Компьютерные новости
Оперативная память
Team Group объявляет о выпуске памяти DDR5-6400 стандарта JEDEC с драйверами Client Clock
Ведущий мировой бренд памяти Team Group объявил о новых прорывах в разработке стандартной памяти Team Group ELITE U-DIMM DDR5. Чтобы обеспечить совместимость с платформами следующего поколения, Team Group впервые разработала высокопроизводительную спецификацию 6400 МГц в соответствии с определениями JEDEC, чтобы потребители могли с легкостью наслаждаться улучшенной производительностью в поколении DDR5.
Чтобы обеспечить стабильную производительность памяти DDR5 на частоте 6400 МГц и выше, Team Group внедрила новые компоненты CKD (драйвер Client Clock), предназначенные для усиления, буферизации и стабильного вывода высокочастотных сигналов от ЦП к комплектам памяти DDR5, эффективно гарантируя высокие частоты, поддерживая надежную высокоскоростную передачу. Team Group занимается исследованиями и разработками и одновременно работает с производителями материнских плат для тщательного тестирования совместимости, предлагая потребителям во всем мире высококачественные и хорошо совместимые продукты памяти для настольных компьютеров и ноутбуков, удовлетворяя потребности пользователей в ПК, ноутбуках или других небольших системах.
С развитием новых технологий Team Group стремится применить решение CKD к комплектам памяти DDR5 для игрового бренда Team Group T-FORCE и бренда разработчиков T-CREATE в надежде повысить частоты памяти OC до 9000 МГц или выше, чтобы обеспечить сверхбыстрый игровой процесс для геймеров и надежные, высокопроизводительные решения для обработки информации для создателей контента.
Постоянная ссылка на новостьSK hynix представит энергоэффективную и высокопроизводительную память на CES 2023
В интернете появились первые пресс-релизы одного из крупнейших производителей вычислительных устройств - SK hynix, и вот что у них известно:
SK hynix Inc. объявила, что продемонстрирует ряд своих основных и совершенно новых продуктов на выставке CES 2023, которая состоится в Лас Вегас с 5 по 8 января.
Ожидается, что продукты, представленные в рамках темы «Зеленого цифрового решения» в рамках кампании SK Group «Carbon-Free Future», привлекут внимание клиентов и экспертов в сфере больших технологий благодаря значительному улучшению производительности и энергоэффективности по сравнению с предыдущими поколениями, а также уменьшением влияния на окружающую среду.
Внимание к энергоэффективным микросхемам памяти растет, поскольку мировые технологические компании ищут продукты, которые обрабатывают данные быстрее, потребляя при этом меньше энергии. SK hynix уверена, что ее продукты, представленные на выставке CES2023, удовлетворят такие потребности клиентов благодаря выдающейся производительности на ватт и мощности в целом.
Основным продуктом, представленным на выставке, является PS1010 E3.S, eSSD, состоящий из нескольких 176-слойных 4D NAND, поддерживающих пятое поколение интерфейса PCIe.
В SK Hynix заявили, что PS1010 это сочетание ведущих технологий компании, стало своевременным, поскольку рынок серверных чипов продолжает расти, несмотря на текущий спад отрасли.
Продукт PS1010 демонстрирует улучшение скорости чтения и записи на 130% и 49% по сравнению с предыдущим поколением. Его производительность на ватт также улучшилась более чем на 75%, помогая клиентам снизить затраты на работу серверов и выбросы углерода.
"Мы гордимся тем, что представляем PS1010, сверхвысокопроизводительный продукт с собственно разработанным контроллером и встроенным программным обеспечением, на CES 2023, крупнейшей в мире технологической выставке", - сказал Юнь Чже Йон, руководитель отдела планирования продуктов NAND. Этот продукт решит проблему наших заказчиков серверных чипов, одновременно открывая для нас путь к большей конкурентоспособности в бизнесе NAND.
Другие продукты, представленные на выставке, это HBM3, продукт памяти с лучшими в мире спецификациями для высокопроизводительных вычислений, GDDR6-AiM, использующий технологию PIM, и память CXL, способную гибко расширять емкость памяти и производительность.
HBM (память высокой пропускной способности): высокопроизводительная память высокого качества, вертикально соединяющая несколько микросхем DRAM и значительно повышающая скорость обработки данных по сравнению с традиционными продуктами DRAM.
PIM (обработка в памяти): технология следующего поколения, обеспечивающая решение проблем перегрузки данных для ИИ и больших данных путем добавления вычислительных функций в полупроводниковую память.
CXL (Compute Express Link): протокол подключения нового поколения на основе PCIe, на котором базируются высокопроизводительные вычислительные системы.
SK hynix также представит технологию погружного охлаждения* от SK enmove, специализирующуюся на энергоэффективности. Технология, разработанная для охлаждения тепла серверов, создаваемых во время работы, знаменует собой успешный случай, когда SK hynix сотрудничала с другими компаниями SK или внешними деловыми партнерами для создания новых ценностей в бизнесе полупроводников.
* Погружное охлаждение: технология теплового управления следующего поколения, снижающая температуру путем погружения серверов данных в охлаждающее масло. Таким образом, общее потребление электроэнергии можно снизить на 30% по сравнению с существующей технологией, которая использует воздух для охлаждения.
Если же что-то подытожить, то не очень понятно, почему нам должно быть не все равно на выбросы углерода, но энергоэффективность многих устройств будет важным фактором в нашей стране и сейчас, и после победы.
Что касается новых стандартов памяти, то лично я настроен довольно скептически, из-за быстрого исчезновения видеокарт с HBM2 памятью, например AMD Radeon серии Vega. И хотя PIM звучит тоже круто, но до внедрения стандарта еще достаточно далеко. Хотя, недавно Samsung утверждали, что смогли интегрировать PIM в свою память, что очень существенно повысило производительность. Остается только ждать.
Постоянная ссылка на новостьSamsung Electronics разрабатывает первую в индустрии 12-нм память DDR5 DRAM
В 2023 году планируется начать массовое производство новой памяти Samsung DRAM по 12 нм техпроцессу, которая ускорит вычисление следующего поколения, центры обработки данных и приложения искусственного интеллекта благодаря лучшей в области производительности и большей энергоэффективности.
Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в сфере передовых технологий памяти, сегодня объявила о разработке своей 16-Гигабитной (Гбит) памяти DDR5 DRAM, созданной с использованием, первой в отрасли технологии, 12 нм процесса, а также с перспективой совместимости с продуктами AMD
“Наша 12 нм оперативная память станет ключевым фактором содействия распространению DDR5 DRAM на всем рынке. Благодаря исключительной производительности и энергоэффективности мы ожидаем, что наша новая DRAM станет основой для более устойчивых операций в таких областях, как вычисление следующего поколения, центры обработки данных и системы, управляемые ИИ.”
— сказал Чжун Ли, исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung Electronics.
Этот технологический скачок стал возможным благодаря использованию нового High-K материала, увеличивающего емкость элемента, и запатентованной технологии разработки, улучшающей критические характеристики схемы. В сочетании с усовершенствованной многослойной ультрафиолетовой (EUV) литографией новая DRAM имеет самую высокую в области плотность матрицы, что обеспечивает 20% увеличение производительности пластин.
“Инновации часто требуют тесного сотрудничества с отраслевыми партнерами, чтобы расширить границы технологий. Мы рады снова сотрудничать с Samsung, в частности, по внедрению продуктов памяти DDR5, которые оптимизированы и проверены на платформах «Zen»”.
– сказал Джо Макри, старший вице-президент, корпоративный сотрудник и клиент, технический директор по вычислениям и графике AMD.
Используя новейший стандарт DDR5, 12-нм DRAM от Samsung поможет разблокировать скорость до 7,2 Гбит/с. Это означает обработку двух UHD-фильмов размером 30 ГБ всего за одну секунду.
Исключительная скорость новой DRAM сочетается с большей энергоэффективностью. Потребляя на 23 процента меньше энергии, чем предыдущая DRAM, 12-нм класс DRAM станет идеальным решением для глобальных IT-компаний, стремящихся к более экологичной деятельности.
В связи с тем, что массовое производство начнется в 2023 году, Samsung планирует расширить модельный ряд DRAM, созданный по этой передовой технологии 12 нм, на широкий спектр сегментов рынка, поскольку компания продолжает сотрудничать с отраслевыми партнерами для поддержки быстрого расширения последующих поколений вычислительных устройств.
Постоянная ссылка на новостьSamsung построила вычислительную систему из 96 графических процессоров AMD MI100 с новой вычислительной памятью
Компания Samsung создала первую в мире крупномасштабную вычислительную систему, используя графические процессоры со встроенными микросхемами обработки в памяти (PIM). Согласно отчету Business Korea, эти модули памяти, загруженные на 96 графических процессорах AMD Instinct MI100, увеличили производительность обучения искусственному интеллекту в 2,5 раза.
PIM – это новое поколение компьютерной памяти, которое может ускорить вычислительно-сложные рабочие процессы, обрабатываемые такими процессорами, как CPU и GPU. Как следует из названия каждый модуль памяти способен самостоятельно обрабатывать данные, уменьшая количество данных, необходимых для перемещения между памятью и процессором.
Samsung сначала продемонстрировала PIM-модифицированные графические процессоры в октябре, но только недавно объединила 96 PIM-модифицированных графических процессоров в кластер. По сравнению с обычной видеопамятью эти модифицированные микросхемы MI100 не только работают в 2,5 раза лучше, но и уменьшают энергопотребление в 2,67 раза, резко повышая эффективность графических процессоров при выполнении алгоритмов ИИ.
Samsung уже некоторое время разрабатывает PIM. В 2021 году компания продемонстрировала несколько реализаций, включающих несколько разных типов памяти, включая DDR4, LPDDR5X, GDDR6 и HBM2. В формате LPDDR5 Samsung отметила повышение производительности в 1,8 раза с понижением энергопотребления на 42,6% и сокращением задержки на 70% во время тестовой программы, включающей рабочую нагрузку Meta AI. Еще более впечатляюще то, что эти результаты были получены из стандартной серверной системы без модификаций материнской платы или ЦП (все, что изменилось, это замена на модули LPDDR5 DIMM с поддержкой PIM).
Samsung не единственная компания, разрабатывающая микросхемы PIM – SK Hynix выпустила собственные модули PIM в начале этого года. Согласно предварительному тестированию SK Hynix, их приложение GDDR6-AiM (акселератор памяти) ускорило обработку искусственного интеллекта в 16 раз и снизило энергопотребление на 80%. Это гораздо быстрее, чем модифицированный MI100 от Samsung, но мы не знаем, что SK Hynix использовала для тестирования, поэтому это не прямое сравнение.
Несмотря на это, PIM выглядит мощным решением для ускорения рабочих процессов, ускоренных искусственным интеллектом. "Как руководитель исследовательского центра искусственного интеллекта, я хочу сделать Samsung полупроводниковой компанией, использующей искусственный интеллект лучше, чем любая другая компания", - сказал Чой Чанг-кю, вице-президент и глава исследовательского центра ИИ Института передовых технологий Samsung Electronics. рассказала Business Korea.
Постоянная ссылка на новостьKingston FURY представляет геймерский SSD серии Renegade
Геймерское подразделение американской компании Kingston Technology — Kingston FURY — объявило о старте продаж твердотельных накопителей Kingston FURY Renegade SSD with Heatsink — второго поколения SSD PCIe 4.0 NVMe форм-фактора M.2, ориентированных на применение в игровых консолях и геймерских ноутбуках и ПК.
Оснащенный низкопрофильным графен-алюминиевым теплораспределителем и дополнительным радиатором, новый накопитель способен сохранять температурную стабильность и высокую производительность даже во время интенсивной эксплуатации.
Как отметил, представляя новинку, бизнес-менеджер по твердотельным накопителям Kingston Кит Шимменти: «Конструкция Kingston FURY Renegade SSD расширяет границы технологии PCIe Gen4, предоставляя пользователям высокопроизводительные хранилища в дополнение к их новейшим процессорам и графическим контроллерам. Новая модель накопителей с дополнительным радиатором позволит геймерам и энтузиастам ПК строить свои системы в соответствии со все более высокими стандартами будущих игровых платформ, требующих повышенной производительности и температурной стабильности».
В частности, за счет максимальной доступной пропускной способности PCIe 4.0, новейшего контроллера PCIe Gen 4 x4 и эффективного отвода тепла при интенсивных нагрузках, твердотельные накопители Kingston FURY Renegade SSD with Heatsink обеспечивают скорости чтения/записи вплоть до 7 300/7 000 МБ/с1 и способны обслужить до 1 000 000 операций ввода-вывода в секунду1, гарантируя исключительную стабильность скоростных характеристик, незаменимую для игрового процесса.
При этом, SSD оптимизированы для сокращения времени загрузки игр и приложений, комфортного стриминга и видеозаписи, а также общего повышения скорости отклика системы. Высокая емкость, до 4 ТБ2, дает возможность хранить обширную библиотеку игр и мультимедиа непосредственно в устройстве, оставляя достаточно места для новейших ресурсоемких игр и обновлений.
С пополнением линейки новой моделью, высокопродуктивные накопители Kingston FURY Renegade доступны пользователям как в классическом форм-факторе с низкопрофильным теплораспределителем для компактных устройств, так и в версии с дополнительным алюминиевым радиатором для систем, работающих под продолжительной высокой нагрузкой.
Твердотельные накопители Kingston FURY Renegade представлены в моделях с емкостью 500 ГБ, 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ, и обеспечены ограниченной 5-летней гарантией4 с бесплатной технической поддержкой.
Дополнительную информацию можно найти на kingston.com.
Kingston FURY Renegade SSD with Heatsink |
|
Артикул |
Описание |
SFYRSK/500G |
500GB Kingston FURY Renegade SSD with Heatsink |
SFYRSK/1000G |
1TB Kingston FURY Renegade SSD with Heatsink |
SFYRDK/2000G |
2TB Kingston FURY Renegade SSD with Heatsink |
SFYRDK/4000G |
4TB Kingston FURY Renegade SSD with Heatsink |
Особенности PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD Kingston FURY Renegade with Heatsink:
- Технология PCIe 4.0 NVMe: Доминирование на предельных скоростях до 7 300 МБ/с при чтении и до 7 000 МБ/с — при записи информации, а также до 1 миллиона IOPS при случайном обмене данными.
- Высокая емкость: Достаточное пространство для любых новых игр и их расширений. Высокая производительность и объем до 4 ТБ2 для хранения любимых игр и мультимедиа.
- PS5 Ready™: Встроенный алюминиевый радиатор обеспечивает более эффективный теплоотвод для охлаждения памяти и поддержания ее максимальной производительности при высоких нагрузках.
Спецификации PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD Kingston FURY Renegade with Heatsink:
Форм-фактор |
M.2 2280 |
Интерфейс |
NVMe PCIe Gen 4.0 x4 |
Емкости |
500 ГБ, 1, 2 и 4 ТБ |
Контроллер |
Phison E18 |
Тип флеш-памяти |
3D TLC NAND |
Последовательное чтение |
7 300 МБ/с |
Последовательная запись |
|
Случайное чтение 4k блоками в установившемся режиме |
|
Случайная запись 4k блоками в установившемся режиме |
|
Ресурс (TBW) |
|
Энергопотребление |
|
Рабочая температура |
0 — +70 °C |
Температура при хранении |
–40 — +85 °C |
Габариты |
Модели с теплораспределителем:
Модели с радиатором:
|
Масса |
Модели с теплораспределителем:
Модели с радиатором:
|
Вибрация при работе |
пиковая 2.17g (в диапазоне 7 - 800 Гц) |
Вибрация при хранении |
пиковая 20g (в диапазоне 20 - 1000 Гц) |
MTBF |
1.8 миллиона часов |
Гарантия и поддержка |
Ограниченная 5-летняя гарантия с бесплатной технической поддержкой |
https://www.kingston.com
Паровышник Валерий
G.SKILL объявляет о выпуске модулей памяти до DDR5-7800 для процессоров Intel® Core™ 13
G.SKILL International Enterprise Co., Ltd., ведущий мировой бренд производительной памяти для разгона и компонентов для ПК, рада объявить о новых спецификациях DDR5 DRAM с экстремально высокой производительностью DDR5-7800 в семействе Trident Z5. Эти новые флагманские спецификации, разработанные для использования с новейшим процессором Intel® Core™ 13-го поколения для настольных ПК и платформой набора микросхем Intel® Z790, открывают новую эру производительности DDR5.
Доведя производительность памяти до предела возможностей новейшего процессора Intel® Core™ 13-го поколения для настольных ПК и платформы набора микросхем Intel® Z790, компания G.SKILL объявляет о новых спецификациях памяти DDR5, обеспечивающих невероятную скорость DDR5-7800 на уровне CL38 с объемом памяти 32 ГБ (2x16 ГБ), под флагом семейства Trident Z5. На снимке ниже показан комплект памяти DDR5-7800, проверенный на процессоре Intel® Core™ i9-13900K для настольных ПК и материнской плате ASUS ROG Maximus Z790 Apex:
Для тех, кому не терпится приступить к работе с высокопроизводительной памятью для разгона на новейшей вычислительной платформе, комплект памяти G.SKILL DDR5-7600 CL36-46-46-121 32 ГБ (2x16 ГБ) теперь доступен в розничных магазинах и прошел проверку в рамках программы Intel® XMP 3.0. На приведенном ниже снимке проверки можно увидеть набор памяти DDR5-7600, протестированный с процессором Intel® Core™ i9-13900K для настольных ПК и материнской платой ASUS ROG Maximus Z790 Hero.
Для тех, кто ищет комплект с большей емкостью 64 ГБ (2x32 ГБ), G.SKILL увеличивает скорость разгона памяти до поразительной DDR5-7400. На снимке ниже показан комплект памяти DDR5-7400 большой емкости 64 ГБ (2x32 ГБ), проверенный на процессоре Intel® Core™ i9-13900K для настольных ПК и материнской плате ASUS ROG Maximus Z790 Apex:
Компания G.SKILL, занимающаяся разработкой еще более быстрых комплектов памяти для разгона, расширяет границы возможностей разгона памяти с помощью новейшей платформы Intel® Core™ 13-го поколения для настольных ПК. В качестве технической демонстрации компания G.SKILL показівает достижение молниеносного сверхбыстрого комплекта памяти DDR5-8000 2x16 ГБ, работающего с малой задержкой CL38-48-48-125 с настольным компьютером на Intel® Core™ i9-13900K и материнской платой ASUS ROG Maximus Z790 Apex.
Линейка продуктов серии Trident является синонимом заслуживающей внимания производительности при разгоне, и эти новинки не являются исключением. Эти новые спецификации, предназначенные для использования с новейшим процессором Intel® Core™ 13-го поколения для настольных ПК и платформой набора микросхем Intel® Z790, в сериях Trident Z5 RGB и Trident Z5 предлагают варианты с высокой емкостью или высокой частотой. См. список спецификаций DRAM ниже:
Поддерживая профили разгона памяти Intel XMP 3.0 для простого разгона через BIOS материнской платы, эти новые спецификации памяти для настольной платформы Intel® Core™ 13-го поколения будут доступны через партнеров G.SKILL по всему миру.
https://www.techpowerup.com
Паровышник Валерий
TEAMGROUP представила оперативную память для оверклокинга T-FORCE DELTA RGB DDR5 7200MHz
Мировой лидер в области производства оперативной памяти TEAMGROUP выходит на рынок с оперативной памятью под брендом T-FORCE с улучшенными техническими характеристиками для оверклокинга T-FORCE DELTA RGB DDR5 7200MHz. Она совместима с CPU Intel 13-го, новейшего поколения и материнскими платами новейшей 700 серии. Эта новая разработка компании TEAMGROUP предоставляет геймерам всего мира превосходные возможности для получения небывалых удовольствий от скорости и мощности работы всей операционной системы.
Благодаря используемым высококачественным IC компонентам и выдающимся возможностям лаборатории T-FORCE в области исследований и разработок, DELTA RGB DDR5 может предлагать на выбор двухканальные комбинации 2x16GB с частотами 6800MHz, 7000MHz и 7200MHz. Кроме того, T-FORCE DELTA RGB DDR5 оснащена модулем радиаторов, в которых используются высококачественный силикон и геометрический алюминиевый сплав для улучшенных показателей отвода тепла. Программное обеспечение DELTA RGB DDR5 для управления световыми эффектами получило сертификаты качества от таких ведущих производителей материнских плат, как ASRock, ASUS, Biostar, GIGABYTE и MSI. Все это показывает, что DELTA RGB DDR5 способна эффективно обеспечивать отвод тепла и стабильную работу общей операционной системы в режиме оверклокинга. Геймеры также могут вдоволь экспериментировать с визуальными эффектами, предусмотренными в RGB системе.
https://www.techpowerup.com
Паровышник Валерий
G.SKILL анонсирует комплекты памяти DDR5-6800 CL32 2x16 ГБ и DDR5-6400 CL32 2x32 ГБ Trident Z5 RGB
G.SKILL International Enterprise Co., Ltd., ведущий мировой бренд высокопроизводительной памяти для разгона и компонентов для ПК, рада объявить о двух новых спецификациях памяти DDR5 с экстремально высокой производительностью для своей флагманской серии Trident Z5 RGB: DDR5-6800 CL32-45- 45-108 32 ГБ (2x16 ГБ) и DDR5-6400 CL32-39-39-102 64 ГБ (2x32 ГБ). Эти комплекты памяти поставляются с профилями разгона памяти Intel XMP 3.0 и были проверены на новейшем процессоре Intel® Core™ 12-го поколения для настольных ПК и платформе с набором микросхем Intel® Z690.
Набор памяти G.SKILL Trident Z5 RGB DDR5-6800 CL32-45-45-108 2x16 ГБ, предназначенный для настройки под экстремальную скорость разгона, является идеальным выбором для энтузиастов разгона, чтобы испытать экстремальную производительность частоты DDR5. На снимке экрана ниже показан проверенный комплект памяти DDR5-6800 с процессором Intel Core i7-12700K для настольных ПК и материнской платой ASUS ROG Maximus Z690 Hero.
Что касается модулей высокой емкости DRAM, G.SKILL поднимает планку максимальной скорости 64 ГБ (2x32 ГБ) до DDR5-6400 CL32-39-39-102. Этот комплект памяти большой емкости для разгона — отличный выбор для тех, кто хочет воспользоваться преимуществом большой емкости памяти без ущерба для ее скорости. Этот комплект на снимке проверен с процессором Intel Core i7-12700K для настольных ПК и материнской платой ASUS ROG Maximus Z690 Hero.
https://www.techpowerup.com
Паровышник Валерий
Показать еще