Поиск по сайту

up

Компьютерные новости

Оперативная память

Team Group представила комплекты памяти DDR5 объёмом 256 ГБ для геймеров и создателей контента

Team Group анонсировала выпуск новых комплектов оперативной памяти DDR5 сверхвысокой ёмкости 256 ГБ (4×64 ГБ). Они будут доступны под игровым брендом T-FORCE и креативным брендом T-CREATE.

Эти решения разработаны в сотрудничестве с ведущими производителями материнских плат и протестированы на новейшей платформе AMD X870, обещая стабильную работу и высокую эффективность.

T-CREATE EXPERT DDR5: Для профессионалов

Для создателей контента Team Group предлагает четырёхканальный комплект T-CREATE EXPERT DDR5-5600 CL42 256 ГБ (4×64 ГБ). Эта память разработана для работы с ресурсоёмкими задачами, такими как:

  • Редактирование видео в разрешении 4K/8K.
  • Профессиональный 3D-рендеринг.
  • Интенсивная многозадачность и длительные творческие сессии.

Это решение поможет профессионалам полностью раскрыть свой творческий потенциал, обеспечивая надёжную и стабильную поддержку.

T-FORCE DELTA RGB DDR5: Для геймеров

Игровой сегмент получил четырёхканальный комплект T-FORCE DELTA RGB DDR5-6000 CL32 256 ГБ (4×64 ГБ). Он создан для обеспечения высокой скорости, большой ёмкости и стабильности системы, укрепляя позиции бренда на рынке высокопроизводительных игровых решений.

Благодаря поддержке технологии разгона памяти AMD EXPO, игроки смогут легко активировать профиль EXPO через BIOS для оптимизированной производительности и чрезвычайно плавного игрового процесса.

Доступность

Новые комплекты памяти высокой ёмкости DDR5 от T-FORCE и T-CREATE запланированы на мировой релиз в начале сентября 2025 года. Следите за обновлениями Team Group на всех основных каналах сбыта.

В настоящее время информация о ценах на эти комплекты памяти не разглашается.

techpowerup.com 
Павлик Олександр

Постоянная ссылка на новость

Память DDR6 появится в 2027 году: скорость до 17600 МТ/с и новая архитектура

Полупроводниковая промышленность активно ускоряет разработку нового стандарта памяти – DDR6, который, по прогнозам, станет доступным для потребителей в 2027 году.

Ведущие производители, такие как Samsung, Micron и SK Hynix, уже перешли от прототипирования к этапам тщательной проверки, работая в партнёрстве с Intel, AMD и NVIDIA.

Значительный прирост производительности и архитектурные изменения

Начальная пропускная способность DDR6 составит 8800 МТ/с, с планами масштабирования до впечатляющих 17600 МТ/с. Это почти вдвое превышает максимальную скорость современной памяти DDR5. Увеличение производительности достигается благодаря новой архитектуре DDR6 с четырьмя 24-битными подканалами, которая требует абсолютно новых методов для стабильности сигнала. Эта архитектура также отличается от текущей двухканальной 32-битной структуры DDR5.

Чтобы преодолеть физические ограничения, с которыми сталкиваются форм-факторы DIMM на более высоких скоростях, отрасль активно внедряет стандарт CAMM2. Ожидается, что серверные платформы первыми получат эту технологию, а затем её подхватят высокопроизводительные ноутбуки.

Этапы внедрения и рыночные перспективы

Валидация платформ с DDR6 запланирована на 2026 год, развёртывание на серверах – на 2027 год, после чего последует более широкая доступность для потребителей. Этот поэтапный путь напоминает внедрение DDR5, однако аналитики прогнозируют, что архитектурный скачок DDR6 может ускорить её адаптацию, особенно в средах искусственного интеллекта (ИИ) и высокопроизводительных вычислений (HPC).

Первоначальные модули DDR6, вероятно, будут иметь высокие цены, подобные ценам на DDR5 во время её дебюта в 2021 году. Это может ограничить раннее внедрение масштабными центрами обработки данных и исследовательскими лабораториями ИИ. Однако, учитывая растущий спрос ИИ и HPC на пропускную способность памяти, производители стремятся ускорить выпуск DDR6 для удовлетворения потребностей массовых вычислений. К 2027 году модули на базе CAMM2, работающие на скорости DDR6, вполне могут установить новый стандарт для высокопроизводительных систем.

techpowerup.com 
Павлик Олександр

Постоянная ссылка на новость

Samsung и SK Hynix откладывают отказ от DDR4 из-за высокого спроса

В конце прошлого месяца на рынке памяти наблюдался неожиданный рост спотовых цен на микросхемы DDR4 DRAM. Это произошло именно тогда, когда ведущие производители, включая тайваньские и южнокорейские компании, уже объявили о планах поэтапного отказа от этого стандарта, оставляя лишь минимальные запасы для удовлетворения остаточного спроса.

Оказалось, что почти десятилетнее присутствие стандарта DDR4 на рынке, начиная с процессоров Intel Core 6-го поколения "Skylake" (2013 год) и до текущего Core 14-го поколения "Raptor Lake Refresh", а также совместимость с платформой AMD Ryzen Socket AM4, создали огромную базу устройств. Это означает, что существует значительно больше пользователей, всё ещё ищущих обновления для своих систем на базе DDR4, чем ожидалось.

По информации Digitimes, южнокорейские гиганты SK Hynix и Samsung Electronics приостановили свои планы по сворачиванию производства микросхем DDR4. Они могут продолжать поставки до тех пор, пока спотовые цены на DDR4 не начнут существенно отставать от DDR5. В то же время обе компании будут действовать осторожно, чтобы избежать чрезмерного накопления запасов.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Постоянная ссылка на новость

JEDEC представил новый стандарт памяти LPDDR6

JEDEC объявила о публикации нового стандарта памяти LPDDR6 (JESD209-6). Этот стандарт разработан для значительного повышения скорости и эффективности памяти, что критически важно для будущих мобильных устройств и приложений с искусственным интеллектом.

LPDDR6 является шагом вперёд в технологии памяти, улучшая производительность, энергоэффективность и безопасность. Для поддержки ИИ-программ и других ресурсоёмких задач, LPDDR6 использует двухканальную архитектуру. Это обеспечивает гибкость работы и небольшую гранулярность доступа в 32 байта.

Ключевые улучшения LPDDR6:

  • Производительность: Двухканальная архитектура с 2 подканалами на кристалл и 12 линиями данных на подканал для оптимизации. Каждый подканал имеет 4 сигнала команд/адресов для уменьшения размера и повышения скорости. Гибкий доступ к данным поддерживает пакеты 32B и 64B. Динамическое завершение на кристалле (NT-ODT) улучшает целостность сигнала.
  • Энергоэффективность: Работает с более низким напряжением VDD2 и требует двух блоков питания VDD2. Использует команды чередования тактов для эффективности и динамическое масштабирование напряжения/частоты (DVFSL) для уменьшения потребления энергии на низких частотах. Поддерживает частичное и активное обновление для экономии энергии.
  • Безопасность и надёжность: Включает подсчёт активаций на строку (PRAC) для целостности данных, мета-режим выделения для критических задач, программируемую схему защиты канала связи и встроенную коррекцию ошибок (ECC). Поддерживает проверку чётности команд/адресов и встроенное самотестирование памяти (MBIST).

Эти нововведения делают LPDDR6 идеальным выбором для устройств следующего поколения, которым требуется баланс энергоэффективности, безопасности и высокой производительности.

tweaktown.com
Павлик Александр

Постоянная ссылка на новость

G.SKILL выпустила комплекты DDR5 памяти большого объёма для разгона

G.SKILL объявила о доступности новых комплектов высокопроизводительной памяти DDR5 большого объёма. Среди них — DDR5-6000 CL32 256 ГБ (64 ГБ x 4) и DDR5-6400 CL36 128 ГБ (64 ГБ x 2). Эти модули предназначены для высокопроизводительных вычислений, создания контента, задач ИИ и профессиональных рабочих станций, сочетая низкую задержку с большой ёмкостью.

G.SKILL предлагает линейку комплектов на основе модулей памяти DDR5 объёмом 64 ГБ. В частности, комплект DDR5-6000 CL32-44-44-96 общей ёмкостью 256 ГБ (64 ГБ x4) оптимизирован для настольных платформ AMD Ryzen DDR5 и поддерживает профиль разгона AMD EXPO. Он войдёт в серии G.SKILL Trident Z5 Neo RGB и Flare X5.

Помимо комплекта 256 ГБ, доступен также высокоскоростной комплект памяти DDR5-6400 CL36-44-44-102 объёмом 128 ГБ (64 ГБ x2). Эта спецификация проверена на совместимость с платформами Intel DDR5 и подходит для профессиональных применений и задач ИИ.

Важно отметить, что эти комплекты, основанные на новых микросхемах большого объёма 64 ГБ, потребуют обновления BIOS материнской платы (датированного 2025 годом или более новой версии) с поддержкой 64 ГБ модулей.

Новые комплекты памяти уже поставляются партнёрам G.SKILL по всему миру. Некоторые модели уже представлены в розничной торговле, ассортимент конфигураций будет расширяться.

techpowerup.com
Павлик Александр

Постоянная ссылка на новость

Модуль памяти G.Skill CAMM2 DDR5 достиг скорости разгона DDR5-10000 на плате ASUS Z890

G.SKILL в сотрудничестве с командой ASUS ROG успешно разогнала свой модуль памяти в новом форм-факторе DDR5 CAMM2, достигнув стабильной работы на скорости DDR5-10000.

Этот результат был получен с помощью модуля CAMM2 объёмом 64 ГБ на модифицированной материнской плате ASUS ROG Maximus Z890 Hero CAMM2 и настольном процессоре Intel Core Ultra 7 265K.

В ходе тестирования модуль CAMM2 от G.SKILL был разогнан до DDR5-10000 с таймингами CL52. Стабильность работы системы подтверждена 100% покрытием в программе Memtest.

Эта демонстрация является важным шагом в исследовании потенциала разгона памяти CAMM2. G.SKILL постоянно стремится к повышению производительности памяти, и сотрудничество с ASUS ROG позволяет им обеспечить поддержку высоких частот на будущих аппаратных платформах.

techpowerup.com
Павлик Александр

Постоянная ссылка на новость

Цены на DDR4 впервые превысили DDR5 на фоне сокращения производства

Впервые с момента появления DDR5 цены на модули памяти DDR4 стали выше. Это необычное явление вызвано сочетанием неопределённости тарифов и быстрого исчерпания запасов DDR4.

По данным TrendForce, цены на некоторые востребованные комплекты DDR4 выросли на 40% всего за неделю. DRAMeXchange сообщает, что средняя спотовая цена на 16-гигабитный модуль DDR4 (3200 МТ/с) от Samsung и SK Hynix достигла $12,50, с пиковыми предложениями до $24. В то же время комплекты DDR5 на 8 ГБ (4800-5600 МТ/с) стоят в среднем около $6, редко превышая $9.

Этот всплеск цен на DDR4 произошёл после объявления Micron о сокращении её производства до конца года, что ускорит истощение запасов в течение следующих 6-9 месяцев. Samsung также заявила о планах прекратить производство DDR4, сосредоточившись на DDR5 и высокоскоростной памяти. Китайская CXMT также сокращает выпуск DDR4, несмотря на недавнее достижение пиковых объёмов производства.

Тайваньская Nanya Technology стала одним из главных выгодоприобретателей этой ситуации, располагая значительными запасами DDR4. Компания даже приостановила публичное котирование цен, чтобы лучше управлять продажами в условиях повышенного спроса.

В технологической отрасли существуют опасения, что возобновление торговой напряжённости между США и Китаем может спровоцировать новую волну панических покупок. Если будут введены дополнительные тарифы на поставки DDR4 из Китая, стоимость этих модулей может вырасти более чем втрое по сравнению с ценой DDR5, продлив эту ценовую инверсию на более долгий срок.

techpowerup.com
Павлик Александр

Постоянная ссылка на новость

Micron прекращает производство DDR4 на фоне беспрецедентно высокого спроса

Micron уведомила своих клиентов о завершении срока службы продуктов памяти DDR4 в ближайшие кварталы, ожидая сокращения поставок в течение следующих шести-девяти месяцев. Это объявление согласуется с предыдущими планами Samsung и SK Hynix по прекращению производства DDR4 и сосредоточению на решениях памяти следующего поколения, таких как DDR5, LPDDR5 и высокоскоростная память.

В недавнем интервью исполнительный вице-президент и главный бизнес-директор Micron Сумит Садана признал, что поэтапный вывод из производства происходит в то время, когда спрос на DDR4 остаётся неожиданно высоким. Он отметил, что дефицит модулей DDR4 и LPDDR4 привёл к росту цен на спотовом рынке до уровней, которые в некоторых случаях превышают цены на более новые продукты DDR5.

Чтобы решить этот дисбаланс, Micron будет отдавать приоритет поставкам долгосрочным партнёрам в автомобильном, промышленном и сетевом секторах, где надёжность продукции и стабильность контрактов критически важны. Вывод DDR4 из производства отчасти был обусловлен конкурентным давлением со стороны китайских производителей памяти, которые наводнили рынок более дешёвыми модулями. Однако, отмечается, что этим новичкам может быть сложно сравниться с качеством, долгосрочной поддержкой и объёмами, предлагаемыми известными игроками.

Micron призывает свою клиентскую базу переходить на продукты DDR5 и LPDDR5, которые достигли конкурентных цен и предлагают превосходную пропускную способность и энергоэффективность.

techpowerup.com
Павлик Александр

Постоянная ссылка на новость

Показать еще