Компьютерные новости
Оперативная память
Kingston представляет память FURY Renegade Pro DDR5 RDIMM для платформ W790
Сегодня компания Kingston представила память FURY Renegade Pro DDR5 RDIMM для рабочих станций на базе платформы Intel W790 (процессоры Xeon W-3400 и W-2400 серий «Sapphire Rapids»). Компания помечает их как «overclockable» регистровые модули ECC DIMM, поскольку они поставляются с профилями Intel XMP 3.0, которые обеспечивают заявленные скорости на платформах Intel. Серия FURY Renegade Pro поставляется со скоростями DDR5-6000 (32-38-38 1,35 В), DDR5-5600 (36-38-38 1,25 В) и DDR5-4800 (36-38-38 1,1 В); с плотностью модулей 16 ГБ и 32 ГБ (на модуль DIMM); одномодульных комплектов, комплектов из 4 модулей (для платформ W-2400) и комплектов из 8 модулей (для платформ W-3400). Сами модули — без теплоотводов, с тонкой наклейкой, закрывающей чипы DRAM. Модули DIMM стандартной высоты.
techpowerup.com
Паровышник Валерий
G.SKILL анонсирует комплект памяти DDR5-8000 CL38 48 ГБ (24 ГБ x 2)
G.SKILL International Enterprise Co., Ltd., ведущий мировой бренд высокопроизводительной памяти для разгона и компонентов для ПК, объявляет о выпуске комплекта памяти DDR5 с исключительной производительностью на основе новейшего модуля емкостью 24 ГБ со спецификацией DDR5-8000 CL38-48. -48 на 48 ГБ (24 ГБ x2) в рамках флагманской серии Trident Z5 RGB этим он задает новый уровень для экстремально разогнанной памяти с модулями емкостью 24 ГБ.
Исследуя пределы возможностей памяти DDR5, команда разработчиков G.SKILL успешно достигла удивительной скорости DDR5-8000 CL38-48-48 с емкостью комплекта 48 ГБ (24 ГБ x2) с новыми модулями емкостью 24 ГБ. На снимке экрана ниже можно увидеть этот комплект памяти в действии с материнской платой ASUS ROG Maximus Z790 Apex и процессором Intel Core i9-13900K, достигая невероятной скорости чтения 123,76 ГБ/с, записи 120,75 ГБ/с и копирования 118,02 ГБ/с. в тесте пропускной способности памяти AIDA64.
Эта новая спецификация комплекта памяти поддерживает Intel XMP 3.0 и будет распространяться среди партнеров G.SKILL по всему миру с апреля 2023 года.
techpowerup.com
Паровышник Валерий
Corsair выпускает комплекты памяти DDR5-7000 серии Vengeance 48 ГБ (2x 24 ГБ)
CORSAIR, мировой лидер в области компонентов для энтузиастов, предназначенных для геймеров, создателей контента и сборщиков ПК, объявила сегодня о новых высокоскоростных комплектах памяти VENGEANCE RGB DDR5 и VENGEANCE DDR5 объемом 48 ГБ (2x 24 ГБ) со скоростью 7000 МТ/с, а также об общедоступных массивных комплеках 192 ГБ (4x 48 ГБ) DDR5-5200. Эти новые комплекты памяти совместимы со всеми материнскими платами Intel серии 700, но тесные рабочие отношения между ASUS и CORSAIR демонстрируют стремление обеих компаний обеспечить оптимальную производительность и совместимость для клиентов. Тщательное тестирование этих новых комплектов памяти VENGEANCE DDR5 гарантирует, что они будут работать со всеми материнскими платами ASUS, в том числе с новыми более высокими скоростями DDR5-7000.
22 февраля компания CORSAIR объявила о выпуске своих комплектов памяти объемом 48 ГБ и 96 ГБ, но теперь расширила эту линейку с высокой емкостью более быстрыми комплектами 48 ГБ со скоростью 7000 МТ/с и таймингами 40-52-52-114. Эти модули памяти DDR5 с напряжением 1,4 В поддерживают Intel XMP 3.0 для простоты установки и обеспечивают критически важное сочетание большой емкости и впечатляющей пропускной способности, что делает их идеальными для энтузиастов, которые хотят получить максимум от своих машин.
Сегодня также представлены комплекты VENGEANCE RGB DDR5 и VENGEANCE DDR5 192 ГБ. С 4 модулями по 48 ГБ рассчитанные на 5200 МТ/с с таймингами 38-38-38-84, эти комплекты также поддерживают Intel XMP 3.0 для простой настройки и работают при напряжении 1,25 В.
Оба комплекта памяти объемом 48 ГБ и 192 ГБ доступны в виде комплектов памяти VENGEANCE RGB DDR5 и VENGEANCE DDR5, что дает вам возможность создать эстетически привлекательную машину с полностью программируемой RGB-подсветкой с использованием фресок CORSAIR iCUE и ASUS Armoury Crate или других — выбор за вами.
Комплекты CORSAIR VENGEANCE RGB DDR5 и VENGEANCE DDR5 192 ГБ и 48 ГБ можно сразу же приобрести в интернет-магазине CORSAIR и во всемирной сети авторизованных розничных продавцов и дистрибьюторов CORSAIR.
На CORSAIR VENGEANCE RGB DDR5 и VENGEANCE DDR5 распространяется ограниченная пожизненная гарантия, а также всемирная сеть обслуживания клиентов и технической поддержки CORSAIR.
techpowerup.com
Паровышник Валерий
Team Group анонсирует DDR5-6800 ECC RDIMM с XMP 3.0
Ведущий поставщик памяти Team Group сегодня объявила о прорыве в характеристиках своего новейшего модуля памяти DDR5 ECC R-DIMM, который имеет увеличенную тактовую частоту до 5600 МГц, что соответствует стандарту JEDEC для высокопроизводительных спецификаций. Кроме того, компания сотрудничала с известным производителем материнских плат ASRock для завершения тестирования совместимости на платформах HEDT, оснащенных процессорами Intel Xeon 4-го поколения под кодовым названием Sapphire Rapids, и материнских платах W790. Модуль памяти не только полностью поддерживает XMP 3.0, но и представляет собой доступную сегодня на рынке память DDR5 ECC R-DIMM для разгона с максимальной тактовой частотой 6800 МГц.
Sapphire Rapids — первый серверный процессор Intel с поддержкой памяти DDR5 ECC R-DIMM. В сочетании с материнской платой W790 для рабочих станций следующего поколения пользователи могут настроить параметры разгона ЦП в BIOS и включить функцию регулировки тактовой частоты памяти DDR5 ECC R-DIMM. Пройдя строгие испытания на совместимость и стабильность, высокочастотная память, совместимая с JEDEC, выпускается в вариантах емкости 16 ГБ и 32 ГБ, чтобы удовлетворить спрос на обновления рабочих станций. Память также доступна в моделях с частотой 6400 МГц и 6800 МГц с поддержкой XMP 3.0, обеспечивая платформы HEDT следующего поколения еще большей производительностью.
Чтобы удовлетворить разнообразные потребности приложений HEDT для рабочих станций, память DDR5 ECC R-DIMM разработана с 30-микронными золотыми контактами, имеет двойной ECC и оснащена высокоточным датчиком температуры для увеличения срока службы и уменьшения тепловых проблем во время разгона. Team Group стремится создавать продукты высочайшего качества и предлагать инновационные и разнообразные решения для хранения данных и памяти. Поскольку платформенные технологии продолжают развиваться, компания будет работать рука об руку с потребителями по всему миру, чтобы создать новое поколение высокоскоростной памяти DDR5 и обеспечить революционные прорывы.
techpowerup.com
Паровышник Валерий
G.SKILL представляет разогнанные комплекты памяти DDR5 R-DIMM серии Zeta R5 для процессоров Xeon W
G.SKILL International Enterprise Co., Ltd., ведущий мировой бренд высокопроизводительной памяти для разгона и комплектующих для ПК, с радостью представляет совершенно новую серию высокопроизводительных наборов памяти DDR5 R-DIMM с разгоном G.SKILL Zeta R5. Они предназначены для использования с новейшими разблокированными процессорами Intel Xeon серии W-2400X и W-3400X на соответствующих материнских платах на базе набора микросхем Intel W790, поддерживающих четырехканальную и восьмиканальную память. Наборы памяти Zeta R5 DDR5 R-DIMM, доступные со спецификациями до DDR5-6400 CL32 и в больших комплектах емкостью до 256 ГБ (32 ГБ x8), идеально подходят для систем рабочих станций, предназначенных для создания контента, трехмерной графики или научных исследований, вычисления.
С платформой Intel W790 официально представлена поддержка разгона памяти DDR5 R-DIMM, что позволяет системам рабочих станций достигать более высоких скоростей памяти, чем R-DIMM, на основе стандартных спецификаций JEDEC. Используя преимущества этого нового набора функций, комплекты памяти DDR5 R-DIMM серии G.SKILL Zeta R5 оснащены профилями Intel XMP 3.0 для легкого разгона, что позволяет пользователям получить дополнительную пропускную способность и производительность памяти, просто включив XMP в BIOS.
Расширяя пределы производительности новейшей платформы Sapphire Rapids, группа исследователей и разработчиков G.SKILL разработала характеристики сверхбыстрой памяти с использованием модулей памяти DDR5 R-DIMM емкостью 16 ГБ вплоть до DDR5-6400 CL32-39-39-102 с общим объемом более 128 ГБ ( 16 ГБ x8) конфигурации емкости комплекта. С этим комплектом памяти на материнской плате ASUS Pro WS W790E-SAGE SE с 8-канальной памятью и процессором Intel Xeon W9-3495X пропускная способность памяти достигает поразительных 303 ГБ/с при чтении, 227 ГБ/с при записи и 257 ГБ/с скорости копирования в тесте пропускной способности памяти AIDA64, как показано на снимке экрана выше.
Для рабочих станций, которым требуется большой объем памяти, серия памяти G.SKILL Zeta R5 также предлагает конфигурации комплекта x8 емкостью 32 ГБ, что в сумме дает 256 ГБ, достигая скорости разгона до DDR5-6000 CL30-38-38-96.
Стремясь разработать максимально быструю память, G.SKILL также демонстрирует потенциал высокой пропускной способности разгона R-DIMM до DDR5-6800 CL34-45-45-108 в 8-канальном режиме на материнской плате ASUS Pro WS W790E-SAGE SE и процессор Intel Xeon W9-3495X, достигший безумной скорости чтения 315 ГБ/с, записи 228 ГБ/с и копирования 262 ГБ/с в тесте пропускной способности памяти AIDA64. Хотя память DDR5-6800 не является стартовой спецификацией, она демонстрирует потенциальные возможности новой платформы Intel W790.
Список технических характеристик памяти см. в таблице ниже:
Высокопроизводительные разогнанные комплекты памяти DDR5 R-DIMM серии G.SKILL Zeta R5 поддерживают новейший профиль разгона памяти Intel XMP 3.0, что упрощает разгон памяти через BIOS материнской платы, а достижение номинальных характеристик разгона XMP будет зависеть от совместимости и возможности разблокированных процессоров Intel Xeon серии W-2400X и W-3400X и соответствующих материнских плат с набором микросхем Intel W790. Эти комплекты памяти будут поставляться партнерам-дистрибьюторам G.SKILL по всему миру с марта 2023 года.
techpowerup.com
Паровышник Валерий
Team Group объявляет о выпуске памяти DDR5-6400 стандарта JEDEC с драйверами Client Clock
Ведущий мировой бренд памяти Team Group объявил о новых прорывах в разработке стандартной памяти Team Group ELITE U-DIMM DDR5. Чтобы обеспечить совместимость с платформами следующего поколения, Team Group впервые разработала высокопроизводительную спецификацию 6400 МГц в соответствии с определениями JEDEC, чтобы потребители могли с легкостью наслаждаться улучшенной производительностью в поколении DDR5.
Чтобы обеспечить стабильную производительность памяти DDR5 на частоте 6400 МГц и выше, Team Group внедрила новые компоненты CKD (драйвер Client Clock), предназначенные для усиления, буферизации и стабильного вывода высокочастотных сигналов от ЦП к комплектам памяти DDR5, эффективно гарантируя высокие частоты, поддерживая надежную высокоскоростную передачу. Team Group занимается исследованиями и разработками и одновременно работает с производителями материнских плат для тщательного тестирования совместимости, предлагая потребителям во всем мире высококачественные и хорошо совместимые продукты памяти для настольных компьютеров и ноутбуков, удовлетворяя потребности пользователей в ПК, ноутбуках или других небольших системах.
С развитием новых технологий Team Group стремится применить решение CKD к комплектам памяти DDR5 для игрового бренда Team Group T-FORCE и бренда разработчиков T-CREATE в надежде повысить частоты памяти OC до 9000 МГц или выше, чтобы обеспечить сверхбыстрый игровой процесс для геймеров и надежные, высокопроизводительные решения для обработки информации для создателей контента.
Постоянная ссылка на новостьSK hynix представит энергоэффективную и высокопроизводительную память на CES 2023
В интернете появились первые пресс-релизы одного из крупнейших производителей вычислительных устройств - SK hynix, и вот что у них известно:
SK hynix Inc. объявила, что продемонстрирует ряд своих основных и совершенно новых продуктов на выставке CES 2023, которая состоится в Лас Вегас с 5 по 8 января.
Ожидается, что продукты, представленные в рамках темы «Зеленого цифрового решения» в рамках кампании SK Group «Carbon-Free Future», привлекут внимание клиентов и экспертов в сфере больших технологий благодаря значительному улучшению производительности и энергоэффективности по сравнению с предыдущими поколениями, а также уменьшением влияния на окружающую среду.
Внимание к энергоэффективным микросхемам памяти растет, поскольку мировые технологические компании ищут продукты, которые обрабатывают данные быстрее, потребляя при этом меньше энергии. SK hynix уверена, что ее продукты, представленные на выставке CES2023, удовлетворят такие потребности клиентов благодаря выдающейся производительности на ватт и мощности в целом.
Основным продуктом, представленным на выставке, является PS1010 E3.S, eSSD, состоящий из нескольких 176-слойных 4D NAND, поддерживающих пятое поколение интерфейса PCIe.
В SK Hynix заявили, что PS1010 это сочетание ведущих технологий компании, стало своевременным, поскольку рынок серверных чипов продолжает расти, несмотря на текущий спад отрасли.
Продукт PS1010 демонстрирует улучшение скорости чтения и записи на 130% и 49% по сравнению с предыдущим поколением. Его производительность на ватт также улучшилась более чем на 75%, помогая клиентам снизить затраты на работу серверов и выбросы углерода.
"Мы гордимся тем, что представляем PS1010, сверхвысокопроизводительный продукт с собственно разработанным контроллером и встроенным программным обеспечением, на CES 2023, крупнейшей в мире технологической выставке", - сказал Юнь Чже Йон, руководитель отдела планирования продуктов NAND. Этот продукт решит проблему наших заказчиков серверных чипов, одновременно открывая для нас путь к большей конкурентоспособности в бизнесе NAND.
Другие продукты, представленные на выставке, это HBM3, продукт памяти с лучшими в мире спецификациями для высокопроизводительных вычислений, GDDR6-AiM, использующий технологию PIM, и память CXL, способную гибко расширять емкость памяти и производительность.
HBM (память высокой пропускной способности): высокопроизводительная память высокого качества, вертикально соединяющая несколько микросхем DRAM и значительно повышающая скорость обработки данных по сравнению с традиционными продуктами DRAM.
PIM (обработка в памяти): технология следующего поколения, обеспечивающая решение проблем перегрузки данных для ИИ и больших данных путем добавления вычислительных функций в полупроводниковую память.
CXL (Compute Express Link): протокол подключения нового поколения на основе PCIe, на котором базируются высокопроизводительные вычислительные системы.
SK hynix также представит технологию погружного охлаждения* от SK enmove, специализирующуюся на энергоэффективности. Технология, разработанная для охлаждения тепла серверов, создаваемых во время работы, знаменует собой успешный случай, когда SK hynix сотрудничала с другими компаниями SK или внешними деловыми партнерами для создания новых ценностей в бизнесе полупроводников.
* Погружное охлаждение: технология теплового управления следующего поколения, снижающая температуру путем погружения серверов данных в охлаждающее масло. Таким образом, общее потребление электроэнергии можно снизить на 30% по сравнению с существующей технологией, которая использует воздух для охлаждения.
Если же что-то подытожить, то не очень понятно, почему нам должно быть не все равно на выбросы углерода, но энергоэффективность многих устройств будет важным фактором в нашей стране и сейчас, и после победы.
Что касается новых стандартов памяти, то лично я настроен довольно скептически, из-за быстрого исчезновения видеокарт с HBM2 памятью, например AMD Radeon серии Vega. И хотя PIM звучит тоже круто, но до внедрения стандарта еще достаточно далеко. Хотя, недавно Samsung утверждали, что смогли интегрировать PIM в свою память, что очень существенно повысило производительность. Остается только ждать.
Постоянная ссылка на новостьSamsung Electronics разрабатывает первую в индустрии 12-нм память DDR5 DRAM
В 2023 году планируется начать массовое производство новой памяти Samsung DRAM по 12 нм техпроцессу, которая ускорит вычисление следующего поколения, центры обработки данных и приложения искусственного интеллекта благодаря лучшей в области производительности и большей энергоэффективности.
Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в сфере передовых технологий памяти, сегодня объявила о разработке своей 16-Гигабитной (Гбит) памяти DDR5 DRAM, созданной с использованием, первой в отрасли технологии, 12 нм процесса, а также с перспективой совместимости с продуктами AMD
“Наша 12 нм оперативная память станет ключевым фактором содействия распространению DDR5 DRAM на всем рынке. Благодаря исключительной производительности и энергоэффективности мы ожидаем, что наша новая DRAM станет основой для более устойчивых операций в таких областях, как вычисление следующего поколения, центры обработки данных и системы, управляемые ИИ.”
— сказал Чжун Ли, исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung Electronics.
Этот технологический скачок стал возможным благодаря использованию нового High-K материала, увеличивающего емкость элемента, и запатентованной технологии разработки, улучшающей критические характеристики схемы. В сочетании с усовершенствованной многослойной ультрафиолетовой (EUV) литографией новая DRAM имеет самую высокую в области плотность матрицы, что обеспечивает 20% увеличение производительности пластин.
“Инновации часто требуют тесного сотрудничества с отраслевыми партнерами, чтобы расширить границы технологий. Мы рады снова сотрудничать с Samsung, в частности, по внедрению продуктов памяти DDR5, которые оптимизированы и проверены на платформах «Zen»”.
– сказал Джо Макри, старший вице-президент, корпоративный сотрудник и клиент, технический директор по вычислениям и графике AMD.
Используя новейший стандарт DDR5, 12-нм DRAM от Samsung поможет разблокировать скорость до 7,2 Гбит/с. Это означает обработку двух UHD-фильмов размером 30 ГБ всего за одну секунду.
Исключительная скорость новой DRAM сочетается с большей энергоэффективностью. Потребляя на 23 процента меньше энергии, чем предыдущая DRAM, 12-нм класс DRAM станет идеальным решением для глобальных IT-компаний, стремящихся к более экологичной деятельности.
В связи с тем, что массовое производство начнется в 2023 году, Samsung планирует расширить модельный ряд DRAM, созданный по этой передовой технологии 12 нм, на широкий спектр сегментов рынка, поскольку компания продолжает сотрудничать с отраслевыми партнерами для поддержки быстрого расширения последующих поколений вычислительных устройств.
Постоянная ссылка на новостьПоказать еще
