SK hynix разрабатывает самую производительную в мире память HBM3E

Компания SK hynix Inc. объявила сегодня об успешной разработке следующего поколения DRAM HBM3E, с самыми высокими техническими характеристиками для приложений ИИ, доступных в настоящее время, и сообщила, что в настоящее время проводится оценка образцов заказчиком. SK hynix планирует начать массовое производство HBM3E с первой половины следующего года и укрепить свое непревзойденное лидерство на рынке памяти AI.

По словам компании, новейший продукт не только соответствует самым высоким отраслевым стандартам скорости, что является ключевой спецификацией для продуктов памяти для искусственного интеллекта, но и всем категориям, включая емкость, рассеивание тепла и удобство для пользователя. Что касается скорости, HBM3E может обрабатывать данные со скоростью до 1,15 терабайт в секунду, что эквивалентно обработке более 230 фильмов в формате Full-HD размером 5 ГБ каждый за секунду.

Кроме того, в продукте на 10 % улучшено рассеивание тепла благодаря внедрению в новейший продукт передовой технологии формованной заливки методом литья под давлением с массовым оплавлением, или MR-MUF. Он также обеспечивает обратную совместимость, что позволяет внедрять новейший продукт даже в системы, подготовленные для HBM3, без изменения конструкции или структуры.

«У нас долгая история сотрудничества с SK hynix в области памяти с высокой пропускной способностью для передовых решений с ускоренными вычислениями, — сказал Ян Бак, вице-президент по гипермасштабированию и высокопроизводительным вычислениям в NVIDIA. «Мы с нетерпением ждем продолжения нашего сотрудничества с HBM3E для получения следующего поколения вычислений ИИ».

Сунгсу Рю, руководитель отдела планирования продуктов DRAM в SK hynix, сказал, что компания благодаря разработке HBM3E укрепила свое лидерство на рынке за счет дальнейшего расширения линейки продуктов HBM, которая находится в центре внимания на фоне развития технологии искусственного интеллекта. «Увеличивая долю поставок дорогостоящих продуктов HBM, SK hynix также будет стремиться к быстрому оздоровлению бизнеса».

techpowerup.com
Паровышник Валерий

Samsung обещает выпустить 300-слойную память V-NAND в 2024 году

Похоже, что Samsung готовится победить SK Hynix в гонке за более чем 300 слойную NAND Flash, по крайней мере, согласно сообщениям, поступающим из Южной Кореи. Seoul Economic Daily утверждает в эксклюзивном сообщении, что Samsung будет иметь чип V-NAND с более чем 300 слоями (V для вертикальной или 3D NAND), готовый к производству в 2024 году и, таким образом, может превзойти SK Hynix на целый год. В настоящее время наиболее передовая NAND-память Samsung представляет собой 236-слойный продукт, что на четыре слоя больше, чем у Micron и YMTC, но на два меньше, чем у SK Hynix.

Что бросается в глаза в новостях Seoul Economic Daily, так это то, что в отличие от SK Hynix, которая собирается использовать сэндвич с тройным стеком, Samsung, по-видимому, будет использовать два стека. Это означает, что Samsung стремится к более чем 150 слоям NAND на стек, что кажется большим риском, когда речь идет о производительности. Чем выше стек, тем выше вероятность отказа, но, возможно, Samsung нашла решение этой потенциальной проблемы. Поскольку современная 3D NAND основана на сквозных кремниевых отверстиях перехода, что позволяет более проще производить плотные стеки, чем в прошлом, когда использовалось проводное соединение, но даже в этом случае Samsung может пойти на большой риск. Тем не менее, учитывая текущий низкий спрос и новости о дальнейшем сокращении производства, Samsung может использовать свои фабрики для тестирования этой новой, более плотной NAND, чтобы увидеть, сможет ли компания производить ее без проблем. Дорожная карта Samsung предусматривает выпуск продукта V-NAND с более чем 1000 слоями к 2030 году, но похоже, что путь к этому еще долог и сложен.

techpowerup.com
Паровышник Валерий

Память Samsung GDDR7 работает при более низком напряжении и построена на том же чипе, что и G6 24 Гбит/с

Samsung в среду объявила о массовом производстве первых в мире чипов памяти GDDR7 следующего поколения, а Райан Смит из AnandTech получил от компании несколько технических подробностей. Судя по всему, первая производственная версия памяти GDDR7 компании построена на том же узле кремниевого D1z, что и чип памяти GDDR6 24 Гбит/с — самый быстрый чип GDDR6 в производстве. D1z — это литейный узел класса 10 нм, в котором используется литография EUV.

Смит также получил некоторые электрические характеристики. Чип памяти GDDR7 первого поколения обеспечивает скорость передачи данных 32 Гбит/с при напряжении DRAM 1,2 В по сравнению с 1,35 В, с которым работают некоторые высокоскоростные чипы GDDR6. В то время как pJpb (пикоджоули на бит) на 7% выше, чем у текущего поколения в абсолютном выражении, для предлагаемой скорости передачи данных 32 Гбит/с она на 20% ниже по сравнению с чипом GDDR6 24 Гбит/с. Проще говоря, GDDR7 на 20% более энергоэффективна. Смит отмечает, что этот выигрыш в энергоэффективности является чисто архитектурным и не является следствием каких-либо усовершенствований узла D1z. GDDR7 использует схему сигналов PAM3 по сравнению со схемой сигналов NRZ обычной для GDDR6 и сигналов PAM4 стандарта GDDR6X, отличных от JEDEC, который NVIDIA разработал совместно с Micron Technology.

techpowerup.com
Паровышник Валерий

Team Group увеличивает емкость промышленной памяти DDR5

Ведущий бренд памяти Team Group увеличил емкость своих промышленных продуктов памяти серии DDR5, используя свои выдающиеся возможности в области исследований и разработок и проектирования продуктов, взяв на себя ведущую роль в запуске модуля емкостью 48 ГБ, а также на 24 ГБ. Увеличенная емкость применяется ко всем типам продуктов DDR5, включая модули памяти DDR5 без ECC U/SO-DIMM, класс DDR5 ECC U/SO-DIMM и модули памяти DDR5 ECC R-DIMM. Они обеспечивают более высокую производительность для приложений, использующих высокопроизводительные граничные вычисления, встроенные компьютеры, персональные рабочие станции и многое другое.

Текущая промышленная память DDR5 на рынке имеет максимальную емкость около 32 ГБ на модуль. Однако с развитием таких технологий, как облачные вычисления, ИИ вычисления, интернет вещей и большие базы данных, потребность в емкости памяти возрастает. Пограничным вычислительным системам необходимо обрабатывать большие объемы данных с различных датчиков и устройств, а также выполнять сложные расчеты и анализы, требующие большого объема памяти и производительности. Чтобы удовлетворить этот спрос, Team Group увеличила емкость своей промышленной памяти DDR5, предложив новые модули емкостью 24 ГБ и 48 ГБ. Они обеспечивают большую гибкость приложений и позволяют пользователям лучше справляться с большими наборами данных, сложным моделированием и аналитическими задачами. Расширенные возможности значительно повысят производительность и вычислительную мощность периферийных вычислительных систем, предоставив пользователям возможность более эффективно запускать различные приложения и алгоритмы.

В дополнение к увеличению емкости, вся промышленная память Team Group DDR5 может быть оснащена запатентованными графеновыми радиаторами, которые обеспечивают более высокую и стабильную производительность чтения и записи, чем обычные радиаторы, в устойчивых высокотемпературных условиях. Таким образом, модули имеют увеличенный срок службы, и клиенты могут наслаждаться повышенной надежностью и долговечностью при промышленном применении. Team Group продолжит внедрять инновации и создавать самые надежные решения для изменяющейся среды и потребностей рынка промышленных систем хранения данных.

techpowerup.com
Паровышник Валерий

G.SKILL выпускает серию White Trident Z5 RGB DDR5

G.SKILL International Enterprise Co., Ltd., ведущий мировой бренд высокопроизводительной памяти для разгона и компонентов для ПК, с радостью представляет новую белую версию своей флагманской памяти Trident Z5 RGB серии DDR5, обеспечивающую экстремальную скорость разгона до DDR5. -8200 при емкости 24 ГБ x 2 комплекта.

Новая белая версия серии Trident Z5 RGB может похвастаться гладким белым алюминиевым теплораспределителем и черной полосой из полированного алюминия, вставленной по центру, предоставляя энтузиастам ПК идеальный высокопроизводительный разогнанный комплект памяти в белой тематической сборке ПК.

Вслед за большим успехом флагманской памяти DDR5 серии Trident Z5 RGB, эта новая белая версия сочетает в себе как разогнанную производительность, так и премиальную эстетику в одном пакете памяти. Благодаря спецификациям, достигающим уровня DDR5-8200 CL40 24 ГБ x 2, а также популярным спецификациям с низкой задержкой DDR5-6000 CL30 или CL32, он предназначен для энтузиастов ПК и оверклокеров, которые ищут максимальную производительность и стиль для своих ПК. Список спецификаций, запланированных для запуска белой версии серии Trident Z5 RGB, см. в следующей таблице:

Эти новые белые комплекты памяти DDR5 серии Trident Z5 RGB поддерживают профили разгона памяти Intel XMP 3.0 и будут доступны авторизованным партнерам-дистрибьюторам G.SKILL в третьем квартале 2023 года.

techpowerup.com
Паровышник Валерий

G.SKILL готовит недвоичные модули памяти DDR5 объемом 24 ГБ с поддержкой AMD EXPO

MEGAsizeGPU загрузила фотографии невыпущенных модулей DIMM G.Skill — они утверждают, что появившееся оборудование «является первым в мире выставочным модулем 24G*2 DDR5: F5-6000J4048F24GX2-TZ5NR». Память Trident Z5 следующего поколения рассчитана на скорость передачи данных 6000 МТ/с, а крупные планы этикеток на радиаторах указывают на то, что образцы представляют собой недвоичные модули памяти DDR5 емкостью 24 ГБ, которые могут поддерживать профили EXPO для процессоров AMD Ryzen серии 7000. MEGAsizeGPU утверждает, что «6000 МГц — это наилучшее решение для Ryzen» (AM5).

Снимки за кадром показывают, как система ПК загружается в режиме DDR5-6000 — в среде ОС Windows CPU-Z демонстрирует, что эти новые модули Trident Z5 основаны на микросхемах DRAM 24 Гб производства SpecTek (вместо двоичных 16 Гб) — SpecTek подразделение, работающее под управлением Micron Technology. G.SKILL, скорее всего, будет продавать недвоичную память Z5 парами, поэтому мы ожидаем, что вскоре на рынке появятся соответствующие двухканальные комплекты емкостью 48 ГБ. MEGAsizeGPU ничего не упомянул о цене или доступности. Kingston представила свои собственные предложения недвоичной памяти на Computex 2023, но в имеющихся презентационных материалах не упоминалось, поддерживают ли их новые модели расширенные профили AMD для разгона (EXPO).

techpowerup.com
Паровышник Валерий

Память G.SKILL DDR5 разогнали до DDR5-11240 и добились других рекордов разгона на Computex 2023

G.SKILL International Enterprise Co., Ltd., мировой лидер в области высокопроизводительного разгона памяти и компонентов для ПК, рада сообщить, что за время Computex было достигнуто несколько рекордов разгона, в том числе самый быстрый рекорд частоты DDR5 на уровне DDR5-11240, с использованием памяти G.SKILL DDR5 и платформ Intel. В этом году во время Computex самый быстрый мировой рекорд частоты DDR5 был установлен Seby9123 с использованием материнской платы ASUS ROG Maximus Z790 Apex, Intel Core i9-13900KS и памяти G.SKILL DDR5.

Благодаря выдающимся навыкам разгона лучших в мире специалистов по экстремальному разгону и невероятной производительности первоклассного оборудования от Intel и производителей высокопроизводительных материнских плат за время Computex было достигнуто несколько рекордов разгона. В таблице ниже приведен список достигнутых рекордов разгона и использования оборудования, включая некоторые категории тестов, рекорды которых были побиты более одного раза.

techpowerup.com
Паровышник Валерий

Kingston Technology выпускает модули Server Premier 5600 МТ/с и 5200 МТ/с DDR5 ECC UDIMM и ECC SODIMM

Вот уже более 35 лет Kingston является брендом памяти, которому доверяют ведущие производители серверов и крупнейшие мировые центры обработки данных. Server Premier — это решение Kingston для памяти серверного класса, являющееся отраслевым стандартом, со спецификациями для использования в системах «white-box» и в платформах Intel с проверкой и сертификацией ведущими производителями материнских плат и систем. Имея заблокированную спецификацию (Bill of Materials) для обеспечения единообразия бренда и версии основных компонентов (включая DRAM, PMIC, концентратор SPD, термодатчики и печатную плату), все решения Kingston для серверной памяти проходят 100% тестирование и тщательную динамическую проверку. – процессами, предназначенными для обнаружения сбоев еще на заводе.

Server Premier включают в себя:

• Cпецификацию (BOM)
• Уведомления (PCN) — 90 дней
• Дорожную карту 8Q
• Проверку платформы
• Рекоммендацию ведущего производителя материнских плат для серверов
• Ограниченную пожизненную гарантию
• Лучший в отрасли сервис и поддержку

«Мы с гордостью сообщаем о доступности скоростей DDR5 5600 МТ/с и 5200 МТ/с для небуферизованных модулей DIMM и SODIMM с ECC, — сказал Майк Мони (Mike Mohney), старший менеджер по технологиям DRAM, Kingston. «Новейшие системы Intel и AMD DDR5, поддерживающие ECC, смогут воспользоваться улучшенной целостностью данных, доступной с этими новыми модулями».

В дополнение к ECC (ODECC), встроенному в каждый чип DDR5 DRAM, эти новые модули оснащены дополнительной DRAM для поддержки алгоритма ECC с поддержкой на процессорах Intel и AMD, обеспечивая повышенную целостность данных и стабильность для массовых и мобильных рабочих станций.

techpowerup.com
Паровышник Валерий