Новые модули памяти Transcend 4GB DDR3 DRAM с пропускной способностью 2 Гб/с

Компания Transcend сообщила о запуске трёх новых модулей памяти 4GB DDR3 DRAM, которые используют 2-гигабитные (2 Гб/с) микросхемы DDR3 высокой плотности: DDR3 1333 МГц DIMM обычного размера, DDR3 1333 МГц SO-DIMM для мобильных систем и DDR3 1066 МГц SO-DIMM.

Стандартные 240-контактные модули DDR3-1333 объёмом 2 ГБ производства Transcend рассчитаны на работу в настольных компьютерах и поддерживают скорость 1333 МГц при задержках 9-9-9, равно как и модули на 4 ГБ DDR3-1333 SO-DIMM для ноутбуков, которые тоже работают с частотой 1333 МГц и задержками 9-9-9. Модули DDR3-1066 SO-DIMM с объёмом 4 ГБ имеют частоту 1066 МГц при задержках CL7. Каждый модуль оптимизирован для стабильной работы при напряжении 1.5 В и набран из энергоэффективных микросхем высокой плотности, поддерживающих скорость передачи данных до 2 Гб/с, позволяя разборчивым пользователям добиться наилучшего соотношения производительности и энергопотребления на своих компьютерах и ноутбуках.

Благодаря внедрению передовых микросхем DDR3 высокой плотности с пропускной способностью 2 Гб/с, которые производятся по самому лучшему на данный момент 40-нм техпроцессу, новые модули DDR3 от Transcend позволяют эффективно увеличить объём памяти компьютера, снижая при этом его энергопотребление. Новые микросхемы памяти не только отличаются высокой ёмкостью и энергоэффективностью, но также помогают продлить срок эксплуатации компьютера, что является ключевым фактором для серверного оборудования.

Все три новых модуля памяти DDR3 от Transcend полностью соответствуют стандартам JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) и набираются из высококачественных микросхем DDR3 FBGA объёмом 256 МБ, имеющих улучшенные характеристики рассеивания тепла и сниженные токи утечки. Каждый новый модуль памяти DDR3 от Transcend имеет пожизненную гарантию и предлагает непревзойдённую надёжность для современных компьютеров, ноутбуков и рабочих станций.

Трехканальные наборы оперативной памяти Super Talent DDR3-2000

Компания Super Talent представила новый высокопроизводительный набор трехканальной оперативной памяти DDR3 общим объемом 24 ГБ. Он состоит из шести планок, каждая из которых имеет емкость 4 ГБ и функционирует на тактовой частоте 2000 МГц. Модули оперативной памяти Super Talent DDR3-2000 нацелены на использование энтузиастами в наиболее современных платформах и протестированы на материнской плате ASUS Rampage III Extreme (чіпсет Intel X58). Согласно официальному пресс-релизу, компания Super Talent уже начала их отгрузку, однако еще не объявила рекомендованной цены.  

Краткая таблица спецификации нового набора оперативной памяти Super Talent:

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергей Будиловский

I-O Data подготовила линейку SD-карт памяти

Компания I-O Data анонсировала начало выпуска новой серии карт памяти базового стандарта SD, которые поддерживают второй класс быстродействия, что гарантирует минимальную скорость записи на уровне 2 МБ/с. В состав новой линейки вошли также карты памяти SDHC, microSD и microSDHC, которые будут продаваться с SD- адаптерами. Все новинки изготовлены из безопасных материалов согласно директиве RoHS и поступят в продажу до конца текущего месяца.

Краткая спецификация новых карт памяти от компании I-O Data представлена в таблице:

http://www.tcmagazine.com
http://www.iodata.jp
Сергей Будиловский

Новые 2 ГБ модули оперативной памяти Super Talent Green DDR3

Анонсировано начало продаж новых 2 ГБ модулей экологически безопасной оперативной памяти Super Talent Green DDR3, которые собраны на базе 1 Гб микросхем. Характерными особенностями новинок является меньшее напряжение питания (1,35 В) вместо стандартного значения 1,575В и низкопрофильный дизайн – их высота составляет 18,3 мм, в то время как для обычных модулей этот показатель составляет 29, 97 мм. Эти два нововведения обеспечивают с одной стороны снижения затрат на изготовление и транспортировку новых модулей Super Talent Green DDR3, а с другой – уменьшение мощности потребления, выбросов CO₂ и лучшему охлаждению. Как следствие, возрастает их экономическая и экологическая эффективность.

Краткая спецификации новых модулей оперативной памяти Super Talent Green DDR3 приведена в таблице:

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергей Будиловский

Первые в мире 4 ГБ модули памяти Super Talent DDR3-1600 МГц SO-DIMM

Американская компания Super Talent анонсировала появление первых в мире оптимизированных модулей оперативной памяти DDR3 SO-DIMM, объемом 4 ГБ. Новинки получили конфигурацию 512М х 64 и будут работать на тактовой частоте 1600 МГц. Они нацелены на рынок высокопроизводительных игровых лептопов.

На сегодняшний день, несколько компаний уже изготовляют 4 ГБ DDR3 SO-DIMM модули оперативной памяти, но с максимальной тактовой частотой 1333 МГц. Увеличение тактовой частоты до 1600 МГц позволит повысить производительность функционирования всей системы в целом. Новые 4 ГБ модули оперативной памяти Super Talent DDR3-1600 МГц SO-DIMM поступят в продажу через несколько недель.

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергей Будиловский

Обновленная линейка оперативной памяти Transcend JetRam

Компания Transcend анонсировала расширение линейки DDR3 оперативной памяти JetRam новыми 4 ГБ модулями. При них изготовлении применялись нормы 40 нм технологического процесса, что позволило увеличить объем при одновременном сокращении мощности потребления. Новинки пополнят как десктопный, так и мобильный сегменты рынка.

Каждый модуль проверен на надежность и оптимизирован для стабильной работы при номинальном напряжении питания 1,5 В. Краткая таблица спецификации оперативной памяти Transcend JetRam:

http://www.tcmagazine.com
http://www.transcendusa.com
Сергей Будиловский

Elpida анонсировала 2 Гб DDR 3-чипи оперативной памяти по 30 нм техпроцессу

Японская компания Elpida завершила разработку 2 Гб чипов оперативной памяти стандарта DDR3, при изготовлении которых использовались нормы 30 нм технологического процесса. Переход на новый техпроцесс обеспечит увеличение на 45% количества микросхем, которые изготовляются из одной пластины, по сравнению с 40 нм чипами. Это позволит эффективнее использовать сырье и уменьшить конечную себестоимость их изготовления. Также новинки владеют сниженным на 15% уровнем потреблением тока в активном режиме и на 10% - в режиме ожидания, что будет содействовать снижению их общей мощности потребления.

Новые чипы от компании Elpida отвечают стандарту организации JEDEC и смогут быть использованы при изготовлении стандартных (1,5 В) модулей оперативной памяти DDR3-1866 МГц и низковольтных (1,35 В) планок DDR3L-1600 МГц.

Массовое производство 2 Гб DDR 3-чипов оперативной памяти за 30 нм технологическим процессом начнется в декабре текущего года.

http://www.tcmagazine.com
Сергей Будиловский

Silicon Power анонсировала новую линейку оперативной памяти DDR3-1333 МГц

Компания Silicon Power начнет продажу новой линейки оперативной памяти, которая полностью совместима с платформами Intel и AMD. В модельный ряд входят одинарные 4 ГБ модули, двухканальные 8 ГБ (2 х 4 ГБ) и трехканальные 12 ГБ (3 х 4 ГБ) наборы.

Новинки работают на тактовой частоте 1333 МГц, используют топологию Fly-by для более эффективной организации сигналов данных, адрес, управление и синхронизации, а также поддерживают технологию ODT (On-die Termination), которая увеличивает скорость передачи информации. Интегрированный код коррекции ошибок (ECC) повышает надежность работы оперативной памяти. Каждая планка проходит полный цикл тестирования на эффективность и стабильность характеристик. Таблица спецификации новых модулей памяти Silicon Power выглядит следующим образом: 

http://www.tcmagazine.com
http://www.silicon-power.com
Сергей Будиловский