Toshiba начинает массовое производство 24 нм NAND Flash-памяти

Недавно мы сообщали о начале поставок 3-битной NAND Flash-памяти, выполненной по 25-нм техпроцессу компаниями Intel и Micron. Однако уже сегодня, Toshiba Corporation заявила о массовом производстве новых 32 Гб микросхем с применением 24-нм технологического процесса с многоуровневой структурой ячеек (MLC), каждая из которых способна сохранять три бита данных (3 bit per cell, 3bpc). Это нововведение позволит уменьшить площадь кристалла, снизить стоимость производства и повысить объем чипов. Как сообщатся в официальном пресс-релизе, данный техпроцесс уже применяется для производства 64 Гб микросхем с двумя битами на ячейку (2bpc).

Новые 32 Гб чипы также будут комплектоваться технологией Toggle DDR, которая должна увеличить скорость передачи данных. Данные микросхемы будут широко использоваться в мобильных устройствах, лептопах и SSD-накопителях и позволят компании Toshiba укрепить свои позиции на данном рынке.

http://www.tcmagazine.com
http://www.toshttp.co.jp
Сергей Будиловский

Детали оперативной памяти стандарта DDR4

Поскольку переход со стандарта DDR2 на DDR3 практически завершился и наиболее мощные производители оперативной памяти до конца текущего года переведут основные производственные возможности на производство DDR-модулей третьего поколения, то организация JEDEC анонсировала свое видение следующей генерации оперативной памяти – DDR4.

Новые модули будут работать в диапазоне частот 2133 МГц – 4266 МГц с напряжением питания 1,1 В – 1,2 В, хотя, также озвучивается цифра 1,05 В для мобильных устройств. Общее быстродействие памяти должно увеличиться, несмотря на дальнейший рост таймингов.

Существуют и определенные недостатки нового стандарта. На фоне увеличения тактовой частоты работы, контроллер сможет работать лишь с одним модулем, который приводит к необходимости увеличивать плотность микросхем памяти, а следовательно и внедрение новых техпроцессов: 32-нм и 25-нм. Достижения такого уровня производственных возможностей можно ожидать не раньше 2013 года, поэтому массовое изготовление оперативной памяти DDR4 планируется лишь в 2015 году.

http://www.nordichardware.com
http://pc.watchttppress.co.jp
Сергей Будиловский

PQI анонсировала низковольтные DDR3 SO-DIMM модули памяти

Учитывая потребность рынка ноутбуков и нетбуков в быстрой и маломощной оперативной памяти, компания PQI представила новые DDR3 SO-DIMM модули, которые способны функционировать на частотах 1333 МГц и 1066 Мгц. Номинальное напряжение питания новинок составляет 1,35 В, что по сравнению с 1,5 В модулями позволяет экономить 10% электроэнергии, увеличивая время автономной работы батареи.

Новые планки памяти будут доступны в двух вариантах емкости: 1 ГБ и 2 ГБ. Каждый модуль проходит контроль на стабильность характеристик и надежность работы. Новинки имеют пожизненную гарантию. Спецификация новых модулей оперативной памяти: 

http://www.pqi.com.tw
Сергей Будиловский

Анонс двухканальных наборов памяти Transcend aXeRam DDR3-2400 4 Гб для компьютеров с процессорами Core i7

Компания Transcend запустила двухканальные наборы памяти aXeRam DDR3-2400 объёмом 4 Гб, созданные специально для систем с процессорами Core i7 под сокет Intel LGA 1156. Благодаря возможности работать на невероятно высоких частотах до 2400 МГц при напряжении питания всего 1.65 В, эти новые наборы DDR3 с поддержкой XMP обгоняют по производительности стандартную память для этой платформы приблизительно на 60%.

Самые совершенные двухканальные наборы памяти от Transcend, работающие на частоте 2400 МГц, поднимают производительность системы благодаря идеальному сочетанию низкого напряжения, высокой частоты и низких задержек. Каждый набор 4GB DDR3 собирается из двух идентичных модулей, которые работают на частоте 2400 МГц с таймингами 9-11-9-28 и напряжением питания всего 1.65 В, предоставляя невероятную теоретическую пропускную способность – до 38.4 Гб/с. На практике рабочая частота 2400 МГц означает рост производительности до 60% в реальных приложениях по сравнению со стандартными модулями, имеющими частоту 1333 МГц. Таким образом любители разгона и хардкорные геймеры могут поднять производительность своего компьютера на базе процессора Intel Core i7 на качественно другой уровень.

Двухканальные наборы памяти aXeRam DDR3-2400 прошли тестирование на платах с чипсетом Intel P55, включая ASUS P7P55D Premium и ASUS P7P55D Deluxe. Благодаря использованию высокоэффективных алюминиевых радиаторов с оребрением, эти модули предоставляют удивительные разгонные возможности, в любой ситуации сохраняя низкую рабочую температуру.

Для улучшения стабильности и целостности сигнала на высоких рабочих частотах все модули памяти aXeRam собраны из восьми высококачественных микросхем DDR3 FBGA объёмом 128 Мб на прочной печатной плате, которая полностью соответствует жёстким стандартам JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council).

Transcend

Transcend представила 4 ГБ набор оперативной памяти DDR3 с частотой 2400 МГц

Компания Transcend объявила о расширении своей серии оперативной памяти aXeRam новым двухканальным комплектом DDR3 с частотой 2400 МГц. Полное название нового комплекта Transcend TX2400KLU-4GK, он состоит из двух модулей, каждый из которых имеет объем 2 ГБ.

Новая оперативная память оптимизирована для работы с процессорами на платформе Intel LGA 1156 и в случае соблюдения конфигурации, в настройках BIOS материнской платы можно будет активировать профиль Intel XMP для автоматического поднятия частоты оперативной памяти, вследствие чего и поднятия частоты самого процессора. Модули памяти входящие в новый комплект обладают формулой задержек 9-11-9-28 при рекомендуемом рабочем напряжении 1,65 В. Для охлаждения чипов памяти, каждый модуль укомплектовывается фирменным алюминиевым радиатором со специальным оребрением.

Оперативная память Transcend TX2400KLU-4GK получила пожизненную гарантию от производителя, а уже в конце текущего месяца она поступит на прилавки магазинов.

http://www.techpowerup.com
Роман Дода

Kingston HyperX H2O – новая линейка DDR3 памяти с поддержкой водного охлаждения

Компания Kingston представила новую серию надежной оперативной памяти - HyperX H2O. В ее состава входят комплекты высокоплотной DDR3 памяти, которые работают в двух- и трехканальном режимах на частотах от 2000 МГц. Новинка ориентирована на аудиторию игроманов и компьютерных энтузиастов.

Изюминкой новой серии является конструкция системы охлаждения, которая не только способна эффективно рассеивать излишек тепла в базовом варианте, но включает возможность построения водной системы охлаждения для лучшего эффекта. Поскольку характеристики комплектов Kingston HyperX H2O оптимизированы, то дальнейший процесс оверклокинга не рекомендуется производителем.

Спецификация Kingston HyperX H2O выглядит следующим образом:

http://www.tcmagazine.com
http://www.kingston.com
Сергей Будиловский

Lexar Media представила 16 ГБ карту памяти для геймеров

Компания Lexar Media объявила о выпуске новой карты памяти стандарта Memory Stick Pro Duo ориентированной на счастливых обладателей развлекательных систем Sony PlayStation Portable и Sony PlayStation 3 Fat со встроенным кардридером.

Карта памяти под названием Lexar Media Magic Gate Mark 2 обладает вместимостью 16 ГБ и наилучшим образом подходит для сохранения игровых данных и мультимедийных приложений. Производитель подкрепил качество своего нового продукта пятилетней гарантией. На данный момент представленная карта памяти уже доступна для покупки и геймеру, решившемуся её купить предлагают заплатить порядка 65 евро.

http://www.tcmagazine.com
Роман Дода

Серия оперативной памяти Mushkin Ridgeback DDR3 пополнилась двумя новыми комплектами

Компания Mushkin Enhanced объявила о расширении своей последней серии высокопроизводительной оперативной памяти Mushkin Ridgeback двумя новыми комплектами с объемом 8- и 12 ГБ для работы с процессорами на платформе Intel LGA 1156 и Intel LGA 1366 соответственно.

Оба комплекта оперативной памяти стандарта DDR3 обладают идентичными характеристиками и внешним видом, за исключением того, что 8 ГБ комплект Mushkin Ridgeback 996 953 двухканальный, а 12 ГБ Mushkin Ridgeback 998 953 работает в трехканальном режиме. Новые модули памяти сертифицированы для работы на частоте 2000 МГц с задержками 10-10-10-27 при рекомендуемом напряжении 1,65 В. Для охлаждения чипов памяти на каждом модуле присутствуют фирменные алюминиевые радиаторы с низкопрофильными ребрами.

Новые комплекты DDR3 оперативной памяти получили от производителя пожизненную гарантию и в настоящее время могут быть приобретены на официальном сайте компании по цене от 420 долларов США.

http://www.tcmagazine.com
Роман Дода