24-06-2011 10:40

Анонс двухканальных наборов оперативной памяти Apacer ARES DDR3-2133 МГц

Компания Apacer решила расширить серию высокопроизводительной DDR3-оперативной памяти ARES новым двухканальным набором. Новинка состоит из двух модулей, объемом 4 ГБ каждый, которые работают на тактовой частоте 2133 МГц при напряжении питания 1,65 В. Отметим, что набор Apacer ARES DDR3-2133 МГц разработан, в первую очередь, для использования в паре с новыми материнскими платами собранными на базе чипсетов Intel P67 и Z68.

Уникальная система охлаждения модулей Apacer ARES DDR3-2133 МГц состоит из радиатора, который накрывает микросхемы памяти, медной тепловой трубки и еще одного радиатора (красного цвета), пластины которого размещены в верхней части тепловой трубки. Принцип действия всей системы заключается в использовании дополнительной жидкости, которая размещается внутри медной тепловой трубки и под действием тепла, которое поступает от микросхем памяти, она испаряется. Образованный пар, поднимается вверх по конструкции к красному радиатору, где и происходит процесс ее охлаждения и конденсирования. Охлажденная жидкость возвращается в нижнюю часть конструкции и процесс приобретает циклический характер.

Предлагаем таблицу технической спецификации нового набора оперативной памяти Apacer ARES DDR3-2133 МГц:

http://www.tcmagazine.com
http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

22-06-2011 14:05

Модули памяти Transcend SO-DIMM и Long-DIMM с расширенным температурным диапазоном

Компания Transcend предлагает полную линейку индустриальных модулей памяти форм-факторов SO-DIMM и Long-DIMM.

Transcend SO-DIMM  имеют следующую ёмкость: 512 МБ DDR 400 МГц, 1~2 ГБ DDR2 533/667/800 МГц, и 1~4 ГБ DDR3 1333 МГц. Модули Long-DIMM доступны в вариантах 1~4 ГБ DDR3 1333 МГц.

Отметим, что новые модули памяти собраны из качественных микросхем DRAM для работы в круглосуточном режиме при непростых условиях – например, в транспорте, платёжных терминалах, встраиваемых системах, медицинском оборудовании и промышленном производстве.

Серия индустриальной памяти форм-фактора Transcend SO-DIMM включает модули DDR, DDR2 и DDR3, а в форм-факторе Long-DIMM доступны модули стандарта DDR3 1333 МГц. Для подтверждения повышенной стабильности, все производимые модули проходят жёсткие температурные испытания, прежде чем их признают пригодными для работы и отгрузки клиентам. Благодаря более толстым печатным платам (PCB) и 30-микронной позолоте контактов, которая в 10 раз толще обычной, новые широкотемпературные (от -40° до 85ºC) модули памяти являются достаточно прочными, чтобы выдержать частые установки и демонтаж, а также обеспечивают лучшее качество сигнала.

Вдобавок, во всех новых модулях памяти используются конденсаторы индустриального класса, которые обеспечивают стабильное выходное напряжение. Такой подход гарантирует более эффективную фильтрацию сигнала в системах, требующих максимальной надёжности работы – например, в промышленных компьютерах, контролирующих опасное производство, медицинском оборудовании и так далее.

На все индустриальные модули памяти SO-DIMM и Long-DIMM распространяется пожизненная гарантия от производителя.

Transcend   

Постоянная ссылка на новость

17-06-2011 20:30

Kingston HyperX 2133 МГц DDR3 SO-DIMM – быстрейшие модули памяти для ноутбуков

Анонсирован новый набор оперативной памяти Kingston HyperX 2133 МГц DDR3 SO-DIMM, который предназначен для использования в высокопроизводительных или игровых мобильных компьютерах. Он состоит из двух модулей, объемом 2 ГБ каждый, которые работают на тактовой частоте 2133 МГц. При этом номинальное напряжение питание составляет 1,5 В.

Высокую эффективность и значительный оптимизационный потенциал набора Kingston HyperX 2133 МГц DDR3 SO-DIMM был подтвержден сертификатом Intel XMP. Для его получения новинке нужно было пройти ряд серьезных тестов в паре с процессором Intel Core i7-2920XM. Таким образом, владельцы новых модулей гарантированно получат высококачественное решение, которое способно стабильно работать на повышенных тактовых частотах.

Система охлаждения модулей оперативной памяти набора Kingston HyperX 2133 МГц DDR3 SO-DIMM состоит из фирменного радиатора HyperX, который полностью накрывает микросхемы памяти и способствует эффективному рассеиванию излишка тепла.

К сожалению, никакой информации относительно даты начала продажи или ориентировочной цены новинки пока неизвестно. Сводная таблица технической спецификации нового набора оперативной памяти серии Kingston HyperX представлена в следующей таблице: 

http://www.kingston.com
http://news.softpedia.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

01-06-2011 17:20

Новые низкопрофильные наборы DDR3-оперативной памяти серии Corsair Vengeance

Модельный ряд оперативной памяти Corsair Vengeance пополнили сразу же семь низкопрофильных наборов, высота которых составляет лишь 26, 25 мм, в то время как высота стандартных решений данной серии составляет 47, 37 мм. Это позволит осуществлять их монтаж в компактных системах или в системах с массивным процессорным кулером.

Модули серии Corsair Vengeance собраны на базе специально отобранных микросхем памяти, которые обладают высокой производительностью и стабильностью характеристик. Поэтому они нацелены на использование в высокопроизводительных компьютерах, в основе которых находятся наиболее современные процессоры компании AMD или Intel.

Новые наборы серии Corsair Vengeance состоят из двух или четырех модулей общим объемом от 4 ГБ до 16 ГБ. Все новинки работают в двухканальном режиме на тактовой частоте 1600 МГц и обладают таймингами 9-9-9-24. Кроме разного объема памяти, между собой новые модули отличаются цветом радиатора: черным (Jet Black), синим (Cerulean Blue) или белым (Arctic White). Модели с радиатором Cerulean Blue и Arctic White поступят в продажу до конца июня, а решение с радиатором Jet Black уже должны появиться в прайс-письмах партнеров компании Corsair.

Сравнительная таблица новых наборов оперативной памяти серии Corsair Vengeance имеет следующий вид:

Модель	CML16GX3 M4A1600 C9B	CML16GX3 M41600 C9	CML8GX3 M2A1600 C9	CML8GX3 M2A1600 C9B	CML8GX3 M2A1600 C9W	CML4GX3 M2A1600 C9B	CML4GX3 M2A1600 C9
Общий объем, ГБ	16 (4 х 4)	16 (4 х 4)	8 (2 х 4)	8 (2 х 4)	8 (2 х 4)	4 (2 х 2)	4 (2 х 2)
Тактовая частота, МГц	1600
Таймінги	9-9-9-24
Напряжение питания, В	1,5	1,5	1,5	1,5	1,35	1,5	1,5
Тип радиатора	Cerulean Blue	Jet Black	Jet Black	Cerulean Blue	Arctic White	Cerulean Blue	Jet Black
Время появления на рынке	конец июня	начало июня	начало июня	конец июня	конец июня	конец июня	начало июня
Высота модулей, мм	26,25
Поддерживаемые стандарты	Intel XMP

http://www.tcmagazine.com
http://www.corsair.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

27-05-2011 11:00

Corsair Dominator GTX – новый 8 ГБ комплект DDR3-памяти

Компания Corsair представила новый двухканальный комплект высокоскоростной оперативной памяти Dominator GTX стандарта DDR3. В ее состав входит два модуля, объемом 4 ГБ каждый. Они работают на тактовой частоте 2400 МГц при напряжении питания 1,65 Вт. Отметим, что в состав модулей Corsair Dominator GTX входят лишь те микросхемы памяти, которые прошли четыре стадии отбора и подтвердили высокие функциональные возможности, надежность и стабильность своей работы.

В качестве системы охлаждения, решение Corsair Dominator GTX обладает фирменным радиатором, который поддерживает технологию DHX+. Ее суть заключается в использовании методов конвекции и проводимости для обеспечения эффективного охлаждения микросхем памяти и печатной платы. Дополнительно комплект поставки включает активную двухвентиляторную систему охлаждения Corsair Airflow 2 GTL, которая будет полезной при дальнейшем увеличении тактовых частот новых модулей.

Таблица технической спецификации нового комплекта оперативной памяти Corsair Dominator GTX выглядит следующим образом: 

http://www.tcmagazine.com
http://www.corsair.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

26-04-2011 15:10

Kingston HyperX Plug and Play – новая серия оперативной памяти для систем на базе процессоров Intel Sandy Bridge

Расширяя собственный модельный ряд высокопроизводительной оперативной памяти, компания Kingston представила новую серию HyperX Plug and Play. В ее состав вошли двухканальные наборы модулей стандарта DDR3 DIMM и DDR3 SO-DIMM, которые ориентированы на использование в десктопных и мобильных компьютерах, собранных на базе процессоров линейки Intel Core i5 / Core i7 (Sandy Bridge).

Новинки объемом 4 ГБ и 8 ГБ работают на тактовой частоте 1600 МГц / 1866 МГц и поддерживают настройки соответствующие рекомендациям организации JEDEC. В качестве пассивной системы охлаждения модули серии Kingston HyperX Plug and Play оснащены компактным радиатором, поверхность которого покрыта вентиляционными отверстиями для  улучшения циркуляции воздуха.

Новинки уже поступили в продажу с пожизненной гарантией. Сводная таблица технической спецификации модулей оперативной памяти серии Kingston HyperX Plug and Play имеет следующий вид: 

Модель	KHX1600 C9D3P1 K2/8G	KHX1600 C9D3P1 K2/4G	KHX1600 C9S3P1 K2/8G	KHX1600 C9S3P1 K2/4G	KHX1866 C11S3P1 K2/8G	KHX1866 C11S3P1 K2/4G
Тип	DDR3 DIMM Non-ECC	DDR3 DIMM Non-ECC	DDR3 SO-DIMM Non-ECC	DDR3 SO-DIMM Non-ECC	DDR3 SO-DIMM Non-ECC	DDR3 SO-DIMM Non-ECC
Общий объем, ГБ	8 (2 x 4)	4 (2 x 2)	8 (2 x 4)	4 (2 x 2)	8 (2 x 4)	4 (2 x 2)
Тактовая частота, МГц	1600	1600	1600	1600	1866	1866
Напряжение питания, В	1,5
Тайминги	9-9-9	9-9-9	9-9-9	9-9-9	11-11-11	11-11-11
Гарантия	пожизненная
Рекомендованная цена, $	122	67	122	67	163	88

http://www.kingston.com
http://www.tcmagazine.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

16-04-2011 10:45

Intel и Micron разработали 20-нм NAND флеш-микросхемы памяти

Компания IM Flash Technologies, которая является общим предприятием Intel и Micron, объявила об успешном завершении процесса разработки 8 ГБ (64 Гб) NAND флеш-микросхем памяти с многоуровневой структурой ячеек (MLC), при изготовлении которых использовались нормы 20-нм технологического процесса. Напомним, что на сегодняшний день основные представители рынка SSD-накопителей лишь начинают выпускать первые решения на базе 25-нм технологии, завершив переход с 34-нм микросхем.  

Новые 8 ГБ NAND флеш-чипы памяти обладают площадью 118 мм², что составляет на 30-40% меньше, чем у решений выполненных с использованием 25-нм техпроцесса. Это позволяет эффективнее использовать материальные ресурсы, повысить плотность записи информации и увеличить объем SSD-накопителей при использовании стандартного форм-фактора.

Что же касается уровня производительности и долговечности новинок, то по данным показателям они не уступают своим предшественникам. Можно ожидать, что в массовую продажу 20-нм 8 ГБ NAND флеш-микросхемы памяти поступят во второй половине 2011 года, однако первые SSD-накопители, выполненные на их основе, появятся не раньше 2012.

Также стало известно, что компания IM Flash Technologies в скором времени представит 16 ГБ NAND флеш-микросхемы, которые также используют нормы 20-нм техпроцесса. При этом, размеры новинок будут меньшие, чем у почтовой марки США.

http://www.tcmagazine.com
http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

05-04-2011 20:05

Hynix представила оперативную память стандарта DDR4

Южнокорейская компания Hynix Semiconductor с гордостью сообщила об успешном завершении процесса разработки новых 2 Гб чипов оперативной памяти стандарта DDR4 и представила первый собственный 2 ГБ модуль DDR4 ECC-SODIMM, собранный на их основе. Новинка выполнена с использованием норм 30-нм техпроцесса и поддерживает технологию автоматической коррекции ошибок ECC. Она отвечает стандартам организации JEDEC и нацелена на использование в микро-серверах.

Новинка функционирует на тактовой частоте 2400 МГц, при напряжении питания 1,2 В. Массовое производство новых модулей DDR4-памяти компания Hynix планирует начать во второй половине 2012 года.

Отметим, что согласно исследованиям рынка оперативной памяти, проведенного компанией iSuppli, доля модулей стандарта DDR4 в 2013 году будет составлять всего 5%.  Однако ожидается, что уже в 2015 году показатель превысит 50%. В то же время DDR3-память достигнет своего пика в 2012 году с долей 71% и в дальнейшем ее позиции будут уменьшаться. В 2014 году ее судьба будет соответствовать 49% и продолжать сокращаться.

Таблица технической спецификации новой оперативной памяти от компании Hynix выглядит следующим образом: 

http://www.tcmagazine.com
http://www.httpx.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость