Серия оперативной памяти Corsair Vengeance LPX пополнилась наборами объемом от 32 до 128 ГБ

Повысить уровень конкуренции на рынке DDR4-памяти решила компания Corsair, которая расширила линейку Corsair Vengeance LPX. Теперь в ее составе можно найти многоканальные наборы общим объемом 32 ГБ (4 х 8 ГБ), 64 ГБ (4 х 16 ГБ) и 128 ГБ (8 х 16 ГБ). Все представленные новинки используют качественную пассивную систему охлаждения и поддерживают спецификацию Intel XMP 2.0, которая позволяет быстро и легко активировать заложенный в них потенциал.

32-гигабайтные наборы серии Corsair Vengeance LPX представлены в черном и красно-черном вариантах. Эффективная скорость их работы достигает 3600 МГц при напряжении 1,35 В и таймингах CL16-19-19-39. 64-гигабайтные комплекты также доступны в двух версиях, однако их эффективная частота составляет лишь 3333 МГц при аналогичном напряжении и задержках CL16-18-18-36. Флагманский 128-гигабайтный набор можно приобрести лишь в черном цвете. Скорость его работы достигает 3000 МГц, а тайминги и напряжения соответствуют показателям 64-гигабайтного набора.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Samsung начала массовое производство 4-гигабайтных микросхем HBM2

С гордостью компания Samsung представила первые в индустрии микросхемы оперативной памяти стандарта HMB2 объемом 4 ГБ. Они созданы на основе 20-нм техпроцесса и предназначены для использования в HPC-системах и видеокартах нового поколения.

Структура новых микросхем Samsung 4GB HBM2 DRAM состоит из буфера, поверх которого размещено четыре 8-гигабитных ядер DRAM-памяти. В каждом из них сделано более 5000 TSV-отверстий – это более чем в 36 раз выше, чем в самых современных микросхемах 8 Gb TSV DDR4. Благодаря этому существенно повышается производительность при передаче данных. Например, в новинках этот показатель достигает 256 ГБ/с, в решениях HBM DRAM он заявлен на уровне 128 ГБ/с, а для чипов 4 Gb GDDR5 DRAM составляет всего 36 ГБ/с.

Также микросхемы Samsung 4GB HBM2 DRAM обладают поддержкой ECC-коррекции и в два раза лучшим соотношением пропускной способности на ватт, чем 4-гигабитные чипы GDDR5. В результате они обеспечивают не только более надежную и быструю работу, но и требуют меньше энергии. В этом году Samsung планирует начать массовое производство еще и 8-гигабайтных микросхем HBM2-памяти, предназначенных в первую очередь для топовых видеокарт.

https://news.samsung.com
Сергей Будиловский

Серия оперативной памяти G.SKILL Ripjaws V пополнилась 128-гигабайтным набором с частотой 3000 МГц

В декабре 2015 года компания G.SKILL вывела на рынок один из самых быстрых 64-гигабайтных наборов оперативной памяти DDR4-3200 МГц для платформы Intel Skylake. Теперь она представила не менее впечатляющую новинку – 128-гигабайтный комплект серии G.SKILL Ripjaws V, который состоит из восьми 16-гигабайтных модулей. Каждый из них может работать на частоте DDR4-3000 МГц с задержками 14-14-14-34 и при напряжении 1,35 В. Это делает данный комплект одним из самых быстрых в своем классе.

Приятно отметить, что новинки используют алюминиевые радиаторы для эффективного отвода тепла от самих микросхем памяти. К тому же они поддерживают стандарт Intel XMP 2.0, что позволит совместимым системам автоматически активировать оптимальный режим работы. Нацелен же новый набор на использование в паре с платформой Socket LGA2011-v3 (Intel X99) в игровых, оверклокерских и рабочих системах. В продажу он поступит до конца января.

Сводная таблица технической спецификации 128-гигабайтного комплекта оперативной памяти G.SKILL Ripjaws V:

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Быстрые и емкие наборы DDR4-памяти серий G.Skill Trident Z и Ripjaws V

Еще до конца текущего года в продаже появятся высокопроизводительные наборы оперативной DDR4-памяти серий G.Skill Trident Z и G.Skill Ripjaws V. Флагманским станет комплект из четырех 16-гигабайтных модулей, работающих на частоте DDR4-3200 МГц с задержками CL14 (14-14-14-35) при напряжении 1,35 В.

Независимо от принадлежности к разным сериям (G.Skill Trident Z или G.Skill Ripjaws V), новые модули построены на высококачественных микросхемах компании Samsung и оснащаются стильными и эффективными радиаторами для отвода излишков тепла. При этом охладитель модулей серии G.Skill Trident Z традиционно отличается увеличенными размерами, что потребует внимательного подбора процессорной системы охлаждения. Стоимость новинок не уточняется.

http://www.guru3d.com
Сергей Будиловский

16-гигабайтный набор оперативной памяти Corsair Dominator Platinum в черно-красном исполнении

Абсолютное большинство наборов оперативной памяти серии Corsair Dominator Platinum представлена в серебристо-черном дизайне, но теперь в ней появился и черно-красный вариант. В его состав вошли четыре DIMM-модуля стандарта DDR4-3200 МГц общей емкостью 16 ГБ. Рабочее напряжение набора составляет 1,35 В, а гарантированные тайминги – 16-18-18-36.

Все комплекты серии Corsair Dominator Platinum протестированы на совместимость с чипсетами Intel X99 и Intel 100-й серии. Также новинки могут похвастать эффективной и надежной фирменной системой охлаждения Dominator DHX Cooling и наличием специального интерфейса для активации технологии Corsair Link Interface. С помощью фирменного ПО она позволяет мониторить корректные показатели внутренних температур и напряжения.

Новинка доступна в продаже по ориентировочной стоимости $234,99 с ограниченной пожизненной гарантией. Техническая спецификация набора Corsair Dominator Platinum:

http://www.cowcotland.com
http://www.corsair.com
Сергей Будиловский

Новая серия оперативной памяти Team Group Dark Pro DDR4

Свое положение на рынке оперативной памяти компания Team Group решила упрочнить с помощью серии Team Group Dark Pro DDR4, в которую вошли отдельные модули объемом 4 или 8 ГБ, а также двухканальные наборы общей емкостью 8 и 16 ГБ. В первую очередь они нацелены на использование в игровых и оверклокерских системах с процессорами Intel Skylake на борту.

Новинки работают на частотах 3000 МГц, 3200 МГц и 3300 МГц при напряжении 1,35 В и таймингах CL15, CL16 и CL17 соответственно. Для быстрой активации максимальных параметров используется технология Intel XMP 2.0.

Учитывая повышенное тепловыделение самих микросхем памяти от работы при более высоком напряжении, модели серии Team Group Dark Pro DDR4 оснащены алюминиевыми радиаторами, которые заметно увеличивают общую высоту планок. Поэтому при использовании габаритных процессорных систем охлаждение вопросу совместимости следует уделить повышенное внимание.

В продажу новинки поступят в двух цветовых вариантах (красно-черном и серо-черном) с пожизненной гарантией. Сводная таблица технической спецификации моделей оперативной памяти серии Team Group Dark Pro DDR4:

http://www.cowcotland.com
http://www.teamgroupinc.com
Сергей Будиловский

Серия игровой оперативной памяти Apacer PANTHER DDR4

Рынок игровых компонентов прельщает все новых и новых игроков. Вот и компания Apacer решила упрочнить свои позиции в сегменте игровой оперативной памяти путем выпуска серии Apacer PANTHER DDR4.

В нее вошли одиночные модули объемом 4 и 8 ГБ, в составе которых использованы тщательно отобранные микросхемы. Их тактовые частоты могут составлять 2133 МГц, 2400 МГц или 2666 МГц при таймингах 15-15-15-36 или 16-16-16-36. Рабочее же напряжение заявлено на уровне 1,2 В. Благодаря поддержке профилей XMP 2.0 модели серии Apacer PANTHER DDR4 обеспечивают очень простой оверклокинг своих параметров – достаточно лишь выбрать предустановленный профиль.

Чтобы улучшить температурный режим используемых чипов памяти и придать более агрессивный вид в новинках использованы небольшие радиаторы. Гребень возвышается над самим текстолитом модуля лишь на несколько миллиметров, поэтому особых проблем с совместимостью с габаритными процессорными системами охлаждения быть не должно.

http://ru.apacer.com
Сергей Будиловский

Samsung начала массовое производство RDIMM-модулей памяти объемом 128 ГБ

Компания Samsung с гордостью сообщила о старте массового производства RDIMM-модулей оперативной памяти стандарта DDR4 общим объемом 128 ГБ. В первую очередь они предназначены для корпоративных серверов и дата-центров.

Для достижения столь большого объема использовано 144 20-нм DDR4-чипов емкостью 8 Гбит каждый, организованных в 36 4-гигабайтных DRAM-корпусов (по 4 микросхемы в корпусе). При этом для монтажа использована технология TSV (Through Silicon Via), что позволило существенно увеличить скорость прохождения сигналов. В результате пропускная способность новых модулей возросла до 2400 Мбит/с, что практически в два раза выше показателя решений предыдущего поколения. А энергопотребление снизилось на 50%. В будущем компания Samsung планирует представить модули с пропускной способностью 2667 и 3200 Мбит/с, а также расширить сферу применения технологии TSV.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский