Компьютерные новости
Оперативная память
В Японии обнаружены поддельные модули DDR5 SO‑DIMM с пластиковыми «чипами» и фальшивыми наклейками
Они распространяются через онлайн‑площадки, включая Yahoo Auctions и Mercari, и представляют риск для покупателей, особенно при покупке бывшей в употреблении памяти.
Пользователь X под ником TAKI сообщил, что его знакомый приобрёл модуль DDR5 SO‑DIMM, который внешне выглядел настоящим.
После разрезания одного из «чипов» оказалось, что внутри нет кремния — только пластик или стекловолокно. На плате также заметны признаки подделки: округлённые края PCB, более светлый цвет текстолита, другая форма PMIC и несоответствующие маркировки на корпусах «чипов».
Фальшивые модули проще распознать в ноутбучной памяти, где чипы открыты. В случае десктопных DDR5 DIMM это сложнее, так как большинство комплектов имеют радиаторы, скрывающие PCB и пакеты DRAM. Это делает покупку бывших в употреблении или непроверенных комплектов рискованной, если нет возможности сравнить их с проверенными фото по конкретному артикулу.
Подобные мошеннические случаи уже происходили ранее: продавались комплекты DDR5, которые внутри содержали старые DDR2 или DDR4 под «маскировкой» современных радиаторов. Производители, включая Corsair, даже меняли упаковку своих модулей, чтобы усложнить подделки и мошеннические возвраты.
videocardz.com
Павлик Александр
Team Group добавляет модули DDR5‑8000 в серии ELITE PLUS и ELITE DDR5
Team Group объявила о расширении линейки памяти ELITE PLUS DDR5 и ELITE DDR5 новыми модулями, работающими на частоте до 8000 MT/s при напряжении 1,1 В и таймингах CL56‑56‑56‑128.
Новинки соответствуют стандартам JEDEC и ориентированы на пользователей, которым нужна высокая скорость работы при низком энергопотреблении.
Модули DDR5‑8000 получили технологию Same‑Bank Refresh и оптимизированную архитектуру IC, что обеспечивает стабильность при многозадачности и повышает эффективность системы.
Компания планирует выпускать их в виде комплектов 16 ГБ × 2. Старт продаж ожидается в июне 2026 года на Amazon в Северной Америке.
Team Group позиционирует новые модули как решение для обучения, развлечений и высокопроизводительных сценариев, подчёркивая снижение энергопотребления и увеличение срока службы ПК.
techpowerup.com
Павлик Александр
DDR6 готовится к выходу в 2028 году, обещая скорость до 17 600 MT/s
DDR6 готовится к выходу в 2028 году, обещая скорость до 17 600 MT/s, но реальные потребительские поставки могут задержаться до 2029–2030 годов.
DDR6 разрабатывается совместными усилиями SK hynix, Samsung и Micron под контролем JEDEC. Первые проекты стандарта появились ещё в 2024 году, но до сих пор нет финализированных параметров напряжения, сигналов и pinout. Сейчас производители ускорили работу, и уже речь идёт о пропускной способности 8 800 MT/s с масштабированием до 17 600 MT/s — почти вдвое больше, чем у DDR5.
Ключевое отличие DDR6 — архитектура 4×24‑битных субканалов, требующая новых решений для целостности сигнала. Чтобы преодолеть физические ограничения DIMM‑формата, индустрия делает ставку на CAMM2, который может стать стандартом для серверов и ноутбуков. Ожидается, что первыми DDR6 получат серверные платформы, а потребительские ПК — только после масштабного производства.
Ранее прогнозировали старт в 2027 году, но теперь речь идёт о коммерческих поставках в 2028‑м. Это совпадает с тенденцией вытеснения DDR4: её производство постепенно сворачивается, чтобы освободить фабрики под DDR5 и будущий DDR6.
Скептики отмечают, что даже если DDR6 появится в 2028 году, для массового рынка он станет доступным не раньше 2029–2030 годов, а цены на старте будут высокими. Поэтому для большинства пользователей актуальным останется DDR5, который к тому времени достигнет скоростей свыше 10 000 MT/s.
techpowerup.com
Павлик Александр
Samsung преодолела барьер 10 нм в DRAM благодаря новой структуре 4F‑cell
Samsung преодолела барьер 10 нм в производстве DRAM, представив новую структуру 4F‑cell, которая увеличивает плотность ячеек на 30–50% и открывает путь к массовому выпуску суб‑10 нм памяти уже в 2028 году. Это первый в мире рабочий кристалл DRAM на уровне 9,5–9,7 нм.
Samsung применила комбинацию новой квадратной структуры 4F и процесса Vertical Channel Transistor (VCT), что позволило перейти от традиционной 6F‑архитектуры к более компактной. Такой подход не только повышает плотность, но и снижает энергопотребление. Для удержания данных в сверхузких ячейках компания использовала материал IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), который лучше сохраняет заряд по сравнению с кремнием.
Разработка 10a DRAM должна быть завершена в этом году, а серийное производство намечено на 2028‑й. Следующие поколения — 10b и 10c — получат дальнейшие улучшения, а 10d станет первым шагом к 3D DRAM в 2029–2030 годах.
Конкуренты, такие как Micron, пока откладывают внедрение 4F‑структуры, делая ставку на 3D DRAM. Китайские производители сталкиваются с трудностями из‑за отсутствия доступа к передовым литографическим технологиям, хотя схожесть с 3D NAND даёт им определённую надежду.
С учётом стремительного роста спроса со стороны сегмента ШИ, новая технология Samsung может стать ключевым фактором в обеспечении рынка более ёмкими и энергоэффективными модулями памяти.
Постоянная ссылка на новостьРынок памяти застыл: снижение цен ожидается лишь к концу 2027 года
Аналитики отмечают, что нынешнее плато цен на память не означает окончания дефицита.
В Европе, США и Китае уже заметны локальные коррекции стоимости, однако спрос со стороны дата‑центров для ШИ остаётся высоким и продолжает удерживать рынок в напряжении.
По прогнозам Sigmaintell, первое ощутимое смягчение цен на память произойдёт в IV квартале 2027 года, когда производители смогут частично увеличить объёмы. Полное выравнивание ожидается лишь к 2030 году, так как запуск новых фабрик и производственных линий требует нескольких лет.
В Китае ситуацию частично стабилизируют локальные поставщики, которые обеспечивают не только внутренний рынок, но и крупные международные бренды. В США же некоторые проекты дата‑центров заморожены из‑за проблем с энергосетями и опасений инвесторов относительно «ШИ‑пузыря».
Постоянная ссылка на новостьSamsung, SK Hynix и Micron покрывают лишь 60% мирового спроса на DRAM
Мировой рынок памяти DRAM столкнулся с затяжным дефицитом.
Три ключевых производителя — Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology — сейчас обеспечивают лишь около 60% глобального спроса. Остальные мощности направлены на выпуск HBM‑памяти для ШИ‑чипов, что ещё больше ограничивает доступность обычной DRAM.
Дефицит начался осенью 2025 года, а уже в первом квартале 2026 цены на DRAM выросли почти на 90%. Особенно сильно это ударило по производителям смартфонов и автомобильных компонентов. По прогнозам IDC, продажи смартфонов в 2026 году сократятся на 13% из‑за высоких затрат на память, которая в бюджетных моделях может составлять до 40% себестоимости.
Samsung планирует запуск нового завода в Пхёнтхэке в 2026 году, но серийное производство начнётся не раньше 2027‑го. SK Hynix открыла предприятие по выпуску HBM в Чхонджу, а второй завод под Сеулом будет завершён в феврале 2027 года. Micron разворачивает производство в США и Сингапуре, а также строит завод в Хиросиме, который заработает в 2028 году.
По оценкам Counterpoint Research, чтобы удовлетворить спрос, отрасли необходимо увеличивать производство на 12% ежегодно, однако текущие планы дают лишь 7,5%. Глава SK Group Чхе Тхе Вон предположил, что дефицит памяти для ШИ может продолжаться вплоть до 2030 года.
asia.nikkei.com
Павлик Александр
ASRock добавляет поддержку DDR5 HUDIMM для снижения стоимости памяти на платформах Intel
ASRock добавила поддержку нового формата DDR5 HUDIMM (1×32‑bit), который может снизить цену памяти на платформах Intel.
Технология позволяет использовать модули с одним подканалом вместо стандартных двух, что уменьшает количество чипов на планке и соответственно снижает себестоимость.
ASRock объявила, что её материнские платы серий Intel 600, 700 и 800 теперь поддерживают DDR5 HUDIMM, а компактные системы DeskMini — HSODIMM. В стандартных DDR5 UDIMM используется архитектура 2×32‑bit, которая хорошо подходит для модулей большой ёмкости, но не всегда практична для бюджетных систем. Новый формат 1×32‑bit ориентирован на доступные решения, где важна цена.
Партнёром ASRock в проекте стала TEAMGROUP, которая подтвердила, что новый формат позволяет сократить количество чипов вдвое. Это открывает возможности для более дешёвых модулей и комбинированных конфигураций памяти. Например, на плате H610M COMBOII комбинация 8 ГБ (1×32‑bit) и 16 ГБ (2×32‑bit) обеспечила большую пропускную способность, чем один модуль 24 ГБ (2×32‑bit).
Intel поддержала инициативу, отметив, что более доступные модули DDR5 помогут сохранить доступность настольных платформ в период роста цен на память. BIOS‑обновления для поддержки HUDIMM уже доступны на сайте ASRock.
videocardz.com
Павлик Александр
YMTC расширяет производство NAND и DRAM
По данным Reuters, китайский производитель памяти YMTC (Yangtze Memory Technologies Corp) планирует построить ещё два завода в дополнение к третьему, который уже почти завершён в Ухане.
Когда все три новые фабрики заработают, общий объём производства компании увеличится более чем вдвое — с нынешних 200 000 пластин в месяц до 400 000.
Третий завод, расположенный рядом с двумя действующими, уже построен и сейчас оснащается производственными линиями и технологическим оборудованием. Ожидается, что он начнёт работу позже в этом году и достигнет уровня 50 000 пластин в месяц к 2027 году. Примечательно, что более половины оборудования закуплено внутри страны, включая инструменты для вертикальной укладки слоёв — это показывает, насколько YMTC полагается на местных поставщиков после внесения в список ограниченных организаций в декабре 2022 года. В то же время сообщается, что Бюро промышленности и безопасности США недавно исключило YMTC из списка.
Две новые фабрики пока не имеют подтверждённых местоположений или дат запуска, но все три проекта предусматривают производство не только NAND, но и DRAM. YMTC уже разослала клиентам образцы LPDDR и ожидает отзывов до конца года, что определит дальнейшую стратегию развития DRAM.
На рынке NAND YMTC уже занимает 11,8% — на уровне Sandisk и недалеко от SK Hynix (16%), Kioxia (15,9%) и Micron (13,3%), тогда как Samsung лидирует с 30,4%. Аналитики UBS прогнозируют, что доля YMTC превысит 14% к началу 2027 года. Компания активно продвигает свою архитектуру Xtacking 4.0, которую считают конкурентоспособной по сравнению с решениями лидеров отрасли.
techpowerup.com
Павлик Александр
Показать еще
