Новые 2 ГБ модули оперативной памяти Super Talent Green DDR3

Анонсировано начало продаж новых 2 ГБ модулей экологически безопасной оперативной памяти Super Talent Green DDR3, которые собраны на базе 1 Гб микросхем. Характерными особенностями новинок является меньшее напряжение питания (1,35 В) вместо стандартного значения 1,575В и низкопрофильный дизайн – их высота составляет 18,3 мм, в то время как для обычных модулей этот показатель составляет 29, 97 мм. Эти два нововведения обеспечивают с одной стороны снижения затрат на изготовление и транспортировку новых модулей Super Talent Green DDR3, а с другой – уменьшение мощности потребления, выбросов CO₂ и лучшему охлаждению. Как следствие, возрастает их экономическая и экологическая эффективность.

Краткая спецификации новых модулей оперативной памяти Super Talent Green DDR3 приведена в таблице:

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергей Будиловский

Первые в мире 4 ГБ модули памяти Super Talent DDR3-1600 МГц SO-DIMM

Американская компания Super Talent анонсировала появление первых в мире оптимизированных модулей оперативной памяти DDR3 SO-DIMM, объемом 4 ГБ. Новинки получили конфигурацию 512М х 64 и будут работать на тактовой частоте 1600 МГц. Они нацелены на рынок высокопроизводительных игровых лептопов.

На сегодняшний день, несколько компаний уже изготовляют 4 ГБ DDR3 SO-DIMM модули оперативной памяти, но с максимальной тактовой частотой 1333 МГц. Увеличение тактовой частоты до 1600 МГц позволит повысить производительность функционирования всей системы в целом. Новые 4 ГБ модули оперативной памяти Super Talent DDR3-1600 МГц SO-DIMM поступят в продажу через несколько недель.

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергей Будиловский

Обновленная линейка оперативной памяти Transcend JetRam

Компания Transcend анонсировала расширение линейки DDR3 оперативной памяти JetRam новыми 4 ГБ модулями. При них изготовлении применялись нормы 40 нм технологического процесса, что позволило увеличить объем при одновременном сокращении мощности потребления. Новинки пополнят как десктопный, так и мобильный сегменты рынка.

Каждый модуль проверен на надежность и оптимизирован для стабильной работы при номинальном напряжении питания 1,5 В. Краткая таблица спецификации оперативной памяти Transcend JetRam:

http://www.tcmagazine.com
http://www.transcendusa.com
Сергей Будиловский

Elpida анонсировала 2 Гб DDR 3-чипи оперативной памяти по 30 нм техпроцессу

Японская компания Elpida завершила разработку 2 Гб чипов оперативной памяти стандарта DDR3, при изготовлении которых использовались нормы 30 нм технологического процесса. Переход на новый техпроцесс обеспечит увеличение на 45% количества микросхем, которые изготовляются из одной пластины, по сравнению с 40 нм чипами. Это позволит эффективнее использовать сырье и уменьшить конечную себестоимость их изготовления. Также новинки владеют сниженным на 15% уровнем потреблением тока в активном режиме и на 10% - в режиме ожидания, что будет содействовать снижению их общей мощности потребления.

Новые чипы от компании Elpida отвечают стандарту организации JEDEC и смогут быть использованы при изготовлении стандартных (1,5 В) модулей оперативной памяти DDR3-1866 МГц и низковольтных (1,35 В) планок DDR3L-1600 МГц.

Массовое производство 2 Гб DDR 3-чипов оперативной памяти за 30 нм технологическим процессом начнется в декабре текущего года.

http://www.tcmagazine.com
Сергей Будиловский

Silicon Power анонсировала новую линейку оперативной памяти DDR3-1333 МГц

Компания Silicon Power начнет продажу новой линейки оперативной памяти, которая полностью совместима с платформами Intel и AMD. В модельный ряд входят одинарные 4 ГБ модули, двухканальные 8 ГБ (2 х 4 ГБ) и трехканальные 12 ГБ (3 х 4 ГБ) наборы.

Новинки работают на тактовой частоте 1333 МГц, используют топологию Fly-by для более эффективной организации сигналов данных, адрес, управление и синхронизации, а также поддерживают технологию ODT (On-die Termination), которая увеличивает скорость передачи информации. Интегрированный код коррекции ошибок (ECC) повышает надежность работы оперативной памяти. Каждая планка проходит полный цикл тестирования на эффективность и стабильность характеристик. Таблица спецификации новых модулей памяти Silicon Power выглядит следующим образом: 

http://www.tcmagazine.com
http://www.silicon-power.com
Сергей Будиловский

Toshiba анонсирует быстрейшие карты памяти формата SDHC и micro-SDHC

Сразу же после анонса компанией Panasonic новых флеш-карт формата SDHC, другая японская компания Toshiba представила свои SDHC и micro-SDHC карты памяти, которые отвечают стандарту SD Memory Card версии 3.0, используют интерфейс UHS-I и обеспечивают наивысшие показатели скорости чтения/записи. Уже сегодня посетители берлинской выставки IFA 2010 смогут увидеть эти новинки.

Спецификация карт памяти Toshiba SDHC

Спецификация карт памяти Toshiba micro-SDHC

http://www.tcmagazine.com
http://www.toshttp.co.jp
Сергей Будиловский

A-DATA XPG Gaming DDR3L-1333G – новая серия игровых модулей памяти со сниженным энергопотреблением

Компания A-DATA Technology расширила линейку игровых модулей оперативной памяти XPG Gaming новой серией DDR3L-1333G, в состав которой входят как отдельная 2 ГБ планка, так и наборы двух- и трехканальной памяти. Новинки характеризуются сниженным значением напряжения питания. Как заявляют разработчики, уменьшение напряжения питания до уровня 1,25 – 1,35 В позволит сократить выброс CO₂ , уменьшить затраты электроэнергии и достичь оптимального баланса между производительностью и стабильностью системы в целом.

A-DATA XPG Gaming DDR3L-1333G выполнены с использованием 6-слойного дизайна печатной платы и алюминиевого радиатора, оптимизированные для применения в 64-битных версиях операционных систем и ориентированы на рынок десктопных компьютеров и мультимедийных центров (HTPC). Спецификация новых модулей памяти A-DATA XPG Gaming DDR3L-1333G имеет следующий вид:

http://www.tcmagazine.com
http://benchttpkreviews.com
http://www.adata.com.tw
Сергей Будиловский

Toshiba начинает массовое производство 24 нм NAND Flash-памяти

Недавно мы сообщали о начале поставок 3-битной NAND Flash-памяти, выполненной по 25-нм техпроцессу компаниями Intel и Micron. Однако уже сегодня, Toshiba Corporation заявила о массовом производстве новых 32 Гб микросхем с применением 24-нм технологического процесса с многоуровневой структурой ячеек (MLC), каждая из которых способна сохранять три бита данных (3 bit per cell, 3bpc). Это нововведение позволит уменьшить площадь кристалла, снизить стоимость производства и повысить объем чипов. Как сообщатся в официальном пресс-релизе, данный техпроцесс уже применяется для производства 64 Гб микросхем с двумя битами на ячейку (2bpc).

Новые 32 Гб чипы также будут комплектоваться технологией Toggle DDR, которая должна увеличить скорость передачи данных. Данные микросхемы будут широко использоваться в мобильных устройствах, лептопах и SSD-накопителях и позволят компании Toshiba укрепить свои позиции на данном рынке.

http://www.tcmagazine.com
http://www.toshttp.co.jp
Сергей Будиловский