Набор оперативной памяти G.SKILL Trident Z DDR4 3600 с низкими таймингами

Как известно, тайминги оперативной памяти имеют существенное влияние на скорость работы. Особенно важными они становятся в оверклокерских бенчмарках, когда более низкие задержки позволяют достичь лучших результатов, чем бездумное повышение частоты.

Поэтому компания G.SKILL представила новый набор оверклокерской памяти в серии G.SKILL Trident Z DDR4. Он состоит из двух модулей объемом 8 ГБ, которые работают на частоте 3600 МГц при напряжении 1,35 В. Тайминги при этом составляют всего 15-15-15-35. А поскольку новинка поддерживает технологию Intel XMP 2.0, то в системах с процессорами компании Intel активация максимально производительного режима работы не составит особого труда.

В продажу новый комплект поступит в конце апреля 2016 года. Сводная таблица технической спецификации набора оперативной памяти G.SKILL Trident Z DDR4 3600:

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Samsung начала массовое производство 10-нм DRAM-микросхем DDR4-памяти

В 2014 году компания Samsung первой в индустрии оперативной памяти начала использовать 20-нм техпроцесс для производства 4-гигабитных чипов DDR3 DRAM. Спустя два года она остается лидером в плане интеграции новых технологий, объявив о начале массового выпуска 10-нм 8-гигабайтных микросхем DDR4 DRAM и модулей памяти, созданных на их основе.

Примечательно, что для этого специалистам Samsung удалось использовать существующую литографию на основе фтористого аргона, без перехода к EUV (Extreme Ultra Violet) оборудованию. Однако не обошлось без интеграции ряда фирменных технологий: Cell Design, Quadruple Patterning и Ultra-Thin Dielectric Layer Deposition.

Новые 10-нм микросхемы DDR4-памяти характеризуются заметным ростом производительности и энергоэффективности. Например, в сравнении с 20-нм аналогами их пропускная способность увеличилась с 2400 до 3200 Мбит/с или на 33%. В то же время энергопотребление сократилось на 10-20%. Благодаря этому новинки еще лучше подойдут для создания высокопроизводительных модулей с хорошим разгонным потенциалом, а мобильные устройства ощутят дополнительное снижение нагрузки на аккумулятор.

В ближайшем будущем на рынке появятся новые SO-DIMM-модули DDR4-памяти на основе 10-нм микросхем общим объемом от 4 ГБ, а также DIMM-планки общей емкостью до 128 ГБ. Позже в этом году Samsung обещает представить мобильные 10-нм чипы DDR4-памяти, которые будут нацелены на использование в смартфонах и планшетах.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Оперативная память G.SKILL Ripjaws DDR4-3000 MHz SO-DIMM для производительных ноутбуков и мини-ПК

Линейка компактной оперативной памяти G.SKILL Ripjaws DDR4 SO-DIMM пополнилась очередной серией – G.SKILL Ripjaws DDR4-3000 MHz SO-DIMM. В ее состав вошли как одиночные модули объемом 8 и 16 ГБ, так и двухканальные комплекты общей емкостью 16 ГБ (2 х 8 ГБ) и 32 ГБ (2 х 16 ГБ). Все новинки работают на частоте 3000 МГц при напряжении 1,2 В, хотя обычно DDR4-модули покоряют такую отметку лишь при напряжении 1,35 В.

Решения серии G.SKILL Ripjaws DDR4-3000 MHz SO-DIMM нацелены на использование в составе производительных ноутбуков и компактных систем. Именно при таком сценарии DDR4-память может максимально раскрыть свои преимущества: интегрированная графика демонстрирует заметный прирост при работе оперативной памяти на повышенной частоте, а уменьшенное энергопотребление снизит нагрузку на внутренний аккумулятор (в случае ноутбуков).

В продаже новинки можно будет искать уже в этом месяце. Сводная таблица технической спецификации оперативной памяти G.SKILL Ripjaws DDR4-3000 MHz SO-DIMM:

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Team Group Delta – серия производительной и эффектной DDR4-памяти

В первую очередь для геймеров и моддеров, которым важен не только уровень производительности, но и внешний вид покупаемых устройств, компания Team Group представила новую серию оперативной DDR4-памяти – Team Group Delta.

В ее состав вошли два двухканальных комплекта общим объемом 8 ГБ (2 х 4 ГБ) и 16 ГБ (2 х 8 ГБ). Оба они доступны в двух вариантах тактовой частоты: 2400 или 3000 МГц. Соответственно, отличаются и другие показатели производительности. Модели DDR4-2400 работают с меньшими задержками (15-15-15-35) и при более низком напряжении (1,2 В). А для моделей DDR4-3000 аналогичные параметры достигают 16-16-16-36 и 1,35 В соответственно.

Для охлаждения микросхем памяти все планки серии Team Group Delta оснащены эффективными алюминиевыми радиаторами со встроенной LED-подсветкой, которая работает в пульсирующем режиме. В продажу все они поступят с пожизненной гарантией. Сводная таблица технической спецификации оперативной памяти серии Team Group Delta:

http://www.teamgroupinc.com
Сергей Будиловский

KINGMAX ZEUS DDR4, KINGMAX PJ-05 OTG и KINGMAX SMQ – весенние новинки в арсенале KINGMAX

Компания KINGMAX существенно расширила модельный ряд своей продукции, представив сразу три новинки: скоростную оперативную память KINGMAX ZEUS DDR4, универсальный флэш-накопитель KINGMAX PJ-05 OTG и доступный SSD KINGMAX SMQ.

Серия оперативной памяти KINGMAX ZEUS DDR4 в первую очередь нацелена на любителей игр, поскольку предлагает высокий уровень производительности. В ее состав вошли модули объемом 4, 8 и 16 ГБ, а также двухканальные наборы емкостью 8, 16 и 32 ГБ. Они работают на частотах от 2800 до 3200 МГц с задержками CL14 – CL16 при напряжении 1,35 В. А за охлаждение отвечает яркий алюминиевый радиатор с оребрением.

Информации о флэш-накопители KINGMAX PJ-05 OTG меньше всего. Известно лишь, что эта компактная новинка (32 х12 х 7 мм) оснащена двумя интерфейсами (USB 2.0 и micro-USB) для обмена данными между мобильными гаджетами (смартфонами, планшетами) и десктопными ПК. Она точно будет представлена в объеме 32 ГБ, но возможны и другие емкости.

Что же касается SSD-накопителя KINGMAX SMQ, то он позиционируется в качестве доступной замены традиционных жестких дисков. Новинка создана на основе TLC-микросхем памяти и представлена в трех вариантах емкости (120, 240 и 480 ГБ). В качестве внешнего интерфейса используется SATA 6 Гбит/с. В результате максимальная последовательная скорость чтения достигает 500 МБ/с, а записи – 380 МБ/с.

Сводная таблица технической спецификации оперативной памяти серии KINGMAX ZEUS DDR4:

Сводная таблица технической спецификации накопителей KINGMAX SMQ:

http://www.kingmax.com
Сергей Будиловский

Micron начала отгрузку партнерам образцов GDDR5X-памяти

Компания Micron сообщила о начале поставок тестовых образцов микросхем GDDR5X-памяти для своих партнеров. Речь идет о чипах емкостью 8 Гбит (1 ГБ) и 16 Гбит (2 ГБ), что позволит производителям видеокарт создать версии графических адаптеров с 8 или 16 ГБ памяти на борту. Для связи с графическим процессором подсистема видеопамяти будет использовать 256-битную шину (одна микросхема на 32-битный канал).

Новинки обладают повышенной скоростью передачи информации (10 – 16 Гбит/с вместо 7-8 Гбит/с) и пониженным рабочим напряжением (1,35 В вместо 1,5 В). То есть они обеспечивают гораздо более высокий показатель производительность / ватт, чем стандарт GDDR5, сохраняя при этом совместимость с предыдущей экосистемой, что существенно упрощает переход на новый стандарт.

Отметим, что начало поставок тестовых образцов – это одна из финальных стадий перед началом массового производства конечного продукта, старт которого официально запланирован на лето текущего года. Согласно предварительной информации, компании AMD и NVIDIA заинтересованы в использовании GDDR5X-памяти вместо GDDR5 в линейках своих видеокарт, что позволит увеличить их производительность, не прибегая к более дорогой HBM-памяти.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Цены на DRAM-память во второй половине 2016 года могут упасть на 40%

В одном из своих последних интервью президент тайваньской компании Nanya Technology, сообщил, что существует большая вероятность значительного падения цен на оперативную память во второй половине этого года. Причина кроется в том, что лидеры отрасли (Samsung, SK Hynix и Micron) активно осваивают новые техпроцессы, которые позволяют выпускать микросхемы более высокой емкости. В свою очередь это приводит к снижению конечной их стоимости.

С другой стороны, спрос на микросхемы памяти в последнее время традиционно демонстрирует нисходящую динамику, вслед за спросом на десктопные и мобильные компьютеры. Немного спасает ситуацию позитивная динамика на рынке смартфонов, но и здесь повышение спроса замедляется. В результате улучшенное предложение на фоне низкого спроса подталкивает цены в низ. Ориентировочное снижение во втором квартале может достигнуть 30-40%, но президент тайваньской компании Nanya Technology надеется, что оно не превысит 20-30%. Напомним, что по результатам 2015 года цены на DRAM-память просели на 20-30%.

http://www.dvhardware.net
Сергей Будиловский

SK Hynix начнет массовое производство 4- и 8-ГБ чипов HBM2-памяти во второй половине года

Согласно неофициальной информации, компания SK Hynix планирует лишь в третьем квартале начать массовое производство HBM2-микросхем памяти объемом 4 ГБ. В четвертом квартале стартует производство 8-гигабайтных чипов. Ранее в январе компания Samsung объявила о начале массового производства микросхем памяти стандарта HBM2. Соответственно, первые образцы высокопроизводительных видеокарт компаний AMD и NVIDIA с HBM2-памятью можно ожидать не ранее третьего квартала 2016 года. С другой стороны, чем больше компаний начнут выпуск памяти данного стандарта, тем дешевле она будет для производителей видеокарт и конечных потребителей.

Также напомним, что в менее производительных видеокартах новых поколений компаний AMD и NVIDIA будут использоваться микросхемы GDDR5X-памяти вместо традиционных GDDR5. Активным продвижением этого стандарта занимается компания Micron. Соответственно, в бюджетном сегменте рынка GDDR5-память должна полностью вытеснить DDR3.

http://www.kitguru.net
Сергей Будиловский