Компьютерные новости

Transcend MTE260S: новый флагманский PCIe Gen5 SSD

 Transcend анонсировала свой первый твердотельный накопитель с интерфейсом PCIe Gen 5 — MTE260S. Новинка позиционируется как флагманское решение, сочетающее высокую производительность с компактным форм-фактором.

MTE260S предлагается в объёмах 1 ТБ за 169,99 долларов США и 2 ТБ за 269,99 долларов США. Версия на 500 ГБ этого поколения не предусмотрена.

Накопитель построен на основе 6-нанометрового контроллера и использует новейшую 238-слойную NAND-память. Это сочетание позволяет достигать впечатляющих показателей:

• Скорость последовательного чтения: до 14 000 МБ/с
• Скорость последовательной записи: до 11 000 МБ/с
• Скорость случайных операций: до 1,4 миллиона IOPS

Такие показатели делают MTE260S привлекательным решением для требовательных игровых систем, рабочих станций для создания контента и платформ с искусственным интеллектом.

Для обеспечения стабильной работы при высоких нагрузках, MTE260S оснащён ультратонким графеновым радиатором, который эффективно рассеивает тепло и предотвращает троттлинг. Накопитель поставляется в стандартном форм-факторе M.2 2280, что обеспечивает широкую совместимость.

Производитель предоставляет на MTE260S пятилетнюю ограниченную гарантию. Для мониторинга состояния и оптимизации работы SSD пользователи могут воспользоваться фирменным программным обеспечением Transcend SSD Scope.

Больше информации можно найти на официальной странице Transcend: Transcend Launches Ultra-Fast PCIe Gen5 SSD MTE260S

techpowerup.com
Павлик Александр

SK hynix Platinum P51: новый PCIe 5.0 SSD уже на рынке

SK hynix выпустила на рынок США свой первый твердотельный накопитель PCIe 5.0 – Platinum P51. Новинка доступна в двух объёмах: 1 ТБ и 2 ТБ, по цене 169,99 долларов и 269,99 долларов соответственно. Версия на 500 ГБ этого поколения отсутствует.

Platinum P51 основан на собственном восьмиканальном контроллере SK Hynix Alistar ACNT093, разработанном для высоких скоростей PCIe 5.0. Контроллер оснащён 32-битным процессором Arm Cortex-R8 и, вероятно, произведён по 10-нм техпроцессу. SSD сочетает этот контроллер с новейшей 238-слойной флеш-памятью 3D V8 TLC NAND от SK Hynix, что является значительным шагом вперёд по сравнению со 176-слойной NAND в предыдущей модели Platinum P41. Также присутствует кэш LPDDR4 DRAM, но его объём не раскрывается. SSD поставляется в стандартном форм-факторе M.2 2280.

Производительность и выносливость

Что касается производительности, Platinum P51 обеспечивает максимальную скорость последовательного чтения до 14 700 МБ/с. Скорость последовательной записи зависит от модели: 2 ТБ версия достигает до 13 400 МБ/с, тогда как 1 ТБ модель немного медленнее. Эти показатели ставят Platinum P51 в категорию высокопроизводительных PCIe 5.0 накопителей.

Скорость случайного чтения и записи одинакова для обеих моделей:

• 2,3 миллиона IOPS для случайного чтения
• 2,4 миллиона IOPS для случайной записи

Эти показатели сопоставимы с другими лидерами рынка PCIe 5.0 SSD, такими как SanDisk WD Black SN8100, Samsung 9100 Pro и Crucial T705.

Выносливость Platinum P51 составляет 600 TBW (терабайт записанного объёма) для 1 ТБ модели и 1200 TBW для 2 ТБ модели, что соответствует конкурентам. Накопитель поставляется со стандартной пятилетней гарантией.

SK hynix позиционирует Platinum P51 как конкурентоспособную и экономически эффективную альтернативу среди высокоскоростных PCIe 5.0 SSD на рынке.

guru3d.com
Павлик Александр

Micron 2600 NVMe SSD: новый накопитель для OEM-производителей

Micron Technology анонсировала Micron 2600 NVMe SSD, решение для хранения данных, ориентированное на производителей компьютеров (OEM). Накопитель основан на QLC NAND 9-го поколения и использует технологию адаптивной записи (AWT) от Micron. Это обеспечивает высокую производительность PCIe Gen 4 при экономичности QLC-памяти.

Micron 2600 SSD показывает лучшие результаты: на 63% более быстрая последовательная запись и на 49% более быстрая случайная скорость записи по сравнению с бюджетными конкурентами на QLC и TLC памяти. По словам Марка Монтьера из Micron, это сочетание производительной памяти G9 NAND и AWT позволяет достичь скорости, ранее доступной только для TLC-накопителей, что расширит применение QLC NAND.

Особенности и производительность

Технология Micron AWT улучшает запись QLC NAND благодаря динамическому кэшированию SLC, TLC и QLC, увеличивая скорость последовательной записи до четырех раз (до 800 ГБ непрерывной записи на 2 ТБ модели).

Шестиплоскостная архитектура NAND Micron QLC NAND G9 (2 ТБ) повышает параллелизм и скорость выполнения команд. SSD 2600 достигает скорости ввода/вывода до 3,6 ГБ/с, что является самым высоким показателем среди клиентских SSD.

Преимущества для пользователя

Ускорение системы: Быстрый доступ к данным, чтение и запись, что ускоряет загрузку, запуск программ и общую отзывчивость системы. Также сокращается время установки операционной системы.

Поддержка ИИ-приложений: Быстрый доступ для чтения позволяет быстро загружать модели искусственного интеллекта.

Плавный опыт: AWT обеспечивает оптимальное хранение данных, улучшая работу при создании контента, играх и повседневных задачах. В тестах PCMark 10 SSD 2600 показал до 44% лучшие результаты и 43% лучшую пропускную способность по сравнению с конкурентами.

Micron 2600 NVMe SSD уже поставляется производителям в форм-факторах 22x30 мм, 22x42 мм и 22x80 мм, с ёмкостью от 512 ГБ до 2 ТБ. Компактные размеры и односторонний дизайн делают его идеальным для портативных устройств, тонких ноутбуков и рабочих станций, в частности 2 ТБ модель 22x30 мм для игровых консолей.

techpowerup.com
Павлик Александр

Твердотельные накопители PCIe 5.0 останутся основными на рынке ещё как минимум пять лет

Твердотельные накопители со стандартом PCIe 5.0 останутся на рынке потребительских товаров надолго.

Генеральный директор компании Silicon Motion, Уоллес Коу, раскрыл причины, почему твердотельные диски на базе PCIe 6.0 не будут востребованы в ближайшем будущем.

Почему PCIe 6.0 не спешит на массовый рынок

По словам Уоллеса Коу, производители ПК и чипов, такие как AMD и Intel, в настоящее время не проявляют заинтересованности в PCIe 6.0. Это связано с несколькими ключевыми факторами:

• Достаточность PCIe 5.0: Стандарт PCIe 5.0 уже почти удвоил скорость передачи данных по сравнению с PCIe 4.0. Для большинства обычных пользователей эта скорость более чем достаточна, и массовый рынок ещё не полностью перешёл на твердотельные накопители PCIe 5.0. Ощутимого прироста производительности для повседневных задач при переходе на ещё более быстрые твердотельные диски потребители не видят.
• Высокая стоимость разработки и производства: Производство контроллеров PCIe 5.0 уже значительно дороже, чем PCIe 4.0. Стоимость одного "tape-out" (создания образца чипа) для PCIe 5.0 может быть вдвое выше, если учитывать затраты на IP и маски. Переход на контроллеры PCIe 6.0 может увеличить цену ещё на 25-30% по сравнению с PCIe 5.0, достигая $30-40 миллионов за один "tape-out" (против $16-20 миллионов для PCIe 5.0).
• Отсутствие платформ: Большинство владельцев ПК ещё не имеют платформ, совместимых с PCIe 5.0, а те, кто имеет, не видят существенной разницы по сравнению с твердотельными накопителями PCIe 4.0. Внедрение PCIe 6.0 лишь увеличит стоимость систем, так как материнские платы уже подорожали из-за адаптации интерфейса PCIe 5.0.

Перспективы PCIe 6.0

Самое раннее, когда можно ожидать появления твердотельных накопителей PCIe 6.0, это конец 2027 или 2028 года, но только для корпоративного рынка. Это обусловлено, в частности, планами NVIDIA по выпуску платформы Rubin в конце 2026 года, которая потребует более высокой пропускной способности.

Для массового потребительского рынка PCIe 6.0 в настоящее время не имеет смысла. Контроллеры PCIe 6.0 будут иметь 16 каналов NAND и будут производиться по 4-нм техпроцессу, что делает их значительно более дорогими.

Таким образом, ожидается, что твердотельные накопители PCIe 5.0 будут доминировать на рынке как минимум следующие пять лет без каких-либо проблем.

wccftech.com
Павлик Александр

Lexar представила сверхбыстрые SSD NM990 NVMe M.2 PCIe 5.0

Lexar анонсировала новую серию SSD NM990 NVMe M.2, разработанную для поддержки соединений PCIe 5.0 x4. Эти накопители, доступные в стандартном размере M.2 2280, представлены в трёх вариантах ёмкости: 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ. Серия NM990 ориентирована на пользователей, которым требуется быстрое и надёжное хранилище для таких ресурсоёмких задач, как создание контента, игры и профессиональные приложения.

Накопители NM990 используют 8-канальный контроллер NAND InnoGrit IG5666, который обеспечивает впечатляющие скорости.

Пиковая скорость последовательного чтения достигает 14 000 МБ/с. Скорость записи зависит от ёмкости модели: 1 ТБ модель может достигать 7500 МБ/с, 2 ТБ — до 10 000 МБ/с, а 4 ТБ — до 11 000 МБ/с. Количество случайных операций ввода/вывода в секунду (IOPS) также впечатляет: до 2 миллионов IOPS чтения и 1,5 миллиона IOPS записи у более крупных моделей. Такие показатели производительности обеспечивают быструю передачу файлов и эффективную обработку сложных рабочих нагрузок.

Для поддержания стабильной производительности во время интенсивного использования Lexar оснастила накопители графитовой наклейкой для рассеивания тепла и технологией Thermal Defender. Эти функции помогают снизить накопление тепла и предотвратить троттлинг, который мог бы замедлить работу устройства. Размеры накопителей составляют 22 мм в ширину, 80 мм в длину и 2,45 мм в толщину, а вес — около 6 граммов. Они рассчитаны на работу в диапазоне температур от 0 до 70 градусов Цельсия.

Что касается долговечности, то среднее время наработки на отказ (MTBF) NM990 составляет 1,5 миллиона часов. Выносливость (TBW) оценивается в 750 ТБ для модели на 1 ТБ, 1500 ТБ для 2 ТБ и 3000 ТБ для 4 ТБ. Lexar предоставляет пятилетнюю гарантию на эти накопители, подтверждая их качество и надёжность.

guru3d.com
Павлик Александр

PNY представила быстрый флеш-накопитель DUO LINK V3 USB 3.2 Gen 2

PNY расширяет свою линейку OTG-флеш-накопителей, анонсировав модель DUO LINK V3 USB 3.2 Gen 2 Type-C и Type-A. Этот высокопроизводительный накопитель, сочетающий большой объём памяти с элегантным матово-чёрным поворотным дизайном, идеально подходит для профессионалов и активных пользователей, которым требуется максимальная универсальность и скорость.

DUO LINK V3 разработан с использованием новейшей технологии USB 3.2 Gen 2, обеспечивая чрезвычайные скорости: до 1000 МБ/с для чтения и до 800 МБ/с для записи. Это делает его до 50 раз быстрее, чем стандартные флеш-накопители USB 2.0, позволяя мгновенно передавать большие файлы. Это идеальное решение для продвинутых пользователей и самых требовательных приложений.

С ёмкостью до 2 ТБ, DUO LINK V3 предоставляет достаточно места для хранения разнообразного контента, включая профессиональную графику, видео, музыку и игровые файлы. Накопитель изготовлен из высококачественных компонентов, имеет прочный и элегантный металлический корпус с удобной петлёй для ключей, что обеспечивает долговечность и лёгкость переноски, гарантируя безопасность ваших данных.

Благодаря интеллектуальному поворотному дизайну с разъёмами Type-A и Type-C, DUO LINK V3 обеспечивает максимальную совместимость с широким спектром устройств. Это позволяет беспрепятственно передавать файлы с мобильных устройств Type-C на полноразмерные устройства Type-A, такие, как ноутбуки и настольные компьютеры, для постоянного хранения. DUO LINK V3 является удобным решением для тех, кто постоянно работает в дороге, предлагая удобство без компромиссов.

Технические характеристики и цены

Флеш-накопитель PNY DUO LINK V3 предлагается в ёмкостях 256 ГБ, 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. Он оснащён двумя интерфейсами: USB 3.2 Gen 2 Type-C и USB 3.2 Gen 2 Type-A. Заявленная скорость чтения составляет до 1000 МБ/с, а скорость записи – до 800 МБ/с, что делает его до 265 раз быстрее стандартного USB 2.0. Устройство совместимо с мобильными устройствами Android и Apple с интерфейсом Type-C, компьютерами Type-C, а также другими полноразмерными устройствами USB-A. Он поддерживает USB 3.2 Gen 2 и обратно совместим с большинством хост-устройств USB 3.2 Gen 1/USB 3.0 и USB 2.0.

Флеш-накопители PNY DUO LINK V3 OTG уже доступны по рекомендованным розничным ценам:

• 256 ГБ: 34,99 долларов США
• 512 ГБ: 49,99 долларов США
• 1 ТБ: 81,99 долларов США
• 2 ТБ: 159,99 долларов США

Приобрести их можно на сайте PNY.com или Amazon.com.

techpowerup.com
Павлик Александр

Kioxia представила планы по ультрапроизводительному SSD на 10+ миллионов IOPS

Kioxia объявила свою средне- и долгосрочную стратегию роста, значительную часть которой занимает разработка передовых SSD-технологий для увеличения доли рынка.

Самый амбициозный проект компании – это прорывной твердотельный накопитель, который объединит их память XL-FLASH с абсолютно новой архитектурой контроллера.

"Мы берём наши сверхбыстрые чипы памяти XL-Flash, которые используют одноуровневые ячейки, и сочетаем их с совершенно новым контроллером", — пояснил представитель компании. "Эта комбинация должна обеспечить нам беспрецедентную производительность для небольших операций с данными. Мы нацелены на более чем 10 миллионов IOPS и планируем получить образцы готовыми ко второй половине 2026 года".

Компания также тесно сотрудничает с ведущими производителями графических процессоров для оптимизации производительности в приложениях с искусственным интеллектом и интенсивной графикой.

Текущие разработки и будущие планы

Тем временем, Kioxia активно выпускает своё текущее поколение SSD, построенных на технологии BiCS FLASH 8-го поколения. Серия CM9 ориентирована на системы искусственного интеллекта, которым нужны как высокая скорость, так и надёжная стабильность для максимального использования дорогих графических процессоров. С другой стороны, серия LC9 сосредоточена на огромной ёмкости хранения, достигая 122 терабайт на накопитель для таких задач, как крупномасштабные базы данных, питающие системы вывода ИИ.

Сама технология BiCS FLASH 8-го поколения представляет собой значительный шаг вперёд, интегрируя технологию CBA для достижения лучшей скорости и энергоэффективности, чем предыдущие поколения. Kioxia наращивает производство этих чипов, которые используются как в высокопроизводительных SSD, так и в смартфонах с поддержкой ИИ.

Заглядывая вперёд, компания применяет два подхода к разработке будущей флеш-памяти. Один путь сосредоточен на традиционном методе наращивания большего количества слоёв для создания более высокой ёмкости и производительности, что приведёт к таким продуктам, как BiCS FLASH 10-го поколения. Другой путь акцентирует внимание на BiCS FLASH 9-го поколения, который максимально использует преимущества технологии CBA, сочетая проверенные конструкции ячеек с передовой технологией CMOS, непосредственно связанной с массивом, обеспечивая высокую производительность при сохранении контролируемых затрат на разработку.

techpowerup.com
Павлик Александр

Реинкарнация Optane: InnoGrit показала SSD на чипах 3D XL-Flash с рекордной скоростью 3,5 млн IOPS

На выставке Computex 2025 компания InnoGrit представила твердотельный накопитель N3X, который позиционируется как преемник технологии Intel Optane. Этот SSD, оснащённый контроллером InnoGrit Tacoma IG5669 и вторым поколением постоянной памяти XL-Flash, работающей в режиме SLC, впечатляет рекордно низкими задержками и высокой производительностью, достигая 3,5 млн IOPS.

Накопитель InnoGrit N3X предназначен для корпоративных рабочих нагрузок, чувствительных к задержкам памяти и требующих максимальной надёжности. Контроллер IG5669 соответствует протоколу NVMe 2.0 и поддерживает интерфейс PCIe 5.0 x4. N3X обеспечивает постоянную скорость последовательного чтения до 14 Гбайт/с и постоянную скорость записи до 12 Гбайт/с. Однако настоящей звездой является производительность в операциях случайного чтения до 3,5 млн IOPS и случайной записи на уровне 700 тыс. IOPS.

Ключевой особенностью InnoGrit N3X, выделяющей его на фоне обычных и даже других корпоративных SSD, является рекордно низкий уровень задержки. Задержка при чтении составляет менее 13 мкс, что значительно лучше по сравнению с обычными SSD на чипах 3D TLC NAND, где задержка составляет порядка 50–100 мкс. Задержка при записи у новинки составляет всего 4 мкс (против 200–400 мкс у 3D TLC NAND).

Эти показатели делают InnoGrit N3X особенно полезным для таких применений, как кэширование, вычисления для ИИ, вычисления в оперативной памяти и аналитика в реальном времени, где каждая микросекунда имеет значение.

Накопитель InnoGrit N3X предлагает объёмы от 400 Гбайт до 3,2 Тбайт (в конфигурациях от 32 до 256 микросхем памяти). Рейтинг долговечности также впечатляет: 50 DWPD (полных циклов перезаписи в день) в течение 5 лет. Это значительно превышает стандартные уровни долговечности корпоративных твердотельных накопителей на базе NAND, делая его идеальным для задач с интенсивным использованием записи, таких как кэширование, а также передача данных, где долговечность и стабильная производительность имеют решающее значение.

InnoGrit считает, что её партнёры могли бы создавать SSD на базе чипов памяти XL-Flash и контроллера IG5669 в форм-факторах U.2 или E3.S для серверов, а также в форматах карт расширения для настольных рабочих станций и высокопроизводительных ПК.

XL-Flash от Kioxia — это высокопроизводительная технология NAND, разработанная для преодоления разрыва в задержках между DRAM и обычной флеш-памятью. Это делает её жизнеспособным решением в качестве постоянной памяти для корпоративных задач, где требуется память с высокой отзывчивостью, сопоставимой с DRAM. Во втором поколении XL-Flash компания Kioxia удвоила плотность за счёт использования архитектуры MLC (многоуровневая ячейка), позволившей увеличить ёмкость кристалла памяти со 128 Гбит до 256 Гбит. Однако InnoGrit считает, что такую память имеет смысл использовать в конфигурации SLC для ещё более высокой производительности, поскольку в конечном итоге именно это больше всего нужно пользователям подобных накопителей.

Изначально Kioxia позиционировала XL-Flash как конкурента снятой с производства памяти Optane от Intel. Теперь можно с уверенностью сказать, что XL-Flash действительно приходит на смену Optane, предлагая передовые возможности для требовательных корпоративных сред.

tomshardware.com
Павлик Александр