Samsung примется за серийное производство чипов мобильной памяти LPDDR4 объемом 4 ГБ уже в 2015 году

Недавно компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых чипов памяти LPDDR4 для смартфонов и планшетов.

Согласно заявлениям производителей, новые чипы выпускаются по 20-нанометровой технологии и предлагают скорость передачи данных на уровне 3200 Мбит/с. Благодаря последнему показателю, который вдвое выше скорости памяти DDR3, теперь становится возможным записывать и воспроизводить видео формата UHD, осуществлять серийную съемку с разрешением более 20 Мп, а также снизить энергопотребление на 40% по сравнению с LPDDR3.

Также вице-президент компании Джу Сан Чой (Joo Sun Choi) сообщает, что благодаря использованию фирменной технологии LVSTL (low-voltage swing-terminated logic) удалось дополнительно уменьшить энергопотребление и в то же время обеспечить работу на высокой скорости при низком напряжении питания.   

Известно, что компания Samsung уже начала поставки чипов LPDDR4 объемом 2 и 3 ГБ на рынок мобильных устройств. Что касается микросхем объемом 4 ГБ, производитель сообщает, что первые поставки состоятся уже в первом квартале 2015 года. 

http://www.phonearena.com
Мартынец Мария

В 2015 году смартфоны перейдут на память LPDDR4

В следующем году память стандарта DDR4 будет завоевывать все больше поклонников в сегменте десктопных ПК, а ее аналог на мобильном рынке – LPDDR4 – начнет свою поступь в сфере смартфонов и планшетов. Существуют все предпосылки для того, чтобы переход с LPDDR3 на LPDDR4 произошел существенно быстрее, чем с DDR3 на DDR4. Во-первых, скорость передачи данных ввода / вывода в LPDDR3 заявлена на уровне 2133 MT/s, а у LPDDR4 она составит для начала 3200 MT/s с последующим поднятием до 4266 MT/s. Рабочая частота увеличится в два раза (с 800 МГц для LPDDR3 до 1600 МГц для LPDDR4), аналогично возрастет и пропускная способность (с 12,8 до 25,6 ГБ/с), а вот потребление энергии снизится практически на 10% (с 1,2 до 1,1 В). Все это более существенно повлияет на производительность и энергоэффективность новых смартфонов, поэтому ключевые игроки захотят побыстрее интегрировать данный стандарт.

Известно, что флагманский процессор Qualcomm Snapdragon 810 будет поддерживать двухканальную память LPDDR4-1600 МГц, а вот версии с индексами «808», «805» и «801» лишены такой возможности. Ожидается, что новый процессор компании NVIDIA (NVIDIA Erista) также предложит поддержку этого стандарта памяти. С подобными предложениями должны выйти также компании Intel, MediaTek и даже Apple. Что же касается производителей самих чипов, то аналитики предсказывают компании Samsung 30% рынка памяти LPDDR4 по результатам 4 квартала 2015 года. У Sk Hynix будет порядка 18%, а Micron заберет себе 25%.

http://www.fudzilla.com
Сергей Будиловский

Оперативная память GOODRAM DDR4 официально в Украине!

Польская фирма Wilk Elektronik, единственный производитель памяти в Центрально-Восточной Европе, представила в Украине новейшую память RAM четвертого поколения под брендом GOODRAM, ориентированную на самых требовательных пользователей. Сам производитель называет ее «инновационным решением», построенным на базе новых платформ Intel, которые используют чипсет X99 и процессоры семейства Intel Haswell-E.

Память GOODRAM DDR4 используют особую конструкцию плата PCB, которая значительно увеличивает сопротивление механическим повреждениям и скачкам напряжения. К сожалению, точные данные об условиях тестирования плат не сообщаются, но производитель сообщает, что они остаются стабильными даже в самых экстремальных условиях. Также, практически на 40% сократилось энергопотребление в сравнении с предыдущими решениями типа DDR3.

Если кратко, основные характеристики памяти GOODRAM DDR4 следующие:

• Напряжение питания – 1,2 В;
• Тактовая частота – 2133 МГц;
• Предлагаемые емкости – 4 ГБ и 8 ГБ;
• Выпускается в одно- и двуканальных вариантах.

На украинском рынке новая память GOODRAM DDR4 уже доступна в обоих вариантах. Ориентировочная стоимость планки объемом 4 ГБ составляет $80, 8 ГБ – $150.

Серверные модули DDR4-памяти от компании Transcend

Компания Transcend представила три новых модуля оперативной памяти стандарта DDR4, которые нацелены на использование в серверных системах. Речь идет о моделях RDIMM объемом 8 и 16 ГБ, а также о 16-ГБ VLP RDIMM-решении.

Все три новинки полностью совместимы с процессорами серии Intel Xeon E5-2600 v3 и стандартами ассоциации JEDEC. Они работают при напряжении 1,2 В и частоте 2133 МГц, что обеспечивает пропускную способность на уровне 17 ГБ/с. То есть новые модули гарантируют высокую производительность при более низком энергопотреблении (на 40% меньше, чем у 1,5-В DDR3-модулей). Дополнительно решение компании Transcend формата VLP RDIMM обладает очень низким профилем (высота – 18,8 мм). Это позволяет устанавливать его в компактных системах, например, в блейд-серверах.

В продажу все новинки поступят с ограниченной пожизненной гарантией.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

KINGMAX анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR4

На рынке игроков DDR4-памяти очередное пополнение – свою линейку анонсировала компания KINGMAX. Она представила свои решения сразу для многих ключевых сегментов: unbuffered DIMM, SO-DIMM, registered DIMM, ECC unbuffered DIMM и VLP registered DIMM. По мнению компании, уже в 2015 году произойдет значительное повышение спроса на рынке DDR4-памяти.

Что же касается десктопных планок DDR4 unbuffered DIMM, то они представлены в традиционном 288-контактом корпусе общим объемом от 4 до 16 ГБ (в одноканальном исполнении) и от 8 до 32 ГБ (в двухканальных наборах). Эффективная тактовая частота новинок находится в диапазоне от 1866 до 3200 МГц, а рабочее напряжение при этом не превышает 1,2 В. Также данные решения соответствуют всем нормам стандарта DDR4 организации JEDEC и совместимы с платформой Intel Socket LGA2011-v3.

Более подробная таблица технической спецификации десктопной DIMM DDR4-памяти компании KINGMAX:

http://www.kingmax.com
Сергей Будиловский

Samsung начала массовое производство 20-нм мобильных микросхем LPDDR3-памяти емкостью 6 Гбит

Компания Samsung с радостью сообщила о начале массового производства мобильных микросхем LPDDR3-памяти объемом 6 Гбит, которые созданы с применением 20-нм техпроцесса. Новинки обладают увеличенной до 2133 Мбит/с скоростью передачи данных на контакт. К тому же четыре подобных чипа легко объединить в один набор объемом 3 ГБ для применения в смартфонах и планшетах.

Благодаря более тонкому техпроцессу конечный 3-ГБ набор занимает на 20% меньше места, что позволяет снизить габариты конечных устройств. В дополнение они потребляют на 10% меньше энергии, что приводит к экономии заряда аккумулятора, а также обеспечивают 30% прирост в производительности. Все это существенно повышает эффективность и целесообразность их использования, поэтому компания Samsung и дальше продолжит разработки в данной сфере.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

IDF 2014: Intel анонсировала разработку модулей UniDIMM для DDR3 и DDR4 памяти

Высокопроизводительные процессоры компании Intel уже перешли на использование DDR4-памяти. Теперь на очереди мейнстрим-сегмент рынка, который охватывает очень большое количество пользователей. И здесь уже переход будет осуществлен в два этапа: в 2015 году нас ожидает платформа Intel Skylake, интегрированный контроллер которой будет поддерживать DDR3 и DDR4 память. И лишь в 2016 году выйдет на рынок платформа Intel Cannonlake, решения которой будут работать исключительно с DDR4-памятью.

В связи с этим компания Intel решила разработать новый стандарт модулей оперативной памяти – UniDIMM, которые позволят всей индустрии легче перейти от DDR3 до DDR4 памяти. В чем же его суть? Он предполагает стандартизированную печатную плату для модулей оперативной памяти. На первом этапе производители смогут оснащать подобные решения DDR3-микросхемами, чтобы поскорее использовать имеющиеся запасы. А уже в будущем перейти исключительно к применению DDR4-чипов. При этом стандартизированная печатная плата и разъем позволят существенно сократить затраты производителям оперативной памяти и материнских плат конечных устройств (компьютеров, ноутбуков и т.д.).

Предполагается, что модули DDR3 / LPDDR3 UniDIMM будут поддерживать тактовую частоту 1866 МГц в качестве стандарта. Версии DDR4 / LPDDR4 UniDIMM уже перейдут к частотам 2666 МГц. Также будут представлены и более производительные решения: DDR3 / LPDDR3-2133 МГц UniDIMM и DDR4 / LPDDR4-2933 МГц UniDIMM. При этом их размеры составят 69,9 х 20 мм для обычных вариантов и 69,9 х 30 мм – для более емких. Также важно отметить, что UniDIMM-модули используют существующий 260-контактный разъем SODIMM, однако перемычка у них установлена в другом месте, что делает новые слоты и модули несовместимыми с существующими аналогами.

В производстве новинок заинтересовались лидеры рынка оперативной памяти – компании Kingston и Micron.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

IDF 2014: G.SKILL демонстрирует работу DDR4-памяти в четырехканальном режиме

В рамках выставки IDF 2014 компания G.SKILL решила продемонстрировать на практике работу своих высокопроизводительных модулей оперативной памяти линейки G.SKILL Ripjaws 4. Для этого на своем стенде она использовала процессор Intel Core i7-5960X, материнские платы ASUS Rampage V Extreme X99 и ASUS X99-Deluxe и два четырехканальных комплекта серии G.SKILL Ripjaws 4 общим объемом 32 ГБ: DDR4 3333 МГц 4 ГБ х 8 и DDR4 3200 МГц 8 ГБ х 4.

При этом использовался открытый стенд, но для охлаждения самих модулей никаких дополнительных средств не применялось. В такой конфигурации обе тестовые системы прошли бенчмарк AIDA64 Cache & Memory, продемонстрировав стабильную работу на своих номинальных частотах, что и являлось целью эксперимента: демонстрация стабильной и надежной работы на повышенных скоростях.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский