Поиск по сайту

up

Компьютерные новости

Оперативная память

Samsung первой представила 8-гигабитные чипы LPDDR5

Пока десктопные процессоры активно осваивают DDR4-память, компания Samsung переводит мобильные устройства и автомобильную промышленность на стандарт LPDDR5. Корейский гигант первым в мире представил 8-гигабитные чипы LPDDR5, созданные на базе 10-нм технологии.

В продажу поступят два варианта. Первый может похвастать пропускной способностью 6400 Мбит/с (скорость передачи достигает 51,2 ГБ/с при 64-битной шине) при рабочем напряжении 1,1 В, а второй – 5500 Мбит/с (44 ГБ/с) при 1,05 В. Для сравнения напомним, что максимальная пропускная способность актуальных чипов LPDDR4X не превышает 4266 Мбит/с (34,1 ГБ/с). То есть новинки на 29-50% быстрее.

Samsung 8Gb LPDDR5

Дополнительно чипы ОЗУ Samsung 8Gb LPDDR5 характеризуются рядом оптимизаций. Например, они могут снижать напряжение в зависимости от актуальной рабочей частоты. А в случае активации режима глубокого сна (Deep Sleep Mode) их энергопотребление не превышает половины того, что использует LDDR4X в режиме ожидания. В результате этих и других улучшений потребление энергии новыми чипами снизилось на 30%, что позволит уменьшить нагрузку на аккумулятор и продлить время автономной работы мобильных устройств.

Samsung 8Gb LPDDR5

На данный момент Samsung вместе с партнерами завершила функциональное тестирование и валидацию прототипа 8-гигабайтной микросхемы LDDR5, состоящей из восьми 8-гигабитных чипов, и уже планирует ее массовое производство. Таким образом, в следующем поколении смартфонов мы обязательно увидим модели с 8 ГБ LDDR5-памяти на борту.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Китайские компании подозреваются в краже интеллектуальной собственности Samsung и SK Hynix

Первой о промышленном шпионаже и попытках кражи интеллектуальной собственности в сфере создания DRAM-памяти заявила компания Micron, за что в ответ получила судебный иск о нарушении патентных прав. Теперь же корейское издание Korea Times заявляет, что аналогичные попытки осуществлялись китайскими компаниями и в отношении двух других гигантов этого рынка – Samsung и SK Hynix. Сами они от комментариев отказались.

Samsung SK Hynix

Дело в том, что вся эта интеллектуальная собственность по созданию и тестированию чипов нарабатывалась компаниями в течение десятилетий, и она необходима для эффективного производства современных чипов. Китайские же компании, по информации Korea Times, не желают тратить столько времени и не хотят пойти легальным путем лицензирования соответствующих технологий. Поэтому они избрали третий путь – промышленного шпионажа.

Кстати, компания Micron таки вышла с официальным заявлением по поводу судебного запрета. Она подтвердила, что две ее дочерние китайские компании получили предварительный судебный запрет на производство, продажу и импорт определенных DRAM-модулей фирменных брендов Crucial и Ballistix, а также SSD. Запрет распространяется лишь на территорию КНР. По расчетам Micron, это приведет к 1%-ому падению годовой выручки и особо не повредит финансовому положению компании. Вместе с тем Micron заявила, что крайне разочарована судебным решением и убеждена в своей невиновности, поэтому продолжит активную защиту своих прав и репутации.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Официальный дебют памяти GIGABYTE AORUS RGB Memory 3200MHz

Впервые продемонстрированный в рамках выставки Computex 2018, комплект оперативной памяти GIGABYTE AORUS RGB Memory 3200MHz теперь уже представлен официально. Он уже отгружается и вскоре поступит в продажу с пожизненной гарантией, хотя конечная стоимость пока не сообщается.

GIGABYTE AORUS RGB Memory 3200MHz

Новинка состоит из двух 8-гигабайтных модулей, построенных на основе высококачественных микросхем Samsung B-Die, которые прошли предварительную сортировку и проверку. В номинальном режиме GIGABYTE AORUS RGB Memory 3200MHz работает на частоте 2133 МГц с таймингами 16-15-15-36 и напряжением 1,2 В. Также в SPD записан профиль Intel XMP 2.0, активация которого приводит к повышению частоты до 3200 МГц при таймингах 16-18-18-38 и напряжении 1,35 В.

GIGABYTE AORUS RGB Memory 3200MHz

Для охлаждения чипов памяти используется алюминиевый радиатор, состоящий из двух 2-мм пластин. Он увеличивает общую высоту планок до 39 мм. В верхнюю его часть встроена RGB LED-подсветка с поддержкой 11 режимов работы. Для настройки и синхронизации иллюминации можно использовать фирменную утилиту RGB Fusion.

https://www.gigabyte.com
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

В Китае приостановлены продажи DRAM и NAND-чипов Micron – ждем роста цен?

Неприятная новость пришла с Китая, где народный суд города Фучжоу (Fuzhou Intermediate People’s Court) удовлетворил требования истца (тайваньской компании UMC) и выдал предварительный судебный запрет на продажу в материковом Китае 26 продуктов компании Micron, включая как сами микросхемы DRAM и NAND, так и продукты на их основе. Об этом сообщила UMC в своем пресс-релизе. Правда, копию постановления суда она не показала, ссылаясь на то, что судебный процесс еще не закончен. В свою очередь представители Micron отказались от каких-либо комментариев до официального вручения им судебного запрета.

Micron

История противостояния Micron и UMC началась еще в прошлом году, когда американская компания обвинила тайваньскую в краже интеллектуальной собственности по производству чипов памяти в интересах китайской компании Fujian Jinhua Integrated Circuit Co. В свою очередь UMC подала в январе этого года иск в китайский суд о нарушении патентных прав со стороны Micron. Именно этот иск и был удовлетворен судом. В качестве компенсации тайваньская компания требовала не только запрета на продажу продукции Micron, но также запрет на производство и импорт, уничтожение всех складских запасов и выплату компенсации. Пока не ясно, удовлетворил ли суд запросы истца в полном объеме.

Аналитики предполагают, что решение китайского суда может быть продиктовано разворачивающейся торговой войной между Китаем и США. Как бы там ни было, если запрет на продажу действительно существует, то это приведет к глобальному росту цен на оперативную память, твердотельные диски и даже видеокарты, ведь их производство сконцентрировано именно в Китае, а Samsung и SK Hynix вряд ли смогут оперативно перекрыть возросший спрос на чипы памяти.

https://www.bloomberg.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Micron начала массовое производство GDDR6-памяти

Компания Micron с гордостью сообщила о начале массового производства микросхем GDDR6-памяти, которые будут использоваться не только в составе видеокарт нового поколения, но и в других сферах: игровых консолях, сетевом оборудовании, автомобильной промышленности, криптографических системах и при ускорении работы систем с AI или глубинным обучением.

Micron GDDR6

В данный момент Micron предлагает производителям пять новых моделей микросхем GDDR6-памяти и еще две находятся на стадии тестового производства. Все они характеризуются одинаковым объемом 8 Гбит (1 ГБ). Самые медленные чипы работают на скорости 10 – 12 Гбит/с при напряжении 1,25 В, а более быстрые поддерживают скорости от 12 до 14 Гбит/с, но при напряжении 1,35 В.

Micron GDDR6

Компания уже отправила образцы новых микросхем своим партнерам для тестирования в конечных устройствах, поэтому в скором времени будут появляться новые продукты с применением GDDR6-памяти.

https://www.techpowerup.com
http://investors.micron.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Samsung начала массовое производство 64-гигабайтных модулей DDR4

Компания Samsung с гордостью сообщила о начале массового производства первых в индустрии 64-гигабайтных модулей DDR4 RDIMM, построенных на основе 16-гигабитных (2-гигабайтных) микросхем, работающих на тактовой частоте 2666 МГц. Новинки ориентированы на использование в серверах и промышленных системах.

Samsung 64 GB DDR4 RDIMM

В частности, сервер HPE ProLiant DL385 Gen10, базирующийся на процессорах линейки AMD EPYC 7000, является первой в индустрии моделью с сертифицированной поддержкой новых 64-гигабайтных модулей Samsung DDR4 RDIMM. Это позволяет ему предоставлять в распоряжение пользователя до 2 ТБ оперативной памяти при использовании двух процессоров.

Более того, до конца текущего года Samsung планирует начать производство образцов 256-гигабайтных DIMM-модулей на базе аналогичных 16-гигабитных микросхем. Это позволит увеличить адресное пространство в серверах до внушительных 8 ТБ.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Модуль памяти ADATA XPG SPECTRIX D80 RGB с охлаждением жидким азотом разогнан до 5531 МГц

Тайпей, Тайвань – Компания ADATA заявила о разгоне модуля памяти XPG SPECTRIX D80 RGB DDR4 до частоты 5531 МГц в системе, охлаждаемой жидким азотом.

Данная планка была взята командой ADATA XPG вместе с оверклокерами MSI. Память XPG SPECTRIX D80 RGB достигла отметки в 5531 МГц в системе, охлаждаемой жидким азотом, на плате MSI X299 GAMING PRO CARBON AC.

 

Результат подтвержден HWBot

 

XPG SPECTRIX D80 DDR4 RGB – это первый в мире модуль памяти RGB DDR4 с жидкостным охлаждением. Столь высоких результатов удалось добиться благодаря сочетанию жидкостного охлаждения, алюминиевого радиатора и теплопроводных материалов платы.

В данный момент модули доступны на стенде ADATA (I0608) на Computex Taipei.

Постоянная ссылка на новость

GDDR6-микросхемы от Micron можно разогнать до 20 Гбит/с

Ранее Micron сообщила о начале массового производства микросхем GDDR6-памяти, которые будут использоваться в новых видеокартах компаний AMD и NVIDIA. Изначально планировалось, что первые чипы будут работать на скорости 12-14 Гбит/с, а затем ее удастся увеличить до 16 Гбит/с, что является потолком в стандарте JEDEC.

Micron GDDR6

Однако в процессе работы с новой памятью специалисты компании Micron вначале смогли достичь скорости в 16,5 Гбит/с, а затем – 20 Гбит/с, но для этого потребовалось повысить рабочее напряжение. В итоге существенно поднимается производительность подсистемы видеопамяти и нивелируется потребность в более дорогой HBM2. Для наглядного сравнения предлагаем взглянуть на следующую таблицу:

Тип памяти

Скорость, Гбит/с

Разрядность шины, бит

Пропускная способность, ГБ/с

GDDR5X

10

256

320

GDDR6

12

256

384

GDDR6

14

256

448

HBM2

1,9

2048

486,4

GDDR6

16

256

512

GDDR5X

11,4

384

547,2

GDDR6

18

256

576

GDDR6

20

256

640

GDDR6

14

384

672

HBM2

1,4

4096

716,8

GDDR6

16

384

768

GDDR6

18

384

864

HBM2

1,752

4096

897

GDDR6

20

384

960

https://wccftech.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Показать еще

ТОП-10 Материалов
  1. Топовая DDR5-8000 2x24GB против народной DDR5-6000 2x16GB: какой профит?
  2. Обзор комплекта оперативной памяти DDR5-6400 Goodram IRDM (IR-6400D564L32S/32GDC) объемом 32 ГБ: стильная и компактная
  3. DDR5-5200 vs DDR5-7200: влияние скорости ОЗУ на производительность платформы LGA1700 (Core i7-14700K)
  4. Обзор комплекта оперативной памяти DDR5-6800 Kingston FURY Beast White RGB EXPO (KF568C34BWEAK2-32) объемом 32 ГБ: белый зверь
  5. DDR5-5200 vs DDR5-7200: влияние скорости ОЗУ на производительность Ryzen 5 8600G и Radeon 760M
  6. Обзор оперативной памяти DDR5-8400 Kingston FURY Renegade RGB CUDIMM (KF584CU40RSA-24) объемом 24 ГБ: знакомство с CUDIMM
  7. Обзор комплекта оперативной памяти Lexar ARES DDR5-6000 CL30 объемом 32 ГБ: бог войны
  8. Обзор комплекта оперативной памяти Corsair Vengeance RGB DDR5-6000 CL36 (CMH32GX5M2E6000C36) на 32 ГБ: золотая середина
  9. Небинарная ОЗУ DDR5 на платформе AMD AM5: как работает и есть ли польза от быстрой DDR5-7200?
  10. 16GB vs 8GB: Влияние на производительность в 2024 году. Апгрейд ОЗУ в ноутбуке Acer Extensa 15.