Поиск по сайту

up

Компьютерные новости

Оперативная память

GeIL EVO POTENZA – серия высокоскоростной оперативной памяти для геймеров

Компания GeIL представила в Украине новую линейку геймерской оперативной памяти стандарта DDR3 – GeIL EVO POTENZA. Слово «Potenza» в переводе с итальянского означает «мощь», которая и является квинтэссенцией основных качеств новинок. В ее состав вошли решения общим объемом от 8-ми до 32-х ГБ с номинальной тактовой частотой от 1866 до 3000 МГц и рабочим напряжением 1,5 либо 1,65 В.

GeIL EVO POTENZA

Модули серии GeIL EVO POTENZA оснащены новейшими теплорассеивателями, которые разработаны по фирменной технологии GeIL MTCD (Maximum Thermal Conduction & Dissipation) для обеспечения превосходной эффективности охлаждения чипов памяти.

Внешнее оформление модулей оперативной памяти серии GeIL EVO POTENZA может быть в двух цветах – черном ониксовом с красными элементами и морозно-белом. Черно-красные – это базовые модули серии, в то время как специально отобранные версии с самыми высокими тактовыми частотами и низкими таймингами имеют морозно-белую раскраску.

GeIL EVO POTENZA

Все без исключения модули имеют гарантию качества от компании Geil, которая проявляется в использовании технологии DBT (Die-hard Burn-in). Это особая технология стресс-тестирования памяти в процессе ее производства, которая позволяет отобрать для продажи лишь наиболее качественные образцы.

Сводная таблица технической спецификации модулей оперативной памяти серии GeIL EVO POTENZA:

Тактовая частота, МГц

Тайминги

Объем, ГБ

Рабочее напряжение, В

1866

9-10-9-28

8, 16, 32

1,5

1866

9-11-9-28

8, 16, 32

1,5

1866

10-10-10-32

8, 16, 32

1,5

2133

9-10-9-28

8, 16, 32

1,65

2133

9-11-9-28

8, 16, 32

1,65

2133

10-10-10-30

8, 16, 32

1,5

2133

10-11-11-30

8, 16, 32

1,5

2400

10-11-11-30

8, 16, 32

1,65

2400

11-11-11-30

8, 16, 32

1,65

2400

11-12-12-30

8, 16, 32

1,65

2666

11-13-13-32

8, 16, 32

1,65

2800

11-13-13-35

8, 16, 32

1,65

2933

11-12-12-36

8, 16, 32

1,65

2933

12-13-13-36

8, 16, 32

1,65

3000

12-14-14-36

8, 16, 32

1,65

3000

13-14-14-36

8, 16, 32

1,65

GeIL
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Новые модули памяти G.SKILL Ripjaws DDR3L SO-DIMM с рабочей частотой 2133 МГц

В последнее время игровые и высокопроизводительные ноутбуки и компактные ПК набирают все большую популярность, но из-за своих небольших размеров они позволяют устанавливать лишь 204-контактные модули оперативной памяти стандарта SO-DIMM. Геймеры же требуют максимального уровня производительности от всех используемых комплектующих.

G.SKILL Ripjaws DDR3L SO-DIMM

Специально для подобных случаев компания G.SKILL разработала и представила новую модель - G.SKILL Ripjaws DDR3L SO-DIMM. Это двухканальный набор общим объемом 8 ГБ (2 х 4 ГБ), который функционирует на частоте 2133 МГц. При этом его рабочее напряжение составляет всего 1,35 В, что позволит существенно снизить нагрузку на батарею мобильных устройств.

G.SKILL Ripjaws DDR3L SO-DIMM

Цена новинки не уточняется. Сводная таблица технической спецификации модулей оперативной памяти G.SKILL Ripjaws DDR3L SO-DIMM:

Модель

G.SKILL Ripjaws DDR3L SO-DIMM

Тип

DDR3L SO-DIMM

Объем, ГБ

8 (2 х 4)

Тактовая частота, МГц

2133

Рабочее напряжение, В

1,35

Схема таймингов

CL11

G.SKILL
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Энергоэффективные модули оперативной памяти серии Silicon Power DDR3L с частотой 1333 / 1600 МГц

В модельном ряду компании Silicon Power появилась новая серия энергоэффективных модулей оперативной памяти - Silicon Power DDR3L. В ее состав вошли решения объемом от 2-х до 8-ми ГБ, которые работают на пониженном до 1,35 В напряжении. Это позволяет им экономить до 20% электроэнергии, что особенно критично в мобильных устройствах, питающихся от внутренней батареи.

Silicon Power DDR3L

В составе серии Silicon Power DDR3L присутствуют модули формата UDIMM и SO-DIMM, которые предназначены для установки в различных системах: десктопных, мобильных или серверных. При этом они работают на частоте 1333 или 1600 МГц, обеспечивая довольно высокий уровень производительности. Более того, новинки полностью совместимы с процессорами линейки Intel Haswell, а использование отборных микросхем и 100% тестирование их качества позволяет производителю распространить на них пожизненную гарантию.

Более подробная таблица технической спецификации энергоэффективных модулей оперативной памяти серии Silicon Power DDR3L:

Серия

Silicon Power DDR3L

Тип памяти

DDR3L

Форм-фактор

240-контактные UDIMM / 204-контактные SO-DIMM

Рабочая тактовая частота, МГц

1333 / 1600

Объем, ГБ

2 / 4 / 8

Параметры используемых DRAM-микросхем

256M x 8 / 512M x 8

Рабочее напряжение, В

1,35

Параметр CAS

1333 МГц

9

1600 МГц

11

Гарантия

Пожизненная

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Коврик QPAD Battlefield 4 в подарок к оперативной памяти и SSD-накопителям компании Kingston

Компания Kingston также решила воспользоваться огромной популярностью игры Battlefield 4 и для всех ее поклонников разработала новую промо-акцию. В сотрудничестве со шведской компанией QPAD она предлагает покупателям фирменных модулей оперативной памяти и SSD-накопителей бесплатные коврики серии QPAD Battlefield 4.

Kingston QPAD Battlefield 4

В частности, комплекты оперативной памяти серий Kingston HyperX Blu и Genesis будут включать в себя версию компактного коврика QPAD Battlefield 4 (FX29). А к планкам оперативной памяти серий Kingston HyperX Beast или Predator, а также к SSD-накопителю Kingston HyperX 3K покупатели получат вариант QPAD Battlefield 4 (FX36), который обладает большими размерами.

Kingston QPAD Battlefield 4

Отметим, что коврики серии QPAD Battlefield 4 созданы из качественных материалов специально для игрового использования, обеспечивая при этом высокую скорость перемещения мышки с точным позиционированием курсора.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Новые модули памяти Transcend DDR3-1866 для высокопроизводительных серверов

Компания Transcend представила модули памяти емкостью 4 ГБ, типов DDR3-1866 Registered DIMM (RDIMM) и DDR3-1866 Unbuffered ECC DIMM (ECC UDIMM). Они способны обеспечить оптимальный уровень производительности при эксплуатации в условиях современных виртуализированных центров обработки данных и идеально подходят для установки в серверы на основе платформы Intel Xeon E5-2600 v2.

Разработанные с учетом актуальных тенденций по внедрению технологий виртуализации серверов, модули памяти Transcend DDR3-1866 были успешно протестированы на совместимость с системами на базе платформы Intel Romley-EP с новейшими процессорами семейства Xeon E5-2600 v2. Новинки имеют самую высокую рабочую частоту среди всех аналогичных продуктов компании Transcend. Они созданы с использованием высококачественных микросхем памяти DDR3-1866 DRAM, отличающихся непревзойденным уровнем производительности и надежности.

Transcend DDR3-1866

Каждый из модулей способен работать на частоте 1866 МГц с задержками 13-13-13 при максимальном рабочем напряжении 1,5 В. Кроме того, необходимо отметить встроенную реализацию алгоритмов автоматического исправления ошибок ECC (Error Correcting Code), позволяющих отслеживать корректность операций записи и считывания данных. Это дает возможность существенно снизить риск возникновения ошибок во время выполнения сложных вычислительных задач, а также повышает общий уровень надежности работы системы.

Представленные модули DDR3 полностью совместимы со стандартами организации JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) и отличаются высочайшим уровнем производительности, стабильности и надежности. Оба типа модулей поставляются с ограниченной пожизненной гарантией.

Сводная таблица технической документации новых модулей оперативной памяти компании Transcend:

Номер серии

Емкость

Описание

TS512MKR72V8N

4 ГБ

1866 МГц DDR3 Registered ECC DIMM

TS512MLK72V8N

4 ГБ

1866 МГц DDR3 Unbuffered ECC DIMM

Transcend
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Высокопроизводительная серверная память Transcend с пониженным рабочим напряжением

Компания Transcend объявила о начале выпуска низковольтных (напряжение питания 1,35 В) модулей памяти типа DDR3L-1600 Low Voltage RDIMM объемом 8 ГБ. Они предназначены для систем, выполняющих обработку и анализ данных большого объема. При этом новинки в полной мере соответствуют требованиям, предъявляемым к показателям плотности записи, производительности и энергопотребления современной серверной памяти.

Созданные с учетом нужд облачных и виртуализационных систем, низковольтные модули Transcend DDR3 Low Voltage RDIMM прекрасно подходят для обработки больших объемов данных и других приложений, требующих интенсивной работы с ОЗУ. Кроме того, они найдут свое применение на предприятиях, которые заботятся о сохранности окружающей среды. Снижение рабочего напряжения со стандартных 1,5 В до 1,35 В позволяет уменьшить нагрузку на контроллер памяти, понизить общую температуру системы и сэкономить до 20% электроэнергии. Более того, установка одного модуля памяти объемом 8 ГБ вместо двух по 4 ГБ дает возможность уменьшить расход электроэнергии еще на 50%.

Transcend DDR3 Low Voltage

Дополнительное преимущество решений серии Transcend DDR3 Low Voltage - поддержка тактовой частоты 1600 МГц, а также наличие встроенных датчиков температуры. И, конечно же, не стоит забывать о высокой надежности данных устройств, на которые распространяется ограниченная пожизненная гарантия.

Сводная таблица технической спецификации модулей серверной оперативной памяти линейки Transcend DDR3 Low Voltage:

Номер серии

Емкость

Описание

TS2GKR72W6Z

16 ГБ

1600 МГц DDR3L REG DIMM (2 ранк x4)

TS1GKR72W6Z

8 ГБ

1600 МГц DDR3L REG DIMM (1 ранк x4)

TS1GKR72W6Y

8 ГБ

1600 МГц DDR3L REG DIMM (2 ранк x4)

TS1GKR72W6H

8 ГБ

1600 МГц DDR3L REG DIMM (2 ранк x4)

TS512MKR72W6H

4 ГБ

1600 МГц DDR3L REG DIMM (1 ранк x8)

Transcend
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Оверклокерская память серии Team Group ZEUS уже доступна на рынке

Компания Team Group вышла на рынок с предложением новой серии оверклокерской оперативной памяти - Team Group ZEUS. В ее состав вошли двухканальные DDR3 DIMM-модули общей емкостью 8 ГБ (2 х 4 ГБ), номинальная частота работы которых составляет 1600 МГц. Рабочее напряжение новинок находится на уровне 1,45-1,5 В, а схема таймингов – 9-9-9-24.

Team Group ZEUS

Специалисты компании Team Group указывают на значительный оптимизационный потенциал модулей памяти серии Team Group ZEUS. Для стабильной работы в условиях повышенных тактовых частот и рабочих напряжений новинки оснащены алюминиевыми радиаторами, что позволяет более эффективно рассеивать избыточное тепло. При этом высота самих модулей не превышает 3-х см, что существенно расширяет их совместимость с высокопроизводительными воздушными процессорными кулерами.

Team Group ZEUS

Team Group ZEUS

В продажу решения  серии Team Group ZEUS поступили с пожизненной гарантией по ориентировочной цене от €69,90. Сводная таблица технической спецификации новинок выглядит следующим образом:

Название

Team Group ZEUS

Тип

DDR3 DIMM

Объем, ГБ

8 (2 х 4)

Тактовая частота, МГц

1600

Тайминги

9-9-9-24

Рабочее напряжение питания, В

1,45 – 1,5

Высота, см

3

Цвет радиатора

Красный / синий / золотой

Гарантия производителя

Пожизненная

Ориентировочная цена, €

69,90

Team Group
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Samsung объявляет о старте серийного производства передовых 20-нм модулей памяти DDR4

Компания Samsung Electronics объявила о старте серийного производства передовых модулей памяти DDR4 для корпоративных серверов, работающих в составе центров обработки данных (ЦОД) следующего поколения. При помощи этих высокопроизводительных и высокоемкостных модулей памяти, Samsung сможет удовлетворить потребность рынка в прогрессивных DDR4-решениях для ЦОДов и корпоративных серверов.

Samsung DDR4

Более раннее появление на рынке 4-гигабитных (Гб) DDR4-устройств, созданных на основе 20-нанометрового техпроцесса, поспособствует росту спроса на модули памяти емкостью 16 ГБ и 32 ГБ, которые смогут в будущем заменить традиционные DRAM-версии емкостью 8 ГБ на основе 30-нм техпроцесса, которые наиболее распространены на данный момент. Скорость передачи данных 4-гигабитным чипом памяти DDR4 составляет 2667 Мбит/с, что в 1,25 раза больше скорости модулей DDR3, в которых также используются микросхемы 20-нанометрового класса. При этом энергопотребление чипа снижено более чем на 30%.

Samsung DDR4

Использование высокоскоростных чипов памяти DRAM в работе корпоративных серверов следующего поколения значительно повышает производительность системы и снижает уровень энергопотребления. Применяя технологии модулей памяти DDR4 на раннем этапе, ОЕМ-производители могут свести к минимуму эксплуатационные расходы и значительно увеличить производительность, обеспечив, таким образом, более быстрый возврат инвестиций.

Samsung DDR4

Создав на базе модуля 20-нм класса, самый производительный и маленький 4-гигабитный чип DRAM-памяти в мире, компания Samsung Electronics в настоящее время имеет самую большую в индустрии линейку продуктов, предназначенных для применения, как в серверах, так и в мобильных устройствах. Это обеспечит клиентам по всему миру широчайший выбор передовых экологичных решений для памяти, которые отличаются низким энергопотреблением и высокой производительностью.

Samsung
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Показать еще