Массовое производство GDDR5X-памяти запланировано на лето 2016 года

Компания Micron, которая занимается разработкой и продвижением стандарта оперативной памяти GDDR5X, сообщила приятные новости: массовое производство новых чипов должно стартовать уже летом текущего года. Более того, команда разработчиков из мюнхенского подразделения Micron Graphics DRAM Design Center уже получила первые образцы новых чипов, демонстрирующие очень высокие показатели.

Первоначально планировалось, что пропускная способность GDDR5X-памяти достигнет 10 – 14 Гбит/с, но уже в тестовых образцах этот показатель превысил 13 Гбит/с. Сами же микросхемы созданы с применением 20-нм техпроцесса, а их емкость составляет 8 Гбит (1 ГБ). Достижению столь высокой пропускной способности поспособствовал новый режим «QDR». При этом новинки характеризуются еще и улучшенным показателем потребляемой мощности на каждый передаваемый бит информации (VDD/VDDQ), который сократился до 1,35 В. А новый корпус (190-контактный FBGA) с уменьшенным расстоянием между контактами (0,65 мм) улучшает электрическую производительность.

https://www.micron.com
Сергей Будиловский

Оперативная память серии Apacer BLADE FIRE DDR4 с LED-подсветкой

Специально для геймеров, оверклокеров и моддеров была разработана и представлена новая серия оперативной памяти Apacer BLADE FIRE DDR4. В ее состав вошли одиночные модули объемом 4, 8 и 16 ГБ, а также двухканальные наборы общей емкостью 8, 16 и 32 ГБ. Новинки работают на частотах от 2400 до 3200 МГц при напряжении 1,2 – 1,35 В.

Приятно отметить, что в модулях серии Apacer BLADE FIRE DDR4 используются тщательно подобранные микросхемы памяти, а также эффектная и эффективная система охлаждения. Она состоит из алюминиевого радиатора с пульсирующей LED-подсветкой (частота 44 Гц). Также новинки поддерживают технологию Intel XMP 2.0 и совместимы с чипсетами Intel 100-й серии.

Более подробная таблица технической спецификации оперативной памяти серии Apacer BLADE FIRE DDR4:

http://www.apacer.com
Сергей Будиловский

Серия производительной оперативной памяти Team Group Team Xtreem DDR4-4000

Для всех желающих использовать высокопроизводительную память компания Team Group анонсировала новую серию – Team Group Team Xtreem DDR4-4000. В ее состав вошли одиночные модули объемом 4 ГБ и двухканальные наборы емкостью 8 ГБ (2 х 4 ГБ). Все они работают на частоте 4000 МГц при таймингах 18-22-22-40 и напряжении 1,35 В.

Поскольку работа при повышенных частотах сопутствует более высокому тепловыделению микросхем памяти, то в серии Team Group Team Xtreem DDR4-4000 применяются алюминиевые радиаторы с достаточно высокими гребнями. С одной стороны, они улучшают тепловой режим чипов памяти, а с другой – снижают совместимость с габаритными процессорными системами охлаждения.

Сводная таблица технической спецификации оперативной памяти серии Team Group Team Xtreem DDR4-4000:

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Новый 128-гигабайтный набор DDR4-памяти G.SKILL Ripjaws V

Совсем недавно серия G.SKILL Ripjaws V была расширена 128-гигабайтным набором DDR4-3000 МГц, а теперь к нему присоединился еще более производительный аналог. Новинка также включает в свой состав восемь 16-гигабайтных модулей, работающих на частоте 3200 МГц при таймингах 14-14-14-34 и напряжении 1,35 В. Особенно впечатляющими данные параметры выглядят по сравнению со стандартными таймингами для частоты DDR4-2133 МГц, которые составляют 15-15-15-35. То есть повышение частоты осуществляется еще и со снижением задержек, что гарантирует максимальную производительность.

Новый 128-гигабайтный набор DDR4-3200 МГц в серии G.SKILL Ripjaws V нацелен на использование в паре с платформой Intel X99. Он поддерживает технологию Intel XMP 2.0, гарантирующую беспроблемную активацию оптимальных настроек на совместимых материнских платах. Например, стрессовое тестирование с помощью модели MSI X99A GODLIKE Gaming и процессора Intel Core i7-5960X в течение 42 часов не вызвало никаких проблем со стабильностью работы на максимальной частоте.

В продажу новинка поступит в феврале по ориентировочной стоимости $1069,99. Сводная таблица технической спецификации нового набора оперативной памяти в серии G.SKILL Ripjaws V:

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Анонсирована серия оперативной памяти KINGMAX DDR 4 Gaming RAM

В рамках выставки Taipei Game Show 2016, которая пройдет с 29 января по 2 февраля в Тайбэе, компания KINGMAX представит новую серию игровой оперативной памяти – KINGMAX DDR 4 Gaming RAM. В ее состав вошли модели объемом 4, 8 и 16 ГБ, которые работают на частотах от 2800 до 3200 МГц. Также производитель обещает низкие CAS-задержки для ускоренной работы и поддержку технологии Intel XMP 2.0 для простой активации заложенного в них оверклокерского потенциала.

Для более эффективного охлаждения самих микросхем памяти модули серии KINGMAX DDR 4 Gaming RAM оснащены эффектными алюминиевыми радиаторами, представленными в трех цветах: голубом, красном и золотистом. С другой стороны, их высокие гребни могут помешать установке габаритных процессорных систем охлаждения, поэтому перед покупкой следует уделить особое внимание вопросу совместимости.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

JEDEC анонсировала публикацию стандарта памяти GDDR5X

Организация JEDEC Solid State Technology Association анонсировала публикацию стандарта JESD232 Graphics Double Data Rate (GDDR5X) SGRAM, активной разработкой и продвижением которого занимается компания Micron. Теперь он доступен для бесплатной загрузки с официального веб-сайта, что дало старт его коммерческого освоения. Сама память нацелена на использование в первую очередь в графических адаптерах.

Как и предполагалось ранее, ключевое отличие GDDR5X от GDDR5 лежит в возросшей в два раза (до 10 – 14 Гбит/с) пропускной способности, что позволяет достичь существенного прироста в уровне производительности. Более того, экосистемы GDDR5X и GDDR5 полностью идентичные, то есть разработчикам графических адаптеров не нужно менять дизайн печатных плат при переходе на новый стандарт. Благодаря этому ожидается быстрое продвижение нового стандарта на рынке, особенно в категории среднепроизводительных видеокарт, для которых использование HBM-памяти пока остается весьма дорогим удовольствием.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Серия оперативной памяти Corsair Vengeance LPX пополнилась наборами объемом от 32 до 128 ГБ

Повысить уровень конкуренции на рынке DDR4-памяти решила компания Corsair, которая расширила линейку Corsair Vengeance LPX. Теперь в ее составе можно найти многоканальные наборы общим объемом 32 ГБ (4 х 8 ГБ), 64 ГБ (4 х 16 ГБ) и 128 ГБ (8 х 16 ГБ). Все представленные новинки используют качественную пассивную систему охлаждения и поддерживают спецификацию Intel XMP 2.0, которая позволяет быстро и легко активировать заложенный в них потенциал.

32-гигабайтные наборы серии Corsair Vengeance LPX представлены в черном и красно-черном вариантах. Эффективная скорость их работы достигает 3600 МГц при напряжении 1,35 В и таймингах CL16-19-19-39. 64-гигабайтные комплекты также доступны в двух версиях, однако их эффективная частота составляет лишь 3333 МГц при аналогичном напряжении и задержках CL16-18-18-36. Флагманский 128-гигабайтный набор можно приобрести лишь в черном цвете. Скорость его работы достигает 3000 МГц, а тайминги и напряжения соответствуют показателям 64-гигабайтного набора.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Samsung начала массовое производство 4-гигабайтных микросхем HBM2

С гордостью компания Samsung представила первые в индустрии микросхемы оперативной памяти стандарта HMB2 объемом 4 ГБ. Они созданы на основе 20-нм техпроцесса и предназначены для использования в HPC-системах и видеокартах нового поколения.

Структура новых микросхем Samsung 4GB HBM2 DRAM состоит из буфера, поверх которого размещено четыре 8-гигабитных ядер DRAM-памяти. В каждом из них сделано более 5000 TSV-отверстий – это более чем в 36 раз выше, чем в самых современных микросхемах 8 Gb TSV DDR4. Благодаря этому существенно повышается производительность при передаче данных. Например, в новинках этот показатель достигает 256 ГБ/с, в решениях HBM DRAM он заявлен на уровне 128 ГБ/с, а для чипов 4 Gb GDDR5 DRAM составляет всего 36 ГБ/с.

Также микросхемы Samsung 4GB HBM2 DRAM обладают поддержкой ECC-коррекции и в два раза лучшим соотношением пропускной способности на ватт, чем 4-гигабитные чипы GDDR5. В результате они обеспечивают не только более надежную и быструю работу, но и требуют меньше энергии. В этом году Samsung планирует начать массовое производство еще и 8-гигабайтных микросхем HBM2-памяти, предназначенных в первую очередь для топовых видеокарт.

https://news.samsung.com
Сергей Будиловский