Компьютерные новости

Lexar анонсирует твердотельный накопитель PLAY 2280 PCIe Gen 4.0 для PlayStation 5

Lexar, ведущий мировой бренд решений на основе флеш-памяти, с радостью представляет твердотельный накопитель PLAY 2280 PCIe Gen 4.0. Обеспечивая невероятную скорость чтения 7400 МБ/с и записи 6500 МБ/с, этот накопитель создан, чтобы соответствовать требованиям заядлых геймеров, сокращая время загрузки и обеспечивая плавный игровой процесс. Проверенный и одобренный для PS5, этот накопитель предоставляет дополнительное хранилище и позволяет игрокам играть непосредственно с накопителя, избавляя от необходимости переносить или удалять файлы с консоли. В комплекте идет радиатор, оптимизированный для PS5, который помогает поддерживать максимальную производительность и энергоэффективность консоли. С емкостью до 8 ТБ пользователи могут хранить около 150+ игр AAA, а рейтинг выносливости в 6400 ТБW гарантирует стабильность работы диска.

SSD PLAY 2280 PCIe 4.0 также подходит для компьютерных игр. Он оснащен динамической кеш-памятью HMB и SLC, которые обеспечивают улучшенную производительность, ускоряют доступ к данным и повышают общую скорость отклика при использовании с ПК.
«PLAY 2280 SSD — идеальный компаньон для PS5, предлагающий много дополнительного места для хранения, возможность играть прямо с накопителя и ту производительность, в которой нуждаются геймеры», — заявила Шерри Чианг, менеджер по маркетингу продуктов.
PLAY 2280 SSD совместим с PS5, ноутбуками и настольными компьютерами. Модель на 4 ТБ уже доступна по розничной цене 379,99 долларов США. Версии на 2 ТБ и 8 ТБ будут доступны в 4 квартале 2024 года.

techpowerup.com
Павлик Александр

Kingston Digital представляет новый NVMe SSD корпоративного класса для центров обработки данных DC2000B

Kingston Digital, Inc., дочерняя компания по производству флеш-памяти Kingston Technology Company, Inc., мирового лидера в сфере продуктов памяти и технологических решений, объявила о выпуске нового SSD для дата-центров, DC2000B. Это высокопроизводительный PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD, оптимизированный для использования в серверах с большим объемом установок в стойки в качестве внутреннего загрузочного накопителя. Используя новейший интерфейс Gen 4x4 PCIe с 112-слойной 3D TLC NAND, DC2000B идеально подходит для применения как внутренний загрузочный накопитель сервера, а также для использования в специализированных системах, где требуются повышенная производительность и надежность. DC2000B включает в себя встроенную аппаратную защиту от потери питания (PLP) — функцию защиты данных, которая редко встречается в M.2 SSD. В нем также предусмотрен новый интегрированный алюминиевый радиатор, который помогает обеспечить широкую термальную совместимость с различными системными конструкциями.  

«Производители серверов Whitebox и OEM-производители серверов Tier 1 продолжают оснащать серверы последнего поколения разъемами M.2 для загрузочных целей, а также для внутреннего кеширования данных», — сказал Кэмерон Крандолл, менеджер по бизнесу корпоративных SSD в Kingston. «DC2000B был разработан для обеспечения необходимой производительности и ресурса записи для выполнения различных серверных рабочих нагрузок с высоким рабочим циклом. Перенос загрузочных накопителей внутрь сервера сохраняет ценные фронтальные отсеки для накопителей данных».

 DC2000B доступен в емкостях 240 ГБ, 480 ГБ и 960 ГБ и поддерживается ограниченной пятилетней гарантией, бесплатной технической поддержкой и легендарной надежностью Kingston.

Характеристики и спецификации SSD DC2000B PCIe 4.0 NVMe M.2 

• Производительность PCIe 4.0 NVMe: Использует линии PCIe Gen 4x4 для высокой скорости.

• Встроенная защита от потери питания (PLP): Уменьшает вероятность потери данных и/или их повреждения из-за внезапного отключения питания.

• Форм-фактор: M.2 2280

• Интерфейс: PCIe 4.0 x4 NVMe

• Емкости: 240 ГБ, 480 ГБ, 960 ГБ

• NAND: 3D TLC

• Последовательное чтение/запись: 240 ГБ – 4500/400 МБ/с 480 ГБ – 7000/800 МБ/с 960 ГБ – 7000/1300 МБ/с

• Стабильное чтение/запись 4k2: 240 ГБ – 260000/18000 IOPS 480 ГБ – 530000/32000 IOPS 960 ГБ – 540000/47000 IOPS

• Общий объем записанных данных (TBW)3: o 240 ГБ – 175 TBW o 480 ГБ – 350 TBW o 960 ГБ – 700 TBW

• Задержка чтения (средняя): 240 ГБ – 960 ГБ: 70µs

• Задержка записи (средняя): 240 ГБ – 53µs 480 ГБ – 29µs 960 ГБ – 20µs

• Защита от потери питания (конденсаторы): Да

Kingston.com
Павлик Александр

Samsung выпускает флеш-накопители USB Type-C емкостью 512 ГБ BAR Plus и FIT Plus

Компания Samsung Electronics America, лидер в области передовых технологий памяти, объявила о выпуске новых флеш-накопителей BAR Plus и FIT Plus USB 3.2 Gen 1 емкостью 512 ГБ. Эти новейшие накопители предлагают большую емкость для хранения в том же элегантном дизайне, идеально подходящем для хранения ваших любимых мелодий, незаменимых фотографий/видео и важных рабочих или учебных документов. Эти USB-накопители помогают создавать резервные копии данных и экономить время благодаря большой емкости, высокой скорости, широкой совместимости с устройствами и надежности.

Варианты на 512 ГБ обеспечивают скорость чтения до 400 МБ/с и скорость записи до 110 МБ/с для быстрой передачи данных. С помощью USB-накопителей BAR Plus и FIT Plus вы можете перенести видеофайл размером 3 ГБ 4K UHD на свой ПК за 10 секунд. Кроме того, они чрезвычайно универсальны благодаря совместимости с любым устройством, использующим порт USB 3.1, а также обратно совместимы с USB 3.0 и USB 2.0. Для удобства использования они совместимы с такими операционными системами, как Windows, Mac OS и Linux.

Стильный и минималистичный дизайн USB-накопителя BAR Plus представляет собой современный взгляд на классический USB-накопитель. Прочный металлический корпус сохраняет ваши данные в безопасности, а встроенное кольцо для ключей предотвращает случайную потерю. Он идеально подходит для ноутбуков и планшетов.

Компактный и незаметный USB-накопитель FIT Plus предназначен для постоянного подключения и остается в устройстве для бесшовного и ненавязчивого внешнего вида. Он идеально подходит для ноутбуков, планшетов, телевизоров, автомобильных аудиосистем, игровых консолей и других устройств.

Благодаря долговечности флеш-накопители Samsung BAR Plus и FIT Plus остаются в безопасности и обеспечены пятиступенчатой защитой Samsung. Эти USB-накопители выдерживают воздействие воды, температуры, рентгеновского излучения, падений и магнитного воздействия. На них также предоставляется пятилетняя ограниченная гарантия.

В дополнение к линейке флеш-накопителей USB Samsung также представила флеш-накопитель USB Type-C емкостью 512 ГБ. Благодаря поддержке флеш-памяти Samsung NAND этот компактный накопитель помещается на ладони и обеспечивает надежную работу с быстрой передачей данных.

Скорость чтения/записи до 400 МБ/с и интерфейс USB 3.2 позволяют передавать файлы объемом 4 ГБ всего за 11 секунд, что дает вам больше времени для работы, игр, просмотра и создания. Вы всегда можете оставаться на связи с помощью всех устройств благодаря широкой совместимости с ноутбуками, планшетами, смартфонами, камерами и другими устройствами.

Флеш-накопители USB BAR Plus, FIT Plus и USB Type-C емкостью 512 ГБ уже доступны на сайте Samsung.com и в некоторых розничных магазинах.

• USB-флеш-накопитель BAR Plus в вариантах Titan Grey или Champagne Silver, 512 ГБ ($79,99 MSRP)
• Флеш-накопитель USB FIT Plus, 512 ГБ ($79,99 MSRP)
• Флеш-накопитель USB Type-C в вариантах Blue или Titan Grey, 512 ГБ ($79,99 MSRP)

techpowerup.com
Павлик Александр

NVM Express выпускает спецификации NVMe 2.1

NVM Express, Inc. сегодня объявила о выпуске трех новых спецификаций и восьми обновленных спецификаций. Это обновление технологии NVMe основывается на сильных сторонах предыдущих спецификаций NVMe, вводя важные новые функции для современных вычислительных сред, а также упрощая разработку и время выхода на рынок.

«Начав как единая спецификация PCIe SSD, технология NVMe превратилась почти в дюжину спецификаций, включая многочисленные наборы команд, которые обеспечивают основную поддержку технологии NVMe во всех основных транспортных системах и стандартизируют многие аспекты хранения», — сказал Питер Онуфрик, глава технического отдела рабочей группы NVM Express. «Внедрение технологии NVMe продолжает расти, и мы достигли успеха в объединении клиента, облака, ИИ и корпоративного хранилища вокруг общей архитектуры. Будущее технологии NVMe яркое, и у нас есть 75 новых авторизованных технических предложений».

Спецификации NVM Express направлены на оптимизированную разработку.

Самые новые спецификации NVMe состоят из нескольких документов, направленных на более быструю и простую разработку архитектуры NVMe. Три новых спецификации: спецификация загрузки NVMe, набор команд локальной памяти подсистемы и набор команд вычислительных приложений. Обновленные спецификации включают базовую спецификацию NVMe 2.1, спецификации наборов команд (набор команд NVM, набор команд ZNS, набор команд ключевого значения), транспортные спецификации (транспорт PCIe, транспорт Fibre Channel, транспорт RDMA и транспорт TCP) и спецификацию интерфейса управления NVMe.

Ключевые новые возможности NVMe:

• Включение живой миграции контроллеров PCIe NVMe между подсистемами NVM.
• Новое размещение данных для твердотельных накопителей, упрощающее интеграцию в экосистему и имеющее обратную совместимость с предыдущими спецификациями NVMe.
• Поддержка переноса некоторых процессов обработки на устройства хранения NVMe.
• Механизм сетевой загрузки для NVMe через Fabrics (NVMe-oF).
• Поддержка зонирования NVMe через Fabrics.
• Возможность обеспечения управления ключами шифрования хостом и высокодетализированное шифрование с использованием Key Per I/O.
• Улучшения безопасности, такие как поддержка TLS 1.3, централизованный объект проверки подлинности для DH-HMAC-CHAP и проверка медиа после санитарной обработки.
• Улучшения управления, включая поддержку внеполосного управления высокой доступностью, управление через I3C, асинхронные события внеполосного управления и динамическое создание экспортируемых подсистем NVM из базовых физических ресурсов подсистемы NVM.

Спецификации NVM Express и спецификации новых функций доступны для загрузки на веб-сайте NVM Express.

techpowerup.com
Павлик Александр

Silicon Motion выпускает энергоэффективный контроллер SSD PCIe Gen 5

Silicon Motion Technology Corporation, мировой лидер в разработке и маркетинге флеш-контроллеров NAND для твердотельных накопителей, сегодня анонсировала SM2508, лучший энергоэффективный клиентский SSD-контроллер PCIe Gen 5 NVMe 2.0 для компьютеров с искусственным интеллектом и игровых консолей. Это первый в мире клиентский SSD-контроллер PCIe Gen 5, который использует 6-нм процесс EUV от TSMC, обеспечивая 50% снижение энергопотребления по сравнению с конкурентными предложениями с 12-нм техпроцессом. Потребляя менее 7 Вт для всего SSD, он обеспечивает в 1,7 раза лучшую энергоэффективность, чем PCIe Gen 4 SSD, и на 70% лучше, чем текущие конкурентные предложения PCIe Gen 5 на рынке. Silicon Motion будет демонстрировать свою конструкцию твердотельного накопителя на основе SM2508 и другие инновации во время мероприятия Future of Memory and Storage с 6 по 8 августа на стенде №315.

SM2508 от Silicon Motion — это высокопроизводительный маломощный PCIe Gen 5 x4 NVMe 2.0 контроллер SSD, разработанный для ноутбуков ПК с поддержкой искусственного интеллекта. Он поддерживает восемь каналов NAND со скоростью до 3600 МТ/с на канал, обеспечивая последовательную скорость до 14,5 ГБ/с и 13,6 ГБ/с и случайную скорость до 2,5 млн IOPS, обеспечивая до 2 раз более высокую производительность, чем продукты PCIe Gen 4. SM2508 максимизирует производительность PCIe Gen 5 с впечатляющим энергопотреблением примерно 3 Вт. Он оснащен собственной технологией Silicon Motion 8-го поколения NANDXtend, которая включает алгоритм обучения на диске, предназначенный для сокращения времени ECC. Это улучшение повышает производительность и максимизирует энергоэффективность, одновременно обеспечивая совместимость с новейшими технологиями 3D TLC/QLC NAND, обеспечивая большую плотность данных и отвечая растущим требованиям следующего поколения ПК с искусственным интеллектом.

Спецификации SM2508 включают:

• PCIe Gen 5 x4, NVMe 2.0
• 8 флеш-каналов NAND, до 3600 МТ/с
• 6-нм техпроцесс TSMC
• Мощный четырехъядерный процессор Arm Cortex-R8 с поддержкой четырех линий PCIe со скоростью передачи данных 32 Гбит/с
• Последовательная производительность до 14,5 ГБ/с и 13,6 ГБ/с и случайная производительность до 2,5 млн IOPS
• Поддержка последних 3D TLC/QLC NAND

techpowerup.com
Павлик Александр

Kingston готовит новый бюджетный SSD M.2 — NV3 имеет интерфейс PCIe 4.0 для скорости до 6 ГБ/с

Kingston назвал NV3 новым SSD PCIe 4.0 компании. Компания рекламирует будущий NV3 для «высокоскоростных потребностей в хранилищах с низким энергопотреблением» с емкостью от 500 ГБ до 4 ТБ.

В настоящее время Kingston не предоставила никакой информации относительно компонентов, используемых в NV3. Он стал преемником NV2 предыдущего поколения, который мы рассматривали, но не рекомендовали из-за его низкой производительности и перегрева, что делает его не идеальным для ноутбуков или использования в качестве основного диска. Хотя такие модели SSD продаются на розничном рынке, некоторые производители оборудования часто используют определенные варианты для систем, включая игровые консоли, ноутбуки, ПК, мини-ПК и NUC.

Однако для использования в тонких устройствах форм-фактора без радиатора или доступа к системе охлаждения SSD и другие компоненты должны обеспечивать наилучшую производительность, оставаясь холодными. Предыдущий NV2 сочетает контроллер Silicon Motion SM2267XT с QLC NAND, что способствует его низкой производительности.

NV3 обеспечивает скорость последовательного чтения и записи до 6000 МБ/с и 5000 МБ/с соответственно для моделей 2 ТБ и 4 ТБ. Вариант 1 ТБ имеет на 1000 МБ/с более низкую скорость последовательной записи. Между тем, 500 ГБ являются наименее производительными с 5000 МБ/с последовательного чтения и 3000 МБ/с последовательного записи.

Оценка выносливости NV3 неплохая. Kingston оценивает модель на 500 ГБ в 160 TBW, в то время как устройства на 1 ТБ и 2 ТБ сертифицированы на 320 TBW и 640 TBW соответственно. Модель 4 ТБ, с другой стороны, демонстрирует рейтинг выносливости 1280 TBW.

Учитывая, что такие накопители, как правило, выбираются для недорогих сборок и даже OEM-производителями, было бы полезно, если бы NV3 решил проблему диска предыдущего поколения, обеспечивая при этом ценность и низкое энергопотребление, как это рекламируется.

tomshardware.com
Павлик Александр

SK hynix нацелена на производство 400-слойной NAND в 2025 году

Сообщается, что SK hynix разрабатывает 400-слойную флеш-память NAND с планами начать массовое производство к концу 2025 года. Компания сотрудничает с партнерами по цепочке поставок для разработки необходимых технологических процессов и оборудования для 400-слойных и выше микросхем NAND. Эта информация поступила из недавней статьи корейского СМИ etnews со ссылкой на отраслевые источники.

SK hynix намерена использовать для этого технологию гибридного склеивания, которая, как ожидается, привлечет новых поставщиков упаковочных материалов и компонентов в цепочку поставок. Процесс разработки включает исследование новых материалов для соединения и различных технологий для соединения различных пластин, включая полирование, травление, осаждение и соединение. SK hynix стремится подготовить технологию и инфраструктуру к концу следующего года.

SK hynix продемонстрировала 321-слойный образец NAND в августе 2023 года. Чтобы достичь 400 слоев, компания планирует реализовать гибридное соединение со структурой «пластина к пластине» (W2W). Этот подход отличается от их текущего метода "Peripheral Under Cell" (PUC), который размещает ячейки на вершине периферийной зоны управления.

Переход к гибридному соединению направлен на решение проблем с увеличением количества слоев, таких как потенциальное повреждение периферийных устройств во время процесса укладки элементов из-за высокой температуры и давления. Изготовляя ячейки и периферийные устройства на отдельных пластинах перед их склеиванием, SK hynix надеется обеспечить стабильное увеличение количества слоев, защищая периферийные компоненты.

В ответ на вопросы etnews о разработке 400-слойной NAND SK hynix отказалась подтвердить конкретные подробности относительно разработки технологии или сроков массового производства.

techpowerup.com
Павлик Александр

Micron объявила о выпуске накопителя Micron 2650 SSD на новейшей TLC NAND G9

Micron начала производство TLC NAND девятого поколения (G9) в SSD, что делает её первой в отрасли, достигшей этого рубежа. Micron G9 NAND обладает самой высокой в отрасли скоростью передачи 3,6 ГБ/с, обеспечивая непревзойденную пропускную способность для чтения и записи данных. Новая NAND обеспечивает лучшую в своем классе производительность для искусственного интеллекта (AI) и других случаев использования интенсивных данных от персональных устройств и периферийных серверов до корпоративных и облачных центров обработки данных.

Micron G9 NAND на 73% плотнее, чем конкурентные технологии на сегодняшнем рынке, что позволяет создавать более компактные и эффективные решения для хранения, которые приносят пользу как потребителям, так и компаниям.

Передовая технология обеспечивает непревзойденную производительность.  

Micron G9 NAND использует самую быструю в отрасли скорость ввода/вывода NAND для удовлетворения потребностей в высокой пропускной способности рабочих нагрузок, ориентированных на данные, обеспечивая на 50% более быструю передачу данных, чем любая NAND, которая сейчас поставляется в SSD. Micron G9 NAND также обеспечивает до 99% большую пропускную способность записи и на 88% лучшую пропускную способность чтения на кристалл, чем существующие в данный момент конкурентные решения NAND. Как и NAND предыдущего поколения, Micron G9 NAND помещается в компактный корпус 11,5 мм x 13,5 мм, занимая на 28% меньше места, чем конкурентные продукты, что делает его самым маленьким доступным NAND высокой плотности.

Micron G9 NAND обеспечивает лучшую в своем классе производительность твердотельного накопителя Micron 2650 SSD.

Micron 2650 NVMe интегрирует передовую G9 TLC NAND, чтобы обеспечить лучший в своем классе опыт работы для повседневных вычислений, который превосходит конкурентов в тестировании PCMark 10. Обеспечивая на 38% более высокие результаты тестирования PCMark 10, чем конкурентные решения, этот накопитель настроен на то, чтобы переосмыслить пользовательский опыт для этого класса SSD.

Твердотельный накопитель Micron 2650 NVMe обеспечивает лучшую в своем классе надежность и оснащен ускоренным кэшированием, что повышает производительность благодаря динамическому кэшу SLC. Твердотельный накопитель Micron 2650 NVMe обеспечивает реальную производительность насыщения для PCIe Gen 4 со скоростью последовательного чтения до 7000 МБ/с. По сравнению с конкурентами, он обеспечивает лучшую в своем классе производительность с лучшим последовательным чтением до 70%, последовательной записью до 103%, произвольным чтением до 156% и произвольной записью до 85%.

techpowerup.com
Павлик Александр