Kingston Technology в двадцатый раз названа крупнейшим в мире независимым поставщиком оперативной памяти

Фаунтин-Вэлли, Калифорния (США) — 1 ноября 2023  —  Американская компания Kingston Technology Company,  крупнейший в мире разработчик и производитель устройств хранения данных, по итогам  2022  года заняла 1-е место среди независимых поставщиков модулей оперативной памяти.

Согласно новому рейтингу поставщиков, подготовленному аналитической фирмой  TrendForce на основе данных о доходах,  объем продаж Kingston Technology  составил $13,5 млрд, что эквивалентно доле рынка в 78,12%.

По данным аналитиков TrendForce, компания из Fountain Valley сохраняет лидерство в рейтинге уже двадцатый год подряд. Особенно впечатляющим выглядит прошлогодний результат Kingston Technology, занявшей второе место с показателем всего 3,78%.

В десятку крупнейших независимых поставщиков оперативной памяти по версии TrendForce входят:

По данным аналитиков, в 2022 году мировые продажи модулей оперативной памяти снизились на 4,6% по сравнению с предыдущим периодом. При этом пять крупнейших производителей получили 90% выручки. Несмотря на высокое инфляционное падение потребительского спроса на электронную продукцию, высокая популярность бренда Kingston и разветвленная цепочка поставок позволили Kingston Technology не только смягчить влияние негативного тренда, но и укрепить свои позиции относительно конкурентов.

По словам Кристи Хернт (Kristi Hernt), менеджера по DRAM в Kingston Technology, «отчет TrendForce  отражает продолжающееся развитие компании, ее способность адаптироваться к меняющемуся рынку и ее важность для отрасли. В то же время компания Kingston стремится поддерживать темпы инноваций и предлагать потребителям новые продукты, которые полностью отвечают их потребностям».

В частности, в 2022 году были обновлены отмеченные наградами линейки модулей памяти Kingston FURY Beast DDR 5 и Renegade DDR 5. В дополнение к классическому черному дизайну, компания Kingston представила новые модели с белыми теплоотводами. Такой подход дал пользователям возможность выбрать тот цвет и стиль, которые максимально соответствуют их индивидуальным предпочтениям и наилучшим образом соответствуют современному дизайну игровых и профессиональных ПК, как традиционно черных, так и набирающих популярность полностью белых.

Kingston
Паровышник Валерий

G.SKILL анонсирует комплект памяти DDR5-8400 для процессора Intel Core 14-го поколения и набора микросхем Z790

G.SKILL International Enterprise Co., Ltd., ведущий мировой бренд производительной памяти для разгона и компонентов для ПК, рад объявить о выпуске новой спецификации комплекта памяти Trident Z5 RGB DDR5 DDR5-8400 CL40-52-52-134. 48 ГБ (2x24 ГБ) для новейшего процессора Intel Core 14-го поколения для настольных ПК и платформы на чипсете Intel Z790.

G.SKILL представляет новую спецификацию памяти DDR5 — DDR5-8400 CL40-52-52-134 с емкостью комплекта 48 ГБ (2x24 ГБ), она разработанна на базе новейшего процессора Intel Core 14-го поколения для настольных ПК и платформы чипсета Intel Z790. Как показано на снимке экрана ниже, этот сверхскоростной комплект памяти проверен на процессоре Intel Core i9-14900K для настольных ПК и материнской плате ASUS ROG Maximus Z790 Apex Encore и демонстрирует невероятную скорость полосы пропускания памяти: чтение 128,88 ГБ/с, запись 127,03 ГБ/с. и 123,83 ГБ/с в тесте пропускной способности памяти AIDA64.

Исследуя крайние пределы потенциала разгона памяти на новейшей платформе, G.SKILL также демонстрирует комплект памяти DDR5 2x24 ГБ DDR5-8600 CL40-54-54-136. Показанный на снимке экрана ниже, работающий на процессоре Intel Core i9-14900K для настольных ПК и материнской плате ASUS ROG Maximus Z790 Apex Encore, этот комплект памяти достигает поразительной пропускной способности памяти: 130,66 ГБ/с при чтении, 130,24 ГБ/с при записи и 126,31 ГБ/с в тесте пропускной способности памяти AIDA64.

Новый комплект памяти DDR5-8400 поставляется с профилем разгона памяти Intel XMP 3.0, который позволяет пользователям легко разгонять комплект памяти, просто включив профиль разгона XMP в BIOS при использовании совместимой материнской платы и процессора. Эта экстремальная спецификация памяти присоединится к семейству G.SKILL Trident Z5 RGB и будет доступна у авторизованных партнеров-дистрибьюторов G.SKILL к концу октября.

techpowerup.com
Паровышник Валерий

Kingston FURY представляет новые модули памяти DDR4

Долина Фонтанов, Калифорния (США) — 17 октября  2023     —

Kingston FURY, специализированное подразделение американской компании    Kingston Technology, объявило о старте продаж оперативной памяти Kingston FURY™ Renegade DDR4  в новом дизайне.

 Кристи Эрнт (Kristi Ernt), менеджер   по DRAM компании Kingston, сказала: «Новые модули памяти предназначены не только для повышения производительности в играх, потоковой передаче, редактировании видео и т. д., но и для того, чтобы открыть пользователям новые способы самовыражения и своего личного стиля.  Для этого мы обновили дизайн радиаторов и увеличили количество светодиодов в модулях с подсветкой, чтобы сделать световые эффекты еще более разнообразными и удивительными».

 Модули памяти Kingston FURY Renegade DDR4  способны работать с впечатляющей скоростью до 5333 МТ/с,  что делает ее идеальным выбором для пользователей, которым требуется максимальная производительность. Стильные теплоотводчики в корпусах, сочетающих в себе графитовый и черный цвета, подчеркивают эстетику персонального компьютера, и эффективно рассеивают тепло для оптимальной производительности системы.

   Модули памяти Kingston FURY RenegadeDDR 4  RGB оснащены  RGB-подсветкой   с 10 светодиодами и современным рассеивателем света, который позволяет создавать плавные, синхронизированные световые эффекты с помощью запатентованной технологии инфракрасной синхронизации FURY   компании Kingston™. В то же время модули памяти обеспечивают скорость  до  4600 МТ/с, что дает пользователям возможность повысить частоту кадров при трансляции и производительность рабочего процесса, а также получить дополнительное игровое преимущество, быстрее реагируя на меняющиеся ситуации.

Стоит отметить, что обновленные модули памяти Kingston FURY Ren egade DDR4 были выпущены вскоре после обновления  Kingston FURY Beast DDR4 RGB, которое также сочетает в себе высокую производительность (до 3733 МТ/с) с эксклюзивным черным дизайном и динамической RGB-подсветкой.  

Динамическое освещение модулей Kingston FURY Renegade DDR4 RGB и  Kingston FURY Beast DDR4 RGB  можно дополнительно настроить с помощью специального программного обеспечения  Kingston FURY CTRL, выбрав  и настроив один из 18 предустановленных световых эффектов.

  Модули памяти Kingston FURY Renegade DDR 4 и Kingston FURY  Beast4  совместимы с процессорами AMD Ryzen и Intel XMP  Certified или XMP Ready  и готовы к работе с профилями, оптимизированными для новейших чипсетов  AMD и  Intel®  .Также доступны профили для  автоматического разгона Plug N Play³  со скоростью 2666 МТ/с.

Новая память Kingston FURY Renegade DDR4 доступна в виде автономных модулей объемом от 8 ГБ до  32 ГБ B, а также комплектов из двух, четырех и восьми модулей объемом от  16 ГБ   до 256 ГБ.

Все модули памяти проходят строгие заводские испытания на рабочих скоростях и имеют ограниченную гарантию на весь срок использования.

Более подробную информацию можно найти на сайте kingston.ком.

Характеристики Kingston FURY Renegade DDR4 RGB:

• Стильная RGB-подсветка: оживите свою рабочую станцию с помощью впечатляюще плавных динамических эффектов  RGB-подсветки.

• Запатентованная компанией Kingston технология инфракрасной синхронизации FURY™:  динамические световые эффекты RGB идеально синхронизированы с запатентованной технологией™ инфракрасной синхронизации.
  
  
• Эффективный алюминиевый теплорассеиватель  с плавными эффектами подсветки: черный алюминиевый теплорассеиватель в графитовом и черном  цветах, а также черная печатная плата подчеркивают поразительные эффекты RGB, которые придают системе особый и уникальный стиль.

• Профили Intel XMP Certified или Ready:  Технология Intel Extreme Memory Profile делает разгон проще, чем когда-либо. Чтобы получить все преимущества оверклокинга, просто выберите  один из  встроенных профилей в программе настройки BIOS, которые уже были предварительно настроены профессиональными инженерами.
• Совместимость с процессорами AMD Ryzen: память  с поддержкой™ процессоров Ryzen  легко интегрируется в  системы на базе процессоров  AMD.

 Спецификация Kingston FURY Renegade DDR4 RGB:

• Вместимость:
  
             Один модуль – 8, 16 и 32 ГБ
             Комплект из 2 модулей – 16, 32 и 64 ГБ
             Комплект из 4 модулей – 32, 64 и 128 ГБ
             Комплект из 8  модулей – 256 Г

• Скорость:  3200, 3600, 4000, 4266 и 4 600 MT/s
• Схемы таймингов: CL 16, CL 18, CL 19
• Напряжение питания: 1,35, 1,4 и 1,5 В
• Рабочая температура:  от 0 до +70 °C
• Размеры модуля: 133,35  x  45,76 x 8,29 мм

Особенности памяти Kingston FURY Renegade DDR4:

• Высокая скорость и низкая задержка для экстремальной производительности: Благодаря скорости до  5333 МТ/с в сочетании с короткими временными схемами CL 16-CL 20 модули  Kingston FURY RenegadeDDR 4  обеспечивают системам  на базе AMD или Intel  высочайшую производительность в играх, редактировании видео и потоковой передаче.  

•  Профили Intel XMP Certified или Ready:  Технология Intel Extreme Memory Profile делает разгон проще, чем когда-либо. Чтобы получить все преимущества оверклокинга, просто выберите  один из встроенных профилей в программе настройки BIOS, которые уже были предварительно настроены профессиональными инженерами.

• Совместимость с процессорами AMD Ryzen: память  с поддержкой™ процессоров Ryzen  легко интегрируется в  системы на базе процессоров  AMD.

• Эффективный алюминиевый рассеиватель тепла: Черный алюминиевый рассеиватель тепла в графитовом и черном цветах, а также черная печатная плата придают системе особую эстетику и подчеркивают индивидуальный стиль пользователя.

 Спецификация Kingston FURY Renegade DDR4 RGB:

•  Вместимость:

                      Один модуль – 8, 16 и 32 ГБ
                      Комплект из 2 модулей – 16, 32 и 64 ГБ
                      Комплект из 4 модулей – 32, 64 и 128 ГБ
                      Комплект из 8 модулей – 256 ГБ

• Скорость:  3200, 3600, 4000, 4266, 4 600, 4800 и 5333 MT/s
• Схемы таймингов: CL 16, CL 18, CL 19  ,  КЛ20
• Напряжение питания: 1,35, 1,4, 1,5 и 1,6 В
• Рабочая температура:  от 0 до +85 °C
• Размеры модуля:           133.35  x  41.98 x 8.29 мм

Kingston.com
Паровышник Валерий

Samsung отмечает: память HBM4 появится в 2025 году с новой технологией сборки

Согласно редакционному сообщению, опубликованному в блоге Samsung Санджуном Хваном, исполнительным вице-президентом и главой группы продуктов и технологий DRAM в Samsung Electronics, у нас есть информация о том, что High-Bandwidth Memory 4 (HBM4) появится в 2025 году. В недавнем графике разработки HBM мы увидели первое появление памяти HBM в 2015 году с AMD Radeon R9 Fury X. Второе поколение HBM2 появилось с NVIDIA Tesla P100 в 2016 году, а третье поколение HBM3 увидело свет с Графическим процессором NVIDIA Hopper GH100 в 2022 году. В настоящее время Samsung разработала память HBM3E со скоростью 9,8 Гбит/с, которую вскоре начнут предлагать клиентам.

Однако на этот раз Samsung более амбициозна в отношении сроков разработки и планирует анонсировать HBM4 в 2025 году, возможно, с коммерческими продуктами в том же календарном году. Интересно, что в памяти HBM4 будут реализованы некоторые технологии, оптимизированные для высоких тепловых свойств, такие как сборка из непроводящей пленки (NCF) и гибридная медная связь (HCB). NCF — это полимерный слой, который повышает стабильность микровыступов и TSV в чипе, поэтому пластины для пайки памяти защищены от ударов. Гибридное медное соединение — это усовершенствованный метод упаковки полупроводников, который создает прямые соединения медь-медь между полупроводниковыми компонентами, что позволяет создавать трехмерную упаковку высокой плотности. Он обеспечивает высокую плотность ввода-вывода, расширенную полосу пропускания и повышенную энергоэффективность. В нем используется медный слой в качестве проводника и оксидный изолятор вместо обычных микровыступов, чтобы увеличить плотность соединения, необходимую для структур, подобных HBM.

techpowerup.com
Паровышник Валерий

SK hynix разрабатывает самую производительную в мире память HBM3E

Компания SK hynix Inc. объявила сегодня об успешной разработке следующего поколения DRAM HBM3E, с самыми высокими техническими характеристиками для приложений ИИ, доступных в настоящее время, и сообщила, что в настоящее время проводится оценка образцов заказчиком. SK hynix планирует начать массовое производство HBM3E с первой половины следующего года и укрепить свое непревзойденное лидерство на рынке памяти AI.

По словам компании, новейший продукт не только соответствует самым высоким отраслевым стандартам скорости, что является ключевой спецификацией для продуктов памяти для искусственного интеллекта, но и всем категориям, включая емкость, рассеивание тепла и удобство для пользователя. Что касается скорости, HBM3E может обрабатывать данные со скоростью до 1,15 терабайт в секунду, что эквивалентно обработке более 230 фильмов в формате Full-HD размером 5 ГБ каждый за секунду.

Кроме того, в продукте на 10 % улучшено рассеивание тепла благодаря внедрению в новейший продукт передовой технологии формованной заливки методом литья под давлением с массовым оплавлением, или MR-MUF. Он также обеспечивает обратную совместимость, что позволяет внедрять новейший продукт даже в системы, подготовленные для HBM3, без изменения конструкции или структуры.

«У нас долгая история сотрудничества с SK hynix в области памяти с высокой пропускной способностью для передовых решений с ускоренными вычислениями, — сказал Ян Бак, вице-президент по гипермасштабированию и высокопроизводительным вычислениям в NVIDIA. «Мы с нетерпением ждем продолжения нашего сотрудничества с HBM3E для получения следующего поколения вычислений ИИ».

Сунгсу Рю, руководитель отдела планирования продуктов DRAM в SK hynix, сказал, что компания благодаря разработке HBM3E укрепила свое лидерство на рынке за счет дальнейшего расширения линейки продуктов HBM, которая находится в центре внимания на фоне развития технологии искусственного интеллекта. «Увеличивая долю поставок дорогостоящих продуктов HBM, SK hynix также будет стремиться к быстрому оздоровлению бизнеса».

techpowerup.com
Паровышник Валерий

Samsung обещает выпустить 300-слойную память V-NAND в 2024 году

Похоже, что Samsung готовится победить SK Hynix в гонке за более чем 300 слойную NAND Flash, по крайней мере, согласно сообщениям, поступающим из Южной Кореи. Seoul Economic Daily утверждает в эксклюзивном сообщении, что Samsung будет иметь чип V-NAND с более чем 300 слоями (V для вертикальной или 3D NAND), готовый к производству в 2024 году и, таким образом, может превзойти SK Hynix на целый год. В настоящее время наиболее передовая NAND-память Samsung представляет собой 236-слойный продукт, что на четыре слоя больше, чем у Micron и YMTC, но на два меньше, чем у SK Hynix.

Что бросается в глаза в новостях Seoul Economic Daily, так это то, что в отличие от SK Hynix, которая собирается использовать сэндвич с тройным стеком, Samsung, по-видимому, будет использовать два стека. Это означает, что Samsung стремится к более чем 150 слоям NAND на стек, что кажется большим риском, когда речь идет о производительности. Чем выше стек, тем выше вероятность отказа, но, возможно, Samsung нашла решение этой потенциальной проблемы. Поскольку современная 3D NAND основана на сквозных кремниевых отверстиях перехода, что позволяет более проще производить плотные стеки, чем в прошлом, когда использовалось проводное соединение, но даже в этом случае Samsung может пойти на большой риск. Тем не менее, учитывая текущий низкий спрос и новости о дальнейшем сокращении производства, Samsung может использовать свои фабрики для тестирования этой новой, более плотной NAND, чтобы увидеть, сможет ли компания производить ее без проблем. Дорожная карта Samsung предусматривает выпуск продукта V-NAND с более чем 1000 слоями к 2030 году, но похоже, что путь к этому еще долог и сложен.

techpowerup.com
Паровышник Валерий

Память Samsung GDDR7 работает при более низком напряжении и построена на том же чипе, что и G6 24 Гбит/с

Samsung в среду объявила о массовом производстве первых в мире чипов памяти GDDR7 следующего поколения, а Райан Смит из AnandTech получил от компании несколько технических подробностей. Судя по всему, первая производственная версия памяти GDDR7 компании построена на том же узле кремниевого D1z, что и чип памяти GDDR6 24 Гбит/с — самый быстрый чип GDDR6 в производстве. D1z — это литейный узел класса 10 нм, в котором используется литография EUV.

Смит также получил некоторые электрические характеристики. Чип памяти GDDR7 первого поколения обеспечивает скорость передачи данных 32 Гбит/с при напряжении DRAM 1,2 В по сравнению с 1,35 В, с которым работают некоторые высокоскоростные чипы GDDR6. В то время как pJpb (пикоджоули на бит) на 7% выше, чем у текущего поколения в абсолютном выражении, для предлагаемой скорости передачи данных 32 Гбит/с она на 20% ниже по сравнению с чипом GDDR6 24 Гбит/с. Проще говоря, GDDR7 на 20% более энергоэффективна. Смит отмечает, что этот выигрыш в энергоэффективности является чисто архитектурным и не является следствием каких-либо усовершенствований узла D1z. GDDR7 использует схему сигналов PAM3 по сравнению со схемой сигналов NRZ обычной для GDDR6 и сигналов PAM4 стандарта GDDR6X, отличных от JEDEC, который NVIDIA разработал совместно с Micron Technology.

techpowerup.com
Паровышник Валерий

Team Group увеличивает емкость промышленной памяти DDR5

Ведущий бренд памяти Team Group увеличил емкость своих промышленных продуктов памяти серии DDR5, используя свои выдающиеся возможности в области исследований и разработок и проектирования продуктов, взяв на себя ведущую роль в запуске модуля емкостью 48 ГБ, а также на 24 ГБ. Увеличенная емкость применяется ко всем типам продуктов DDR5, включая модули памяти DDR5 без ECC U/SO-DIMM, класс DDR5 ECC U/SO-DIMM и модули памяти DDR5 ECC R-DIMM. Они обеспечивают более высокую производительность для приложений, использующих высокопроизводительные граничные вычисления, встроенные компьютеры, персональные рабочие станции и многое другое.

Текущая промышленная память DDR5 на рынке имеет максимальную емкость около 32 ГБ на модуль. Однако с развитием таких технологий, как облачные вычисления, ИИ вычисления, интернет вещей и большие базы данных, потребность в емкости памяти возрастает. Пограничным вычислительным системам необходимо обрабатывать большие объемы данных с различных датчиков и устройств, а также выполнять сложные расчеты и анализы, требующие большого объема памяти и производительности. Чтобы удовлетворить этот спрос, Team Group увеличила емкость своей промышленной памяти DDR5, предложив новые модули емкостью 24 ГБ и 48 ГБ. Они обеспечивают большую гибкость приложений и позволяют пользователям лучше справляться с большими наборами данных, сложным моделированием и аналитическими задачами. Расширенные возможности значительно повысят производительность и вычислительную мощность периферийных вычислительных систем, предоставив пользователям возможность более эффективно запускать различные приложения и алгоритмы.

В дополнение к увеличению емкости, вся промышленная память Team Group DDR5 может быть оснащена запатентованными графеновыми радиаторами, которые обеспечивают более высокую и стабильную производительность чтения и записи, чем обычные радиаторы, в устойчивых высокотемпературных условиях. Таким образом, модули имеют увеличенный срок службы, и клиенты могут наслаждаться повышенной надежностью и долговечностью при промышленном применении. Team Group продолжит внедрять инновации и создавать самые надежные решения для изменяющейся среды и потребностей рынка промышленных систем хранения данных.

techpowerup.com
Паровышник Валерий