Флэш-накопитель Silicon Power Mobile C80 с поддержкой двух разъемов

Компания Silicon Power представила свой первый USB-накопитель, оснащенный двумя разъемами. Модель Silicon Power Mobile C80 имеет в своем распоряжении традиционный коннектор USB 3.0 Type-A и компактный симметричный USB Type-C. Благодаря этому планируется достижение совместимости новинки как с десктопными, так и с мобильными устройствами.

Флэшка Silicon Power Mobile C80 создана с применением дизайна COB, поэтому характеризуется повышенной защитой внутренних компонентов от влаги, пыли и вибрации. Она доступна в трех вариантах объема: 16, 32 и 64 ГБ. Корпус новинки создан из сплава цинка и оснащен поворотным колпачком. Он гарантирует легкий доступ к обоим разъемам и позволяет прикрепить устройство, например, к связке с ключами.

Дополнительно компания Silicon Power разработала мобильное приложение SP File Explorer для Android-устройств. Оно представляет собой удобный менеджер для работы с файлами. А программная кнопка «One-touch backup» позволит мгновенно активировать процесс резервного копирования данных с мобильного гаджета на флэшку.

Сводная таблица технической спецификации флэш-накопителя Silicon Power Mobile C80:

http://www.silicon-power.com
Сергей Будиловский

Samsung начала массовое производство 256-гигабитных 3D V-NAND флэш-микросхем

Компания Samsung сообщила о запуске в массовое производство первых в индустрии 256-гигабитных (32-гигабайтных) трехмерных (3D) флэш-микросхем V-NAND, которые используют 48-слойную структуру и могут хранить 3 бита информации в одной ячейке.

Напомним, что в августе 2014 года компания Samsung представила второе поколение флэш-микросхем V-NAND, которое использует 32-слойную структуру и позволяет сохранять 3 бита данных в одной ячейке. Именно на основе этих микросхем построены 2-терабайтные модели твердотельных дисков серий Samsung 850 Pro и 850 EVO. Таким образом, представленные микросхемы V-NAND третьего поколения с 48-слойной структурой и объемом 256-гигабит позволят удвоить максимальный объем при сохранении текущего количества чипов в диске или же в два раза уменьшить количество чипов для достижения аналогичного объема конечного SSD.

К тому же новинки характеризуются 30% сокращением энергопотребления и 40% повышением быстродействия в сравнении с 32-слойными чипами V-NAND второго поколения. Использоваться же данные микросхемы будут не только в пользовательских твердотельных дисках, но и в серверных SSD с интерфейсом NVMe и SAS.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Toshiba создала 16-слойную стековую NAND-память с помощью технологии TSV

Компания Toshiba сообщила об успешном создании первого в мире 16-слойного чипа NAND флэш-памяти. Для реализации этого проекта была использована технология Through Silicon Via (TSV), которая предполагает наличие специальных вертикальных электродов. Они проходят через всю структуру, объединяя все используемые ядра флэш-памяти в одно целое.

В результате такого подхода пропускная способность (I/O data rate) превысила 1 Гбит/с, что выше показателя любой существующей NAND-микросхемы. При этом рабочее напряжение составляет 1,2 – 1,8 В (в зависимости от физического размещения ядер), а снижение потребляемой мощности при операциях чтения и записи достигает 50%.

Первые прототипы новой стековой памяти компании Toshiba характеризуются общим объемом 128 ГБ (8 слоев) и 256 ГБ (16 слоев) при высоте 1,35 и 1,9 мм соответственно. По мнению разработчиков, они отлично подходят для использования в разных сферах: от массовых пользовательских устройств до высокопроизводительных SSD-дисков корпоративного класса благодаря низким задержкам, высокой пропускной способности и отличной энергоэффективности.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

SSD-накопитель ADATA Premier SP550 с TLC NAND-памятью

Компания ADATA представила новый 2,5-дюймовый твердотельный накопитель – ADATA Premier SP550. Он построен на сочетании TLC NAND-памяти, контроллера Silicon Motion SM2256 и интерфейса SATA 6 Гбит/с, благодаря чему достигается оптимальное сочетание надежности, производительности и стоимости.

На рынке модель ADATA Premier SP550 будет доступна в четырех вариантах объема: 120, 240, 480 и 960 ГБ. При этом максимальная последовательная скорость чтения и записи сжимаемых данных достигает 560 и 510 МБ/с соответственно. А максимальная скорость чтения и записи произвольных данных заявлена на уровне 75 000 IOPS.

Для повышения производительности в ADATA Premier SP550 используется технология SLC caching, а вот набор технологий NANDXtend (data shaping, LDPC ECC, RAID engine) сопутствует увеличению стабильности и надежности функционирования.

Подробная таблица технической спецификации твердотельного накопителя ADATA Premier SP550:

http://adata.com
Сергей Будиловский

Toshiba представила 48-слойные BiCS TLC-микросхемы памяти объемом 256 Гбит

Доминирующей технологией на рынке флэш-памяти в данный момент является NAND Flash, однако компания Toshiba с 2007 года активно развивает и конкурирующее решение – BiCS Flash (Bit Cost Scalable). В частности, на днях она представила новое поколение этих микросхем, использующих трехмерную (3D) стековую 48-слойную структуру с возможностью записи 3 бит в одну ячейку (triple-level cell, TLC). Благодаря этому они могут похвастать очень высокой емкостью – 256 Гбит или 32 ГБ.

В результате 3D BiCS-структура не только превзошла традиционные 2D NAND-микросхемы в вопросе объема, но и может похвастать повышенной скоростью записи и улучшенной надежностью при записи и стирании данных.

Новые BiCS-микросхемы компании Toshiba предназначены для использования в пользовательских и промышленных SSD-накопителях, смартфонах, планшетах и картах памяти. Выпуск первых образцов данных чипов начнется уже в сентябре, поэтому вскоре на рынок поступят и первые образцы готовых продуктов на их основе.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Защищенный внешний накопитель ADATA HD720 объемом до 2 ТБ

Очень часто информация стоит значительно дороже, чем физический носитель для ее транспортировки, поэтому к последнему могут предъявляться повышенные требования в вопросе защиты данных от разрушительного воздействия определенных физических фактов. Новый внешний накопитель ADATA HD720 наверняка понравится в этом плане многим пользователям.

Дело в том, что он соответствует стандартам IP68 и MIL-STD-810G 516.6, то есть защищает внутреннюю электронику от пыли, воды (погружение на 2 метра в течение 120 минут) и падений с высоты 1,8 м. Для этого конструкция новинки включает в себя внутренний защитный кожух, внешний пластиковый кейс и дополнительную силиконовую накладку.

Сама же модель ADATA HD720 доступна в трех вариантах объема (500 ГБ, 1 и 2 ТБ) и оснащена интерфейсом USB 3.0. На ее корпусе можно удобно и надежно закрепить кабель USB 3.0, который используется для передачи данных и питания внутренних узлов.

Среди дополнительных преимуществ ADATA HD720 следует выделить:

• наличие сенсора G Shock, который останавливает операции чтения / записи при фиксировании падения либо удара, что предотвращает повреждение внутренних компонентов;
• наличие специального индикатора, который сигнализирует о наиболее важных моментах при эксплуатации;
• возможность загрузки функционального дополнительного ПО (HDDtoGO и OStoGO).

В продажу новинка поступит с 3-летней гарантией. Сводная таблица технической спецификации накопителя ADATA HD720:

http://www.adata.com
Сергей Будиловский

Intel и Micron сообщают о прорыве в вопросе хранения данных

Компании Intel и Micron презентовали совместную технологию 3D XPoint, которую они скромно назвали технологичным прорывом в области постоянной памяти, сравнив с изобретением NAND-памяти в 1989 году.

Сообщается, что построенные на базе 3D XPoint накопители сочетают в себе высокий уровень производительности (в 1000 раз быстрее, чем NAND), надежности (в 1000 раз) и плотности хранения (в 100 раз), а также низкое энергопотребление и доступную стоимость.

Технология 3D XPoint предполагает использование инновационной крестообразной трехмерной архитектуры, в которой ячейки памяти размещены на пересечении линий битов и слов, что позволяет индивидуально обратиться к любой ячейке. В результате можно быстрее записывать и считывать нужные данные, что существенно ускоряет обмен информацией.

Первые устройства на основе технологии 3D XPoint будут доступны в качестве тестовых образцов уже до конца этого года. Компании Intel и Micron будут разрабатывать собственные продукты на ее основе.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

SanDisk обещает 6- и 8-ТБ SSD-диски в 2016 году

Похоже, что производителям традиционных HDD-накопителей необходимо активизировать свои усилия в вопросе разработки новых технологий и методов записи данных для существенного повышения общего объема. Дело в том, что SSD-диски уже совсем скоро могут лишить HDD-устройства их традиционного преимущества в плане большого объема.

В частности, компания SanDisk сообщила, что в 2016 году она планирует перейти на 15-нм NAND флэш-микросхемы памяти, что позволит ей увеличить максимальный объем SSD с 4 до 6 и 8 ТБ. Эти новинки будут оснащены интерфейсом SAS 12 Гбит/с и нацелены на серверные системы. Сообщается, что новые микросхемы все еще используют MLC-дизайн вместо более прогрессивного 3D V-NAND. То есть 8 ТБ – это далеко не предел для 15-нм техпроцесса.

К тому же аналитики прогнозируют, что уже в 2017 году показатель стоимости хранения гигабайта информации на SSD и HDD будет приблизительно одинаков, то есть традиционные жесткие диски потеряют и преимущество в цене. Прогнозы по плотности записи информации также не на пользу HDD-дисков: преимущество SSD в ближайшем будущем оценивается в 10-кратном размере (16 против 1,6 ТБ).

http://wccftech.com
Сергей Будиловский