Поиск по сайту

up

Компьютерные новости

Накопители

SSD-накопители Samsung 850 EVO с 3-битной флэш-памятью 3D V-NAND

Компания Samsung презентовала линейку SSD-накопителей Samsung 850 EVO, отличительной чертой которой является наличие 3-битной флэш-памяти 3D V-NAND.

Samsung 850 EVO

Согласно заявлению производителя, этот параметр повышает показатели износостойкости и обеспечивает прирост производительности. Отмечено, что SSD-устройства отлично подходят для ноутбуков и игровых ПК.

Новинки, представленные в типоразмере 2,5 дюйма и использующие интерфейс SATA 6 Гбит/с, доступны в объемах 120, 250, 500 ГБ и 1 ТБ. В режиме ожидания модели потребляют 2-4 мВт, в простое – максимум 50 мВт, а при активной работе – 3,7-4,4 Вт. Температура устройства отслеживается при помощи технологии Dynamic Thermal Guard. Также производитель предоставляет 5-летнюю гарантию. В качестве контролера применяются два варианта: Samsung MGX для моделей емкостью 120/250/500 ГБ, и Samsung MEX для 1 ТБ. Скорость последовательных процессов чтения и записи составляет 540 и 520 МБ/с соответственно. Также, для моделей объемом 1 ТБ и 500 ГБ скорость случайных чтения и записи равна 98 000 IOPS и 90 000 IOPS соответственно. Скорость произвольного чтения для модели в 250 ГБ составляет 97 000 IOPS, для 120 ГБ – 94 000 IOPS, в то время как скорость произвольной записи двух вариантов составляет 88 000 IOPS.

Samsung 850 EVO

Сообщается, что в продажу накопители поступят еще до окончания настоящего года. Цена будет указана дополнительно.

http://www.tomshardware.com
http://www.samsung.com
Мартынец Мария

Постоянная ссылка на новость

Toshiba HK3R2 и HK3E2 – новые серии SSD-накопителей корпоративного уровня

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) представила две новые серии твердотельных накопителей корпоративного класса (eSSD): Toshiba HK3E2 для систем с повышенной долговечностью и Toshiba HK3R2 для систем с высокой интенсивностью чтения. Обе серии включают в свой состав модели в традиционном 2,5-дюймовом форм-факторе, которые созданы на основе 19-нм MLC NAND-микросхем памяти второго поколения. Они оснащены интерфейсом SATA-3.2 с максимальной пропускной способностью 6 Гбит/с. Также в них интегрирована защита данных в случае перебоев в энергопотреблении и технология коррекции ошибок Toshiba QSBC (Quadruple Swing-By Code), позволяющая защитить данные клиента от повреждения вследствие износа носителя NAND.

Toshiba SSD

В серию Toshiba HK3E2 вошли три модели объемом 200, 400 и 800 ГБ. Они предназначены для использования в распространенных корпоративных системах, таких как серверы обмена почтой, веб-серверы, серверы баз данных, серверы индексации и хранилища центров обработки данных. Новинки рассчитаны на выполнение трех циклов перезаписи в день в течение пяти лет эксплуатации.

Серия Toshiba HK3R2 включает в себя четыре модели емкостью 120, 240, 480 и 960 ГБ. Они позиционируются в качестве отличных решений в системах с высокой интенсивностью чтения, таких как потоковая передача видео и хранилища центров обработки данных. Рассчитаны на один цикл перезаписи в день в течение пяти лет работы в корпоративной среде. 

Сравнительная таблица технических характеристик твердотельных накопителей серии Toshiba HK3E2:

Модель

THNSNJ200PCSZ

THNSNJ400PCSZ

THNSNJ800PCSZ

Форм-фактор, дюймов

2,5

Тип микросхем памяти

19-нм MLC NAND второго поколения

Внешний интерфейс

SATA-3.2

Максимальная пропускная способность интерфейса, Гбит/с

6

Доступная емкость, ГБ

200

400

800

Скорость последовательного чтения / записи данных объемом 64 КиБ, МиБ/с

500 / 270

500 / 400

500 / 400

Скорость произвольного чтения / записи данных объемом 4 КиБ, IOPS

75 000 / 20 000

75 000 / 30 000

75 000 / 30 000

Среднее время наработки на отказ (MTBF), часов

2 000 000

Долговечность, циклов перезаписи в день

3

Срок службы, лет

5

Энергопотребление, Вт

В активном режиме

4,5

В режиме ожидания

1,0

Защита данных от перебоев в энергопитании

Есть

Размеры, мм

100,45 х 69,85 х 7,0

Поддержка технологии Toshiba QSBC (Quadruple Swing-By Code)

Есть

Сравнительная таблица технических характеристик твердотельных накопителей серии Toshiba HK3R2:

Модель

THNSNJ120
PCSZ

THNSNJ240
PCSZ

THNSNJ480
PCSZ

THNSNJ960
PCSZ

Форм-фактор, дюймов

2,5

Тип микросхем памяти

19-нм MLC NAND второго поколения

Внешний интерфейс

SATA-3.2

Максимальная пропускная способность интерфейса, Гбит/с

6

Доступная емкость, ГБ

120

240

480

960

Скорость последовательного чтения / записи данных объемом 64 КиБ, МиБ/с

500 / 120

500 / 270

500 / 400

500 / 400

Скорость произвольного чтения / записи данных объемом 4 КиБ, IOPS

75 000 / 4 000

75 000 / 10 000

75 000 / 12 000

75 000 / 14 000

Среднее время наработки на отказ (MTBF), часов

2 000 000

Долговечность, циклов перезаписи в день

1

Срок службы, лет

5

Энергопотребление, Вт

В активном режиме

4,5

В режиме ожидания

1,0

Защита данных от перебоев в энергопитании

Есть

Размеры, мм

100,45 х 69,85 х 7,0

Поддержка технологии Toshiba QSBC (Quadruple Swing-By Code)

Есть

http://storage.toshiba.eu
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Серия накопителей Seagate Enterprise NAS HDD пополнилась моделью объемом 6 ТБ

Компания Seagate продолжает активно расширять объем жестких дисков, представленных в серии Seagate Enterprise NAS HDD. До недавнего времени максимальной емкостью в ней могла похвастать 5-ТБ модель, однако на днях она уступила пальму первенства 6-ТБ решению. На первый взгляд 1 ТБ не столь существенен, однако когда дело доходит до NAS-массивов, например, на 16 дисков, то разница между 80 и 96 ТБ уже ощутима.

Seagate Enterprise NAS HDD

Новинка оснащена поддержкой интерфейса SATA 6 Гбит/с, однако есть и версии с SAS 12 Гбит/с. В любом случае объем кэш-памяти достигает 128 МБ, а скорость вращения шпинделя – 7200 об/мин. К тому же она поддерживает все актуальные и полезные технологии серии Seagate Enterprise NAS HDD:

  • RV Sensor – призвана мониторить и компенсировать вибрацию накопителя;
  • RAID Rebuild – обеспечит простую и быструю перенастройку RAID-массива;
  • Error Recovery Control – повысит точность записи данных;
  • Rescue Data Recovery – опциональная технология, призванная восстановить информацию на поврежденном накопителе (вероятность успеха – 90%).

Более подробная таблица технической спецификации 6-ТБ накопителя серии Seagate Enterprise NAS HDD:

Серия

Seagate Enterprise NAS HDD

Тип

HDD

Форм-фактор, дюймов

3,5

Объем, ТБ

6

Интерфейс

SATA 6 Гбит/с или SAS 12 Гбит/с

Емкость кэш-памяти, МБ

128

Скорость вращения шпинделя, об/мин

7200

Размеры, мм

147 х 101,85 х 26,11

Гарантия, лет

5

http://www.seagate.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Стильный внешний накопитель ADATA HV100 объемом до 2 ТБ с сенсором G Shock

Встречаем пополнение в рядах внешних накопителей компании ADATA. Модель ADATA HV100 представлена в стандартном 3,5-дюймовом форм-факторе. Она доступна в объеме 500 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. А за передачу данных отвечает высокоскоростной интерфейс USB 3.0, гарантирующий актуальный уровень производительности.

ADATA HV100

Корпус модели ADATA HV100 подвергся специальной обработке, благодаря чему к его стильному дизайну добавилась еще и защита большей части поверхности от пятен и отпечатков пальцев. На верхней его панели имеется LED-индикатор. Он постоянно горит синим цветом при подключении новинки к ПК и начинает мигать при передаче данных.

ADATA HV100

Решение ADATA HV100 примечательно поддержкой защитной технологии G Shock. Если в активном режиме накопитель подвергся резкому перемещению или удару, то система моментально задействует внутренние ресурсы для сохранности данных. При этом LED-индикатор начинает светиться красным, сигнализируя о небезопасных условиях работы. После стабилизации ситуации светодиод опять меняет цвет на синий.

ADATA HV100

В продажу новинка поступит в трех вариантах корпуса с трехлетней гарантией. Сводная таблица технической спецификации внешнего накопителя ADATA HV100:

Модель

ADATA HV100

Тип

HDD

Объем

500 ГБ / 1 ТБ / 2 ТБ

Внешний интерфейс

USB 3.0

Диапазон рабочих температур

+5°С…+50°С

Цвет корпуса

Черный / белый / синий

Гарантия

3 года

Размеры

500 ГБ / 1 ТБ

116 х 79 х 14,9

2 ТБ

116 х 79 х 20,3

Вес

500 ГБ

126 г

1 ТБ

152 г

2 ТБ

211 г

http://www.adata.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Производители обещают HDD-накопители объемом 100 ТБ до 2025 года

Очень интересной информацией поделилась организация ASTC касательно дальнейших планов развития рынка HDD-накопителей. Напомним, что в ее состав входят такие компании, как HGST, Seagate и WD. Основной же целью ASTC является объединение усилий R&D-отделов для дальнейшего развития HDD-накопителей, то есть опубликованная информация является в высшей степени достоверной и актуальной.

ASTC

Что же обещает нам ASTC? Увеличение объема традиционных жестких дисков в более чем 10 раз по сравнению с существующими аналогами. При этом составлен довольно подробный график достижения этих целей. На нем изображена смена технологий записи информации на пластины. В данный момент производители активно используют технологию PMR (Perpendicular Magnetic Recording – Перпендикулярная магнитная запись). В 2015 – 2017 годах произойдет переход к методу PMR+ (Two Dimensional Magnetic Recording – Двухмерная PMR-технология) или к технологии SMR (Shingled Magnetic Recording). Последняя предполагает использование частичного наложения информационных дорожек одна на другую по принципу черепицы на крышах домов. Поставкой первых таких накопителей объемом 10 ТБ уже занимается компания HGST.

C 2017 по 2021 получит активное развитие технология HAMR+ (Heat Assisted Magnetic Recording with TDMR – Двухмерная магнитная запись с помощью лазерного подогрева). Одномерную технологию HAMR в данный момент активно развивает компания TDK, которая обещает создать на ее основе 15-ТБ решения.

До 2025 года на смену HAMR+ придут технологии BPMR+ (Bit Patterned Magnetic Recording (BPMR) with SMR и TDMR – Двухмерная магнитная запись с помощью битовых шаблонов и технологии SMR) и HDMR (Heated-Dot Magnetic Recording). Последняя является симбиозом технологий BPMR и HAMR+, что позволит достичь плотности записи 10 Тбит/дюйм2. Для сравнения, сейчас этот показатель составляет лишь 625 Гбит/дюйм2. Таким образом, применение технологии HDMR в стандартном HDD-накопителе с 4 пластинами увеличит его объем до 64 ТБ. Если же количество пластин составит 7, то общая емкость превысит 100 ТБ.

http://techreport.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Серия карт памяти Patriot LX Class 10 пополнилась 256-ГБ SDXC и 128-ГБ microSDXC моделями

Компания Patriot расширила ассортимент собственной линейки карт памяти LX Class 10 двумя моделями. Первая представляет собой SDXC-флэшку емкостью 256 ГБ, вторая – microSDXC карта с максимальной емкостью 128 ГБ.

Patriot LX Class 10

Согласно заявлению производителя, модель размером 256 ГБ позиционируется как накопитель для фото- и видеотехники, работающей с видео формата Full HD. Максимальная скорость чтения составляет 80 МБ/с, скорость записи – 20 МБ/с. Модель форм-фактора microSDXC обладает скоростью чтения и записи на уровне 70 и 20 МБ/с соответственно. На обе модели распространяется 5-летняя гарантия. Несмотря на разницу в объеме, обе новинки оценены в 130 долларов США.           

http://www.tweaktown.com
Мартынец Мария

Постоянная ссылка на новость

Технология Intel 3D NAND позволит выпускать SSD-диски емкостью 10 ТБ

Компания Intel порадовала отличной новостью: во второй половине 2015 года будут представлены SSD-накопители, созданные на основе технологии 3D NAND, разработанной в паре с компанией Micron. Стековая структура новых флэш-микросхем памяти объединяет в себе 32 плоскостных слоя, что позволяет получать объем 256 Гбит (32 ГБ) на одном MLC-ядре. Если же использовать технологию TLC (позволяет сохранять три бита информации в одной ячейке), то емкость ядра увеличивается до 384 Гбит (48 ГБ). Дальнейшее развитие технологии Intel 3D NAND позволит создавать твердотельные диски объемом 10 ТБ или же компактные мобильные решение емкость 1 ТБ и толщиной всего 2 мм.

Intel 3D NAND

Ключевым же конкурентом пока выступает технология Samsung V-NAND, микросхемы которой также используют 32-слоевую структуру ядра. В MLC-исполнении она реализует объем 86 Гбит (10,75 ГБ), а в TLC – 128 Гбит (16 ГБ). Во второй половине 2015 года планируется дебют второго поколения технологии Samsung V-NAND. Вполне возможно, что она принесет с собой более высокие показатели реализуемого объема.

http://techreport.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

OCZ Saber 1000 – новая серия SSD-накопителей для корпоративного сегмента

Компания OCZ продолжает активно обновлять модельный ряд своей продукции. Вслед за решением для массового пользовательского рынка (OCZ Vertex 460A) последовала серия OCZ Saber 1000 для корпоративного сегмента. Она нацелена на те системы, где преобладают интенсивные нагрузки чтения данных: клиентские веб-сервера, системы потокового видео, решения облачной инфраструктуры и онлайн-архивации, системы Customer Relationship Management (CRM) и Enterprise Content Management (ECM), а также многие другие.

OCZ Saber 1000

В состав серии OCZ Saber 1000 вошло три модели, созданные в 2,5-дюймовом форм-факторе на базе MLC-микросхем Toshiba A19, контроллера OCZ Barefoot 3 M10 и внешнего интерфейса SATA 6 Гбит/с. Их общий объем составляет 256, 512 и 1024 ГБ, однако для пользователей доступны лишь 240, 480 и 960 ГБ. Остальное пространство является служебным. Оно используется специальными алгоритмами для более равномерного задействования всех доступных ячеек памяти.

Дополнительно в решениях серии OCZ Saber 1000 используется технология Power Failure Management Plus (PFM+) для защиты накопителей и внутренних данных от случайных перебоев в электропитании. А применение системы менеджмента OCZ StoragePeak 1000 существенно повышает общий уровень мониторинга и управления используемых твердотельных накопителей компании OCZ.

Сводная таблица технической спецификации твердотельных накопителей серии OCZ Saber 1000:

Название серии

OCZ Saber 1000

Форм-фактор, дюймов

2,5

Тип ячеек памяти

Toshiba A19 MLC

Контроллер

OCZ Barefoot 3 M10

Внешний интерфейс

SATA 6 Гбит/с

Объем, ГБ

240

480

960

Скорость последовательного чтения / записи данных (блоками по 128 КБ), МБ/с

550 / 515

550 / 500

550 / 470

Скорость произвольного чтения / записи данных (блоками по 4 КБ), IOPS

86 000 / 20 000

95 000 / 23 000

98 000 / 20 000

Количество полных перезаписей накопителей за день (DWPD)

0,5

Типичное значение потребляемой мощности в активном режиме, Вт

3,7

Диапазон рабочих температур, °С

0…+70

Среднее время наработки на отказ (MTBF), часов

2 000 000

Кодирование

AES-256

Размеры, мм

99,7 х 69,75 х 7

Вес, г

115

http://ocz.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Показать еще