Использование DDR3-памяти нежелательно в процессорах Intel Skylake

Специалисты авторитетного веб-сайта пообщались с официальными представителями компании Intel для прояснения некоторых важных моментов касательно контроллера оперативной памяти процессора Intel Skylake. Как известно, он гарантировано поддерживает оперативную память стандартов DDR3L с рабочим напряжением 1,35 В и DDR4 с напряжением 1,2 В. Устанавливать модули с более высоким рабочим напряжением компания Intel не рекомендует, поскольку со временем это может привести к деградации самого контроллера и необходимости замены всего процессора.

Некоторые производители материнских плат выпускают модели с поддержкой DDR3-памяти с рабочим напряжением 1,5 – 1,65 В. Представители компании Intel заявляют, что для самой материнской платы никаких негативных последствий от использования высоковольтных модулей не будет, чего нельзя сказать о процессорах Intel Skylake. Конечно, в течение некоторого времени они будут работать корректно, однако в долгосрочной перспективе постоянно высокое напряжение на встроенном контроллере оперативной памяти может привести к существенному повреждению кристалла.

Также некоторые ограничения имеются для DDR4-памяти. Максимальная рабочая частота не должна превышать 4133 МГц. И хотя сейчас большинство производителей ограничиваются отметкой 3000 МГц, некоторые все же пытаются на свой страх и риск нащупать вершину. Преодоление отметки 4133 МГц приведет к увеличению количества ошибок, что может повлечь за собой нестабильную работу всей системы. В будущих поколениях процессоров компания Intel планирует улучшить их функционирование на повышенных частотах, а пока желательно не превышать отметку 4133 МГц.

http://www.tomshardware.com
Сергей Будиловский

Готовится к выходу оперативная память G.Skill Trident Z DDR4-4400

В скором времени на рынке появится оперативная память G.Skill Trident Z DDR4-4400. То есть ее тактовая частота составит впечатляющие 4,40 ГГц. При этом производитель обещает реализовать поддержку технологии Intel XMP 2.0, что позволит некоторым флагманским платформам автоматически подхватить данный профиль без дополнительных манипуляций со стороны пользователя.

Известно, что модули G.Skill Trident Z DDR4-4400 построены на микросхемах памяти компании Samsung общим объемом 4 ГБ. Также будут представлены двухканальные наборы суммарной емкостью 8 ГБ. Рабочее напряжение новинок достигнет 1,4 В.

Сообщается, что сейчас компания G.Skill проводит тестирование данного продукта с некоторыми топовыми платформами. Сводная таблица технической спецификации модулей памяти G.Skill Trident Z DDR4-4400:

http://www.kitguru.net
Сергей Будиловский

Оперативная память серии GeIL Dragon DDR4 в белом исполнении

Черно-белая тема оформления внутренних компонентов все еще остается актуальной. На рынке уже присутствуют системные корпуса, блоки питания, материнские платы, видеокарты и процессорные кулера в данной расцветке. Теперь же компания GeIL может предложить для этого комплекта и модули оперативной памяти.

Серия GeIL Dragon DDR4 представлена в качестве наборов общим объемом от 8 до 128 ГБ или индивидуальных модулей емкостью до 16 ГБ. Тактовые частоты стартуют от 2400 МГц и достигают 3200 МГц. При этом модули DDR4-3000 и DDR4-3200 МГц используют белые микросхемы памяти на белом текстолите, а решения DDR4-2400, DDR4-2666 и DDR4-2800 МГц – черные чипы на белом текстолите. В любом случае используется качественная 10-слойная плата. К тому же модули различаются между собой по рабочему напряжению: 1,2 В для DDR4-2400 – 2800 МГц и 1,35 В для DDR4-3000 и выше. Cхема задержек также зависит от частоты и находится в диапазоне от CL13 до CL16.

Стоимость новинок стартует от €71,90 (8 ГБ DDR4-2400 МГц). А, например, за 4-канальный набор объемом 64 ГБ и частотой 3000 МГц придется выложить €930.

http://www.computerbase.de
Сергей Будиловский

Apacer NOX DDR4 SO-DIMM – производительная оперативная память для ноутбуков

Компания Apacer анонсировала новый комплект оперативной памяти – Apacer NOX DDR4 SO-DIMM, который в первую очередь нацелен на использование в ноутбуках, моноблоках и мини-ПК нового поколения.

Общий объем новинки составляет 64 ГБ. В его состав вошли 4 модуля объемом 16 ГБ каждый. Работает Apacer NOX DDR4 SO-DIMM на частотах от 2400 до 3000 МГц при напряжении питания 1,2 В. Это позволяет повысить общий уровень производительности системы вместе с одновременным снижением нагрузки на аккумулятор мобильного устройства.

Отдельно стоит отметить, что компания Apacer очень щепетильно подходит к вопросу качества: все микросхемы памяти проходят интенсивный процесс сортировки, что гарантирует стабильную и надежную работу модулей даже при высоких нагрузках.

http://ru.apacer.com
Сергей Будиловский

Оперативная память линейки HyperX Savage DDR4 объемом от 4 до 64 ГБ

HyperX, подразделение компании Kingston, анонсировало выпуск линейки оперативной памяти HyperX Savage DDR4. В ее состав вошли как одиночные модули объемом 4 и 8 ГБ, так и наборы общей емкостью от 8 до 64 ГБ. Новинки работают на частотах от 2133 до 3000 МГц при напряжении 1,2 или 1,35 В.

Для улучшенного охлаждения микросхем памяти используется стильный низкопрофильный радиатор, окрашенный в черный цвет. Поскольку он лишь немного возвышается над текстолитом самих модулей, то особых проблем с совместимостью с габаритными процессорными кулерами быть не должно.

В процессе производства абсолютно все планки линейки HyperX Savage DDR4 проходят полное тестирование, включая проверку на совместимость с актуальными платформами, поддерживающими стандарт DDR4 (Intel X99, Z170, H170, B150, H110). Благодаря этому производитель уверен в их высоком качестве, что выражается в пожизненной гарантии.

Сводная таблица технической спецификации оперативной памяти линейки HyperX Savage DDR4:

http://www.hyperxgaming.com
http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Samsung начала производство LPDDR4-чипов объемом 12 Гбит

Компания Samsung первой в мире начала производство микросхем LPDDR4-памяти емкостью 12 Гбит (1,5 ГБ). Они построены на основе 20-нм техпроцесса и работают на частоте 2133 МГц. При этом новинки используют на 20% меньше энергии, чем традиционные чипы DDR4-памяти, что очень важно в мобильных устройствах для экономии заряда аккумулятора.

В первую очередь компания Samsung позиционирует новые микросхемы в качестве оптимального решения для флагманских смартфонов и планшетов. Объединив два или четыре чипа в одном модуле, компании смогут интегрировать в свои устройства 3 или 6 ГБ оперативной памяти, чего будет достаточно даже для самых требовательных пользователей. К тому же 6-ГБ модуль занимает столько же места, сколько сейчас требуется для 3-ГБ, то есть производителям не нужно будет корректировать дизайн в данном вопросе.

http://www.dvhardware.net
Сергей Будиловский

Расширение линейки памяти HyperX FURY DDR3L DIMM и новая серия HyperX Impact DDR4 SO-DIMM

HyperX, подразделение именитой компании Kingston Technology, представило новые модули оперативной памяти, расширив серию HyperX FURY и презентовав линейку HyperX Impact, которые нацелены на использование в разных категориях компьютеров.

Серия HyperX FURY в данном случае представлена DIMM-модулями стандарта DDR3L с пониженным рабочим напряжением (1,35 В). Новинки доступны в объеме 4 и 8 ГБ в качестве отдельных планок, а общая емкость двухканальных наборов достигает 8 и 16 ГБ. Работают же они на частоте 1600 или 1866 МГц. Для обеспечения комфортного температурного режима применяется низкопрофильный радиатор, который отлично гармонирует с черным цветом печатной платы модулей.

Линейка HyperX Impact создана в формате SO-DIMM в рамках стандарта DDR4. Она нацелена на использование в различных ноутбуках, неттопах и других компактных ПК. На момент анонса в ее состав вошли одиночные модули емкостью 4 и 8 ГБ, а также двухканальные комплекты общим объемом 8 и 16 ГБ. Рабочие частоты новинок лежат в пределах от 2133 до 2666 МГц, а напряжение питания снижено до 1,2 В.

Приятно отметить, что оперативная память серий HyperX FURY и HyperX Impact поддерживает технологию Plug-and-Play (PnP), обеспечивая автоматическую установку наиболее производительного режима сразу же после подключения. К тому же новинки полностью прошли ряд суровых внутренних тестов, гарантирующих высокий уровень их надежности, поэтому в продажу они поступят с пожизненной гарантией.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Представлены комплекты памяти G.SKILL DDR4-4133 и DDR4-4266

Тайваньская компания G.SKILL, мировой ведущий производитель высокоэффективной твердотельной памяти, блоков питания и игровой периферии, продемонстрировал двухканальные сверхбыстрые комплекты памяти типа DDR4-4133 и DDR4-4266 объемом 2 х 4 ГБ. Произошло это событие на этой неделе в рамках мероприятия Intel Developer Forum (IDF) 2015. 

Для демонстрации возможностей новинок компания выбрала следующие составные части: для DDR4 4266 МГц объемом 8 ГБ (2 х 4 ГБ) использовался новый процессор Intel Core i7-6700K и оверклокерская материнская плата ASRock Z170 OC Formula, а комплект DDR4 4133 МГц был представлен на стенде с процессором Intel Core i7-6700K и материнской платой ASUS ROG Maximus VIII Hero. Комплекты памяти дополнялись воздушным охлаждением, а набор задержек составил 19-25-25-45 для DDR4 обеих моделей.

«Благодаря такому эксперименту мы можем наблюдать удивительный потенциал производительности памяти DDR4 на новейшей платформе Intel, и будем рады отслеживать его применение в ближайшем будущем» – сообщил менеджер по маркетингу продукции G.SKILL Фрэнк Хунг (Frank Hung).

http://www.techpowerup.com
Мартынец Мария