Поиск по сайту

up

Компьютерные новости

Накопители

SSD-диск GOODRAM CX100 доступен в объеме до 960 ГБ

Анонсировано появление нового твердотельного накопителя GOODRAM CX100, который является обновленной версией модели GOODRAM C100. Новинка позиционируется в качестве доступного и производительного решения, которое отлично подойдет для замены традиционного HDD-диска в десктопном или мобильном компьютере.

GOODRAM CX100

Модель GOODRAM CX100 создана в 2,5-дюймовом формате толщиной всего 6,85 мм. В комплекте также поставляется 2,5-мм адаптер, что позволяет устанавливать новинку даже в 9,5-мм отсеки традиционных ноутбуков. Построена она на основе 19-нм TLC NAND-памяти компании Toshiba, а в качестве контроллера используется микросхема Phison PS3110-S10. Дополняет эту связку кэш-память LPDDR3 объемом до 1 ГБ и внешний интерфейс SATA 6 Гбит/с.

GOODRAM CX100

SSD-диск GOODRAM CX100 доступен в объеме 120, 240, 480 или 960 ГБ. Максимальные показатели скорости последовательного чтения и записи достигают 560 и 540 МБ/с соответственно, а максимальное произвольное чтение и запись данных объемом 4 КБ осуществляется при 88 000 и 70 000 IOPS соответственно. Однако все зависит от конкретной версии.

GOODRAM CX100

В продажу новинка поступит с 3-летней гарантией по цене от $58 до $400. Сводная таблица технической спецификации твердотельного накопителя GOODRAM CX100:

Модель

GOODRAM CX100

Форм-фактор, дюймов

2,5

Внешний интерфейс

SATA 6 Гбит/с

Тип микросхем памяти

Toshiba A19 TLC NAND

Контроллер

Phison PS3110-S10

Максимальный объем кэш-памяти LPDDR3, ГБ

1

Варианты по объему, ГБ

120

240

480

960

Базовая скорость последовательного чтения / записи данных, МБ/с

560 / 420

560 / 500

560 / 540

560 / 540

Скорость последовательного чтения / записи несжимаемых данных, МБ/с

490 / 380

500 / 475

530 / 500

510 / 310

Произвольное чтение / запись данных объемом 4 КБ, IOPS

69 000 / 26 900

82 000 / 39 000

88 000 / 60 000

88 000 / 70 000

Ориентировочная стоимость, $

58

96

187

400

Технологии безопасного хранения данных

SmartFlush, GuaranteedFlush, End-to-end data protection, SmartRefresh

Диапазон рабочих температур, °С

0…+70

Максимальная потребляемая мощность, Вт

<3,5

ECC-коррекция, бит / 2 КБ

120

Среднее время наработки на отказ (MTBF), часов

2 000 000

Размеры, мм

100,1 х 69,9 х 6,85

Масса, г

50

http://www.goodram.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Samsung представила новые V-NAND SSD-диски

Благодаря большим возможностям и преимуществам по сравнению с обычными жесткими дисками, популярность SSD-дисков растет с каждым днем. Все больше производителей перешли на производство именно этих устройств. Среди них стоит отметить известную компанию Samsung, которая на днях анонсировала три SSD, построенные на основе технологии 3D V-NAND. По словам производителя, новинки предназначены для  использования в дата-центрах.

Samsung

Устройства PM1633, PM1725 и PM953 обладают высокой скорость записи и чтения, о чем говорят следующие показатели. Итак, PM1633 представляет собой 2,5-дюймовый SAS SSD со скоростью 12 ГБ/с, PM1725 – диск, выполненный в виде PCIe-карты с емкостью 6,4 ТБ. Важно отметить, что это устройство способно выполнять до 1 млн. операций ввода и вывода в секунду.

Модель PM1725 предлагает скорость считывания информации на уровне до 5,5 ГБ/с. Скорость записи составляет до 1,8 ГБ/с. Для наглядного примера производитель сообщает, что для сохранения видеофайла емкостью 5 ГБ необходимо всего лишь три секунды.

http://www.ubergizmo.com
Мартынец Мария

Постоянная ссылка на новость

Toshiba PX04P, Toshiba XG3 и Toshiba BG1 - SSD-накопители с протоколом NVMe

Компания Toshiba презентовала три серии твердотельных накопителей, которые работают согласно протоколу NVMe. Новинки Toshiba PX04P, Toshiba XG3 и Toshiba BG1 были представлены в рамках конференции Flash Memory Summit. По словам производителя, новые устройства отлично подойдут для высокопроизводительных ноутбуков, ноутбуков 2-в-1 и планшетов. Новинки обеспечивают высокую производительность и низкую задержку. Сообщается, что в продажу накопители поступят в четвертом квартале текущего года, если точнее с октября по декабрь. 

Toshiba

Стоит отметить, что каждая линейка предназначена для разных сегментов рынка. Так, модель Toshiba PX04P ориентирована на корпоративных клиентов и представлена в двух модификациях: с интерфейсом PCI Express и U.2 (SFF-8639). Скоростные характеристики находятся на высоком уровне: 3100 МБ/с в режиме чтения и 2350 МБ/с – для записи. Доступны модели емкостью 8, 16 и 32 ГБ.   

Используемый интерфейс для модификации Toshiba XG3 представлен вариантом SATA Express, при этом форматом выступает M.2 2280 и 2,5 дюйма. Максимальный объем этого накопителя равен 1 ТБ. Также сообщается об опции исправления ошибок QSBC и протоколе шифрования данных TCG.

Toshiba

Накопитель Toshiba BG1, предназначенный для ноутбуков, имеет формат M.2 2230. Для этого накопителя максимальный объем памяти равен 256 ГБ. Также известно о поддержке алгоритма шифрования TCG.  

http://www.techpowerup.com
Мартынец Мария

Постоянная ссылка на новость

Линейка Kingston Class 10 UHS-I SDHC/SDXC пополнилась моделью на 512 ГБ

Являясь ведущим производителем продуктов памяти, компания Kingston сообщила о расширении линейки Kingston Class 10 UHS-I SDHC/SDXC моделью на 512 ГБ. Сообщается, что новинка отлично подойдет для зеркальных и HD камер, позволяя снимать видео в Full HD 1080p и трехмерное видео, а также быстро передавать файлы.  

Kingston Class 10 UHS-I SDHC/SDXC

Скоростные показатели представлены следующими значениями: 90 МБ/с для чтения и 45 МБ/с для записи. Благодаря такому уровню скорости обеспечивается полноценная серийная съемка, и количество задержек при снятии видео сводится к минимуму. Стоит отметить, что наряду с новинкой, линейка Kingston Class 10 UHS-I SDHC/SDXC включает в себя варианты на 16, 32, 64, 128 и 256 ГБ.

Среди прочих особенностей необходимо выделить размер устройства – 24 х 32 х 2,1 мм, рабочую температуру на уровне -25°C – 85°C, а также температуру хранения -40°C – 85°C. 

Вдобавок производитель предоставляет пожизненную гарантию, бесплатную техническую поддержку для новинки, а также встроенный переключатель защиты от записи.

http://www.techpowerup.com
Мартынец Мария

Постоянная ссылка на новость

Компактные и элегантные флэш-накопители Team Group C153 и C155

Компания Team Group вывела на рынок два новых флэш-накопителя: Team Group C153 и Team Group C155. Они используют абсолютно одинаковую конструкцию корпуса, созданного из алюминия и покрытого специальным слоем краски, стойкой к коррозийным процессам и появлению отпечатков пальцев. Однако отличаются они расцветками: черный, серебристый, синий или розовый для Team Group C153 и золотистый для Team Group C155.

Team Group C153 C155

Главным же отличием этих моделей является тип интерфейса: USB 2.0 для Team Group C153 и USB 3.0 для Team Group C155. К тому же первая новинка доступна в вариантах от 8 до 64 ГБ, а вторая – от 8 до 128 ГБ. Конечно, и скоростные показатели у второй флэшки должны быть выше, однако производитель точных цифр не указывает.

В продажу они поступят с пожизненной гарантией. Сравнительная таблица технической спецификации флэш-накопителей Team Group C153 и C155:

Модель

Team Group C153

Team Group C155

Интерфейс

USB 2.0

USB 3.0

Объем, ГБ

8 / 16 / 32 / 64

8 / 16 / 32 / 64 / 128

Цвет

Черный / серебристый / синий / розовый

Золотистый

Совместимые ОС

Windows 8 / 7 / Vista / XP
Mac OS 10.3.x и выше
Linux 2.6 и выше

Размеры, мм

54,4 х 19,3 х 7,3

Масса, г

12

Гарантия

Пожизненная

http://www.teamgroupinc.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Флэш-накопитель Silicon Power Mobile C80 с поддержкой двух разъемов

Компания Silicon Power представила свой первый USB-накопитель, оснащенный двумя разъемами. Модель Silicon Power Mobile C80 имеет в своем распоряжении традиционный коннектор USB 3.0 Type-A и компактный симметричный USB Type-C. Благодаря этому планируется достижение совместимости новинки как с десктопными, так и с мобильными устройствами.

Silicon Power Mobile C80

Флэшка Silicon Power Mobile C80 создана с применением дизайна COB, поэтому характеризуется повышенной защитой внутренних компонентов от влаги, пыли и вибрации. Она доступна в трех вариантах объема: 16, 32 и 64 ГБ. Корпус новинки создан из сплава цинка и оснащен поворотным колпачком. Он гарантирует легкий доступ к обоим разъемам и позволяет прикрепить устройство, например, к связке с ключами.

Silicon Power Mobile C80

Дополнительно компания Silicon Power разработала мобильное приложение SP File Explorer для Android-устройств. Оно представляет собой удобный менеджер для работы с файлами. А программная кнопка «One-touch backup» позволит мгновенно активировать процесс резервного копирования данных с мобильного гаджета на флэшку.

Сводная таблица технической спецификации флэш-накопителя Silicon Power Mobile C80:

Модель

Silicon Power Mobile C80

Объем, ГБ

16 / 32 / 64

Интерфейсы

1 x USB 3.0 Type-A
1 x USB Type-C

Диапазон рабочих температур, °С

0…+70

Материал корпуса

Сплав цинка

Цвет

Титановый

Поддерживаемые ОС

Windows 8 / 7 / Vista / XP
Mac OS 10.3.x
Linux 2.6
Android 4.1.x
Windows phone 8

Гарантия

Пожизненная

http://www.silicon-power.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Samsung начала массовое производство 256-гигабитных 3D V-NAND флэш-микросхем

Компания Samsung сообщила о запуске в массовое производство первых в индустрии 256-гигабитных (32-гигабайтных) трехмерных (3D) флэш-микросхем V-NAND, которые используют 48-слойную структуру и могут хранить 3 бита информации в одной ячейке.

Samsung 3D V-NAND

Напомним, что в августе 2014 года компания Samsung представила второе поколение флэш-микросхем V-NAND, которое использует 32-слойную структуру и позволяет сохранять 3 бита данных в одной ячейке. Именно на основе этих микросхем построены 2-терабайтные модели твердотельных дисков серий Samsung 850 Pro и 850 EVO. Таким образом, представленные микросхемы V-NAND третьего поколения с 48-слойной структурой и объемом 256-гигабит позволят удвоить максимальный объем при сохранении текущего количества чипов в диске или же в два раза уменьшить количество чипов для достижения аналогичного объема конечного SSD.

К тому же новинки характеризуются 30% сокращением энергопотребления и 40% повышением быстродействия в сравнении с 32-слойными чипами V-NAND второго поколения. Использоваться же данные микросхемы будут не только в пользовательских твердотельных дисках, но и в серверных SSD с интерфейсом NVMe и SAS.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Toshiba создала 16-слойную стековую NAND-память с помощью технологии TSV

Компания Toshiba сообщила об успешном создании первого в мире 16-слойного чипа NAND флэш-памяти. Для реализации этого проекта была использована технология Through Silicon Via (TSV), которая предполагает наличие специальных вертикальных электродов. Они проходят через всю структуру, объединяя все используемые ядра флэш-памяти в одно целое.

Toshiba NAND TSV

В результате такого подхода пропускная способность (I/O data rate) превысила 1 Гбит/с, что выше показателя любой существующей NAND-микросхемы. При этом рабочее напряжение составляет 1,2 – 1,8 В (в зависимости от физического размещения ядер), а снижение потребляемой мощности при операциях чтения и записи достигает 50%.

Toshiba NAND TSV

Первые прототипы новой стековой памяти компании Toshiba характеризуются общим объемом 128 ГБ (8 слоев) и 256 ГБ (16 слоев) при высоте 1,35 и 1,9 мм соответственно. По мнению разработчиков, они отлично подходят для использования в разных сферах: от массовых пользовательских устройств до высокопроизводительных SSD-дисков корпоративного класса благодаря низким задержкам, высокой пропускной способности и отличной энергоэффективности.

Toshiba NAND TSV

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Показать еще