SKILL по всему миру, начиная с августа 2024 года.
techpowerup.com
Паровышник Валерий
Показать еще
