Компьютерные новости
Накопители
SSD-диск GOODRAM CX100 доступен в объеме до 960 ГБ
Анонсировано появление нового твердотельного накопителя GOODRAM CX100, который является обновленной версией модели GOODRAM C100. Новинка позиционируется в качестве доступного и производительного решения, которое отлично подойдет для замены традиционного HDD-диска в десктопном или мобильном компьютере.
Модель GOODRAM CX100 создана в 2,5-дюймовом формате толщиной всего 6,85 мм. В комплекте также поставляется 2,5-мм адаптер, что позволяет устанавливать новинку даже в 9,5-мм отсеки традиционных ноутбуков. Построена она на основе 19-нм TLC NAND-памяти компании Toshiba, а в качестве контроллера используется микросхема Phison PS3110-S10. Дополняет эту связку кэш-память LPDDR3 объемом до 1 ГБ и внешний интерфейс SATA 6 Гбит/с.
SSD-диск GOODRAM CX100 доступен в объеме 120, 240, 480 или 960 ГБ. Максимальные показатели скорости последовательного чтения и записи достигают 560 и 540 МБ/с соответственно, а максимальное произвольное чтение и запись данных объемом 4 КБ осуществляется при 88 000 и 70 000 IOPS соответственно. Однако все зависит от конкретной версии.
В продажу новинка поступит с 3-летней гарантией по цене от $58 до $400. Сводная таблица технической спецификации твердотельного накопителя GOODRAM CX100:
Модель |
GOODRAM CX100 |
|||
Форм-фактор, дюймов |
2,5 |
|||
Внешний интерфейс |
SATA 6 Гбит/с |
|||
Тип микросхем памяти |
Toshiba A19 TLC NAND |
|||
Контроллер |
Phison PS3110-S10 |
|||
Максимальный объем кэш-памяти LPDDR3, ГБ |
1 |
|||
Варианты по объему, ГБ |
120 |
240 |
480 |
960 |
Базовая скорость последовательного чтения / записи данных, МБ/с |
560 / 420 |
560 / 500 |
560 / 540 |
560 / 540 |
Скорость последовательного чтения / записи несжимаемых данных, МБ/с |
490 / 380 |
500 / 475 |
530 / 500 |
510 / 310 |
Произвольное чтение / запись данных объемом 4 КБ, IOPS |
69 000 / 26 900 |
82 000 / 39 000 |
88 000 / 60 000 |
88 000 / 70 000 |
Ориентировочная стоимость, $ |
58 |
96 |
187 |
400 |
Технологии безопасного хранения данных |
SmartFlush, GuaranteedFlush, End-to-end data protection, SmartRefresh |
|||
Диапазон рабочих температур, °С |
0…+70 |
|||
Максимальная потребляемая мощность, Вт |
<3,5 |
|||
ECC-коррекция, бит / 2 КБ |
120 |
|||
Среднее время наработки на отказ (MTBF), часов |
2 000 000 |
|||
Размеры, мм |
100,1 х 69,9 х 6,85 |
|||
Масса, г |
50 |
http://www.goodram.com
Сергей Будиловский
Samsung представила новые V-NAND SSD-диски
Благодаря большим возможностям и преимуществам по сравнению с обычными жесткими дисками, популярность SSD-дисков растет с каждым днем. Все больше производителей перешли на производство именно этих устройств. Среди них стоит отметить известную компанию Samsung, которая на днях анонсировала три SSD, построенные на основе технологии 3D V-NAND. По словам производителя, новинки предназначены для использования в дата-центрах.
Устройства PM1633, PM1725 и PM953 обладают высокой скорость записи и чтения, о чем говорят следующие показатели. Итак, PM1633 представляет собой 2,5-дюймовый SAS SSD со скоростью 12 ГБ/с, PM1725 – диск, выполненный в виде PCIe-карты с емкостью 6,4 ТБ. Важно отметить, что это устройство способно выполнять до 1 млн. операций ввода и вывода в секунду.
Модель PM1725 предлагает скорость считывания информации на уровне до 5,5 ГБ/с. Скорость записи составляет до 1,8 ГБ/с. Для наглядного примера производитель сообщает, что для сохранения видеофайла емкостью 5 ГБ необходимо всего лишь три секунды.
http://www.ubergizmo.com
Мартынец Мария
Toshiba PX04P, Toshiba XG3 и Toshiba BG1 - SSD-накопители с протоколом NVMe
Компания Toshiba презентовала три серии твердотельных накопителей, которые работают согласно протоколу NVMe. Новинки Toshiba PX04P, Toshiba XG3 и Toshiba BG1 были представлены в рамках конференции Flash Memory Summit. По словам производителя, новые устройства отлично подойдут для высокопроизводительных ноутбуков, ноутбуков 2-в-1 и планшетов. Новинки обеспечивают высокую производительность и низкую задержку. Сообщается, что в продажу накопители поступят в четвертом квартале текущего года, если точнее с октября по декабрь.
Стоит отметить, что каждая линейка предназначена для разных сегментов рынка. Так, модель Toshiba PX04P ориентирована на корпоративных клиентов и представлена в двух модификациях: с интерфейсом PCI Express и U.2 (SFF-8639). Скоростные характеристики находятся на высоком уровне: 3100 МБ/с в режиме чтения и 2350 МБ/с – для записи. Доступны модели емкостью 8, 16 и 32 ГБ.
Используемый интерфейс для модификации Toshiba XG3 представлен вариантом SATA Express, при этом форматом выступает M.2 2280 и 2,5 дюйма. Максимальный объем этого накопителя равен 1 ТБ. Также сообщается об опции исправления ошибок QSBC и протоколе шифрования данных TCG.
Накопитель Toshiba BG1, предназначенный для ноутбуков, имеет формат M.2 2230. Для этого накопителя максимальный объем памяти равен 256 ГБ. Также известно о поддержке алгоритма шифрования TCG.
http://www.techpowerup.com
Мартынец Мария
Линейка Kingston Class 10 UHS-I SDHC/SDXC пополнилась моделью на 512 ГБ
Являясь ведущим производителем продуктов памяти, компания Kingston сообщила о расширении линейки Kingston Class 10 UHS-I SDHC/SDXC моделью на 512 ГБ. Сообщается, что новинка отлично подойдет для зеркальных и HD камер, позволяя снимать видео в Full HD 1080p и трехмерное видео, а также быстро передавать файлы.
Скоростные показатели представлены следующими значениями: 90 МБ/с для чтения и 45 МБ/с для записи. Благодаря такому уровню скорости обеспечивается полноценная серийная съемка, и количество задержек при снятии видео сводится к минимуму. Стоит отметить, что наряду с новинкой, линейка Kingston Class 10 UHS-I SDHC/SDXC включает в себя варианты на 16, 32, 64, 128 и 256 ГБ.
Среди прочих особенностей необходимо выделить размер устройства – 24 х 32 х 2,1 мм, рабочую температуру на уровне -25°C – 85°C, а также температуру хранения -40°C – 85°C.
Вдобавок производитель предоставляет пожизненную гарантию, бесплатную техническую поддержку для новинки, а также встроенный переключатель защиты от записи.
http://www.techpowerup.com
Мартынец Мария
Компактные и элегантные флэш-накопители Team Group C153 и C155
Компания Team Group вывела на рынок два новых флэш-накопителя: Team Group C153 и Team Group C155. Они используют абсолютно одинаковую конструкцию корпуса, созданного из алюминия и покрытого специальным слоем краски, стойкой к коррозийным процессам и появлению отпечатков пальцев. Однако отличаются они расцветками: черный, серебристый, синий или розовый для Team Group C153 и золотистый для Team Group C155.
Главным же отличием этих моделей является тип интерфейса: USB 2.0 для Team Group C153 и USB 3.0 для Team Group C155. К тому же первая новинка доступна в вариантах от 8 до 64 ГБ, а вторая – от 8 до 128 ГБ. Конечно, и скоростные показатели у второй флэшки должны быть выше, однако производитель точных цифр не указывает.
В продажу они поступят с пожизненной гарантией. Сравнительная таблица технической спецификации флэш-накопителей Team Group C153 и C155:
Модель |
Team Group C153 |
Team Group C155 |
Интерфейс |
USB 2.0 |
USB 3.0 |
Объем, ГБ |
8 / 16 / 32 / 64 |
8 / 16 / 32 / 64 / 128 |
Цвет |
Черный / серебристый / синий / розовый |
Золотистый |
Совместимые ОС |
Windows 8 / 7 / Vista / XP |
|
Размеры, мм |
54,4 х 19,3 х 7,3 |
|
Масса, г |
12 |
|
Гарантия |
Пожизненная |
http://www.teamgroupinc.com
Сергей Будиловский
Флэш-накопитель Silicon Power Mobile C80 с поддержкой двух разъемов
Компания Silicon Power представила свой первый USB-накопитель, оснащенный двумя разъемами. Модель Silicon Power Mobile C80 имеет в своем распоряжении традиционный коннектор USB 3.0 Type-A и компактный симметричный USB Type-C. Благодаря этому планируется достижение совместимости новинки как с десктопными, так и с мобильными устройствами.
Флэшка Silicon Power Mobile C80 создана с применением дизайна COB, поэтому характеризуется повышенной защитой внутренних компонентов от влаги, пыли и вибрации. Она доступна в трех вариантах объема: 16, 32 и 64 ГБ. Корпус новинки создан из сплава цинка и оснащен поворотным колпачком. Он гарантирует легкий доступ к обоим разъемам и позволяет прикрепить устройство, например, к связке с ключами.
Дополнительно компания Silicon Power разработала мобильное приложение SP File Explorer для Android-устройств. Оно представляет собой удобный менеджер для работы с файлами. А программная кнопка «One-touch backup» позволит мгновенно активировать процесс резервного копирования данных с мобильного гаджета на флэшку.
Сводная таблица технической спецификации флэш-накопителя Silicon Power Mobile C80:
Модель |
Silicon Power Mobile C80 |
Объем, ГБ |
16 / 32 / 64 |
Интерфейсы |
1 x USB 3.0 Type-A |
Диапазон рабочих температур, °С |
0…+70 |
Материал корпуса |
Сплав цинка |
Цвет |
Титановый |
Поддерживаемые ОС |
Windows 8 / 7 / Vista / XP |
Гарантия |
Пожизненная |
http://www.silicon-power.com
Сергей Будиловский
Samsung начала массовое производство 256-гигабитных 3D V-NAND флэш-микросхем
Компания Samsung сообщила о запуске в массовое производство первых в индустрии 256-гигабитных (32-гигабайтных) трехмерных (3D) флэш-микросхем V-NAND, которые используют 48-слойную структуру и могут хранить 3 бита информации в одной ячейке.
Напомним, что в августе 2014 года компания Samsung представила второе поколение флэш-микросхем V-NAND, которое использует 32-слойную структуру и позволяет сохранять 3 бита данных в одной ячейке. Именно на основе этих микросхем построены 2-терабайтные модели твердотельных дисков серий Samsung 850 Pro и 850 EVO. Таким образом, представленные микросхемы V-NAND третьего поколения с 48-слойной структурой и объемом 256-гигабит позволят удвоить максимальный объем при сохранении текущего количества чипов в диске или же в два раза уменьшить количество чипов для достижения аналогичного объема конечного SSD.
К тому же новинки характеризуются 30% сокращением энергопотребления и 40% повышением быстродействия в сравнении с 32-слойными чипами V-NAND второго поколения. Использоваться же данные микросхемы будут не только в пользовательских твердотельных дисках, но и в серверных SSD с интерфейсом NVMe и SAS.
http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Toshiba создала 16-слойную стековую NAND-память с помощью технологии TSV
Компания Toshiba сообщила об успешном создании первого в мире 16-слойного чипа NAND флэш-памяти. Для реализации этого проекта была использована технология Through Silicon Via (TSV), которая предполагает наличие специальных вертикальных электродов. Они проходят через всю структуру, объединяя все используемые ядра флэш-памяти в одно целое.
В результате такого подхода пропускная способность (I/O data rate) превысила 1 Гбит/с, что выше показателя любой существующей NAND-микросхемы. При этом рабочее напряжение составляет 1,2 – 1,8 В (в зависимости от физического размещения ядер), а снижение потребляемой мощности при операциях чтения и записи достигает 50%.
Первые прототипы новой стековой памяти компании Toshiba характеризуются общим объемом 128 ГБ (8 слоев) и 256 ГБ (16 слоев) при высоте 1,35 и 1,9 мм соответственно. По мнению разработчиков, они отлично подходят для использования в разных сферах: от массовых пользовательских устройств до высокопроизводительных SSD-дисков корпоративного класса благодаря низким задержкам, высокой пропускной способности и отличной энергоэффективности.
http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Показать еще