CES 2015: Kingston представила оперативную память серий HyperX Predator DDR4 и HyperX Fury DDR4

Выставки CES, MWC, CeBIT, Computex и многие другие подобны далеким ярким звездам на небосводе: свет от представленных на них продуктов еще длительное время после их закрытия озаряет мир технологий и дает нам пищу для размышлений.

Например, лишь на днях стало известно, что компания Kingston в рамках CES 2015 анонсировала новые серии оперативной памяти: HyperX Predator DDR4 и HyperX Fury DDR4. Первые новинки нацелены на оверклокеров и энтузиастов. Высокие тактовые частоты (DDR4-3000 МГц и выше) и минимально-необходимые задержки (15-16-16-39 и лучше) в них будут сочетаться с 10-слойной печатной платой и высокими радиаторами, что должно сопутствовать установке новых мировых рекордов.

Решения серии Kingston HyperX Fury DDR4 нацелены на использование в высокопроизводительных игровых ПК. Их скорости не так значительны (до DDR4-3000 МГц), но низкопрофильная конструкция, отборные компоненты, высокое качество исполнения и привлекательный дизайн обязательно привлекут внимание многих пользователей.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4 – стильная и производительная оперативная память

В августе 2014 года на рынке появилась новая серия оперативной памяти стандарта DDR4 - ADATA XPG Z1. Она была представлена модулями с частотой от DDR4-2133 МГц до DDR4-2800 МГц, работающими при напряжении 1,2 В.

На днях эта линейка пополнилась новыми решениями - ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4. Во-первых, они отличаются повышенным уровнем производительности, ведь их тактовые частоты находятся в диапазоне от DDR4-3000 МГц до DDR4-3333 МГц. Для достижения таких показателей пришлось повысить номинальное рабочее напряжение до 1,35 В, однако это существенно ниже уровня 1,5 – 1,65 В, необходимого для DDR3-памяти.

Во-вторых, ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4 отличается золотистым цветом радиатора, в то время как остальные модули доступны с красным теплораспределителем. Приятно отметить, что в новинках используется технология Thermal Conductive и 10-слойная печатная плата с увеличенным объемом меди в проводящих дорожках. Благодаря этому обеспечивается стабильная и надежная работа новинок на столь высоких частотах, а также реализуется эффективное охлаждение самих микросхем памяти.

В продажу модули поступят с пожизненной гарантией. Сводная таблица технической спецификации оперативной памяти ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4:

http://www.adata.com
Сергей Будиловский

Samsung примется за серийное производство чипов мобильной памяти LPDDR4 объемом 4 ГБ уже в 2015 году

Недавно компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых чипов памяти LPDDR4 для смартфонов и планшетов.

Согласно заявлениям производителей, новые чипы выпускаются по 20-нанометровой технологии и предлагают скорость передачи данных на уровне 3200 Мбит/с. Благодаря последнему показателю, который вдвое выше скорости памяти DDR3, теперь становится возможным записывать и воспроизводить видео формата UHD, осуществлять серийную съемку с разрешением более 20 Мп, а также снизить энергопотребление на 40% по сравнению с LPDDR3.

Также вице-президент компании Джу Сан Чой (Joo Sun Choi) сообщает, что благодаря использованию фирменной технологии LVSTL (low-voltage swing-terminated logic) удалось дополнительно уменьшить энергопотребление и в то же время обеспечить работу на высокой скорости при низком напряжении питания.   

Известно, что компания Samsung уже начала поставки чипов LPDDR4 объемом 2 и 3 ГБ на рынок мобильных устройств. Что касается микросхем объемом 4 ГБ, производитель сообщает, что первые поставки состоятся уже в первом квартале 2015 года. 

http://www.phonearena.com
Мартынец Мария

В 2015 году смартфоны перейдут на память LPDDR4

В следующем году память стандарта DDR4 будет завоевывать все больше поклонников в сегменте десктопных ПК, а ее аналог на мобильном рынке – LPDDR4 – начнет свою поступь в сфере смартфонов и планшетов. Существуют все предпосылки для того, чтобы переход с LPDDR3 на LPDDR4 произошел существенно быстрее, чем с DDR3 на DDR4. Во-первых, скорость передачи данных ввода / вывода в LPDDR3 заявлена на уровне 2133 MT/s, а у LPDDR4 она составит для начала 3200 MT/s с последующим поднятием до 4266 MT/s. Рабочая частота увеличится в два раза (с 800 МГц для LPDDR3 до 1600 МГц для LPDDR4), аналогично возрастет и пропускная способность (с 12,8 до 25,6 ГБ/с), а вот потребление энергии снизится практически на 10% (с 1,2 до 1,1 В). Все это более существенно повлияет на производительность и энергоэффективность новых смартфонов, поэтому ключевые игроки захотят побыстрее интегрировать данный стандарт.

Известно, что флагманский процессор Qualcomm Snapdragon 810 будет поддерживать двухканальную память LPDDR4-1600 МГц, а вот версии с индексами «808», «805» и «801» лишены такой возможности. Ожидается, что новый процессор компании NVIDIA (NVIDIA Erista) также предложит поддержку этого стандарта памяти. С подобными предложениями должны выйти также компании Intel, MediaTek и даже Apple. Что же касается производителей самих чипов, то аналитики предсказывают компании Samsung 30% рынка памяти LPDDR4 по результатам 4 квартала 2015 года. У Sk Hynix будет порядка 18%, а Micron заберет себе 25%.

http://www.fudzilla.com
Сергей Будиловский

Оперативная память GOODRAM DDR4 официально в Украине!

Польская фирма Wilk Elektronik, единственный производитель памяти в Центрально-Восточной Европе, представила в Украине новейшую память RAM четвертого поколения под брендом GOODRAM, ориентированную на самых требовательных пользователей. Сам производитель называет ее «инновационным решением», построенным на базе новых платформ Intel, которые используют чипсет X99 и процессоры семейства Intel Haswell-E.

Память GOODRAM DDR4 используют особую конструкцию плата PCB, которая значительно увеличивает сопротивление механическим повреждениям и скачкам напряжения. К сожалению, точные данные об условиях тестирования плат не сообщаются, но производитель сообщает, что они остаются стабильными даже в самых экстремальных условиях. Также, практически на 40% сократилось энергопотребление в сравнении с предыдущими решениями типа DDR3.

Если кратко, основные характеристики памяти GOODRAM DDR4 следующие:

• Напряжение питания – 1,2 В;
• Тактовая частота – 2133 МГц;
• Предлагаемые емкости – 4 ГБ и 8 ГБ;
• Выпускается в одно- и двуканальных вариантах.

На украинском рынке новая память GOODRAM DDR4 уже доступна в обоих вариантах. Ориентировочная стоимость планки объемом 4 ГБ составляет $80, 8 ГБ – $150.

Серверные модули DDR4-памяти от компании Transcend

Компания Transcend представила три новых модуля оперативной памяти стандарта DDR4, которые нацелены на использование в серверных системах. Речь идет о моделях RDIMM объемом 8 и 16 ГБ, а также о 16-ГБ VLP RDIMM-решении.

Все три новинки полностью совместимы с процессорами серии Intel Xeon E5-2600 v3 и стандартами ассоциации JEDEC. Они работают при напряжении 1,2 В и частоте 2133 МГц, что обеспечивает пропускную способность на уровне 17 ГБ/с. То есть новые модули гарантируют высокую производительность при более низком энергопотреблении (на 40% меньше, чем у 1,5-В DDR3-модулей). Дополнительно решение компании Transcend формата VLP RDIMM обладает очень низким профилем (высота – 18,8 мм). Это позволяет устанавливать его в компактных системах, например, в блейд-серверах.

В продажу все новинки поступят с ограниченной пожизненной гарантией.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

KINGMAX анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR4

На рынке игроков DDR4-памяти очередное пополнение – свою линейку анонсировала компания KINGMAX. Она представила свои решения сразу для многих ключевых сегментов: unbuffered DIMM, SO-DIMM, registered DIMM, ECC unbuffered DIMM и VLP registered DIMM. По мнению компании, уже в 2015 году произойдет значительное повышение спроса на рынке DDR4-памяти.

Что же касается десктопных планок DDR4 unbuffered DIMM, то они представлены в традиционном 288-контактом корпусе общим объемом от 4 до 16 ГБ (в одноканальном исполнении) и от 8 до 32 ГБ (в двухканальных наборах). Эффективная тактовая частота новинок находится в диапазоне от 1866 до 3200 МГц, а рабочее напряжение при этом не превышает 1,2 В. Также данные решения соответствуют всем нормам стандарта DDR4 организации JEDEC и совместимы с платформой Intel Socket LGA2011-v3.

Более подробная таблица технической спецификации десктопной DIMM DDR4-памяти компании KINGMAX:

http://www.kingmax.com
Сергей Будиловский

Samsung начала массовое производство 20-нм мобильных микросхем LPDDR3-памяти емкостью 6 Гбит

Компания Samsung с радостью сообщила о начале массового производства мобильных микросхем LPDDR3-памяти объемом 6 Гбит, которые созданы с применением 20-нм техпроцесса. Новинки обладают увеличенной до 2133 Мбит/с скоростью передачи данных на контакт. К тому же четыре подобных чипа легко объединить в один набор объемом 3 ГБ для применения в смартфонах и планшетах.

Благодаря более тонкому техпроцессу конечный 3-ГБ набор занимает на 20% меньше места, что позволяет снизить габариты конечных устройств. В дополнение они потребляют на 10% меньше энергии, что приводит к экономии заряда аккумулятора, а также обеспечивают 30% прирост в производительности. Все это существенно повышает эффективность и целесообразность их использования, поэтому компания Samsung и дальше продолжит разработки в данной сфере.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский