Компьютерные новости
Оперативная память
G.Skill выпустила флагманскую оперативную память Trident Z5 Royal NeoX с поддержкой AMD EXPO-ULL
G.Skill анонсировала новую флагманскую серию оперативной памяти Trident Z5 Royal NeoX DDR5, оптимизированную для платформы AMD.
Ключевой особенностью новинки стала поддержка профилей разгона AMD EXPO Ultra Low Latency, которые оптимизируют не только первичные, но и вторичные и третичные задержки для достижения минимальной латентности.
Серия представлена комплектами стандартного объема 32 ГБ (2×16 ГБ) с частотой DDR5-6000. В зависимости от модификации задержки составляют от CL36 до экстремально низких CL26. Внешне модули сохранили узнаваемый дизайн Royal с зеркальным золотистым или серебристым радиатором и кристаллической светодиодной полосой RGB.
techpowerup.com
Павлик Александр
SK hynix увеличивает производство передовой 1c DRAM
SK hynix активно переводит свои фабрики на новейший техпроцесс 1c DRAM.
Благодаря быстрым темпам модернизации уже до конца года доля новой памяти в производстве превысит треть. Это позволит обогнать главных конкурентов в лице Samsung и Micron, которые на данный момент удерживают лидерство по объемам выпуска этого поколения.
Новая технология обеспечивает более высокую плотность и улучшенную энергоэффективность. Она станет основой для выпуска оперативной памяти следующего поколения, включая HBM4E для систем искусственного интеллекта, а также LPDDR6 и DDR5.
В будущем, из-за физических ограничений классических микросхем, планируется переход на вертикальные транзисторы и объемную компоновку 3D DRAM.
techpowerup.com
Павлик Александр
CXMT удвоит мощности по выпуску памяти, но догнать Samsung и SK Hynix ей не удастся
Крупнейший китайский производитель DRAM, компания CXMT, планирует к 2028 году удвоить свои производственные мощности с 300 тысяч до 600 тысяч кремниевых пластин в месяц.
Для финансирования расширения компания провела IPO на почти 10 миллиардов долларов США. В этот же период Samsung Electronics и SK Hynix суммарно добавят еще около 600 тысяч пластин в месяц, что лишь увеличит отрыв Южной Кореи.
По данным Bank of Korea, номинальные цифры не отражают реального положения дел из-за низкого выхода годных чипов и санкционных ограничений США на поставку оборудования. Имея около 15% от мировых производственных мощностей, CXMT обеспечивает лишь 8% фактических поставок DRAM, ориентируясь преимущественно на внутренний рынок.
В сегменте передовых технологий Южная Корея сохранит преимущество, хотя в долгосрочной перспективе укрепление китайской цепочки поставок будет оказывать давление на рынок.
techpowerup.com
Павлик Александр
CXMT захватила 10% мирового рынка DRAM
Доля CXMT на мировом рынке оперативки достигла 10% по итогам второго квартала.
3
Стремительный рост обусловлен тем, что тройка крупнейших игроков перенаправила мощности на выпуск HBM для ускорителей ШИ, образовав дефицит стандартных микросхем.
Основной объем поставок приходится на память DDR5 и LPDDR5X. Выход годных кристаллов на 17-нм техпроцессе превысил 90%, что позволило нарастить отгрузки для серверов Alibaba и смартфонов Xiaomi.
Благодаря масштабной государственной поддержке и привлечению инвестиций CXMT активно наращивает выпуск чипов и готовится к массовому производству собственной памяти HBM3.
techpowerup.com
Павлик Александр
SK Hynix прогнозирует дефицит памяти до 2030 года
Генеральный директор SK Hynix Квак Но Чжон заявил, что текущая нехватка чипов памяти продлится как минимум до конца 2030 года, сдвинув предыдущие оценки по стабилизации рынка в 2028 году.
Главной причиной выступает стремительный рост спроса на специализированные решения для систем искусственного интеллекта, в частности HBM и кастомные конфигурации DRAM, из-за чего рынок постепенно выходит из традиционного цикла биржевых колебаний цен.
Для потребительского сектора это означает сохранение высоких цен на RAM и SSD для ПК, видеокарт и консолей на протяжении большей части текущего десятилетия.
techpowerup.com
Павлик Александр
Дефицит оперативной памяти увеличил выручку китайского производителя CXMT почти в 10 раз
Китайский производитель оперативной памяти CXMT отчитался о росте выручки в первом полугодии почти в 10 раз — до 150,31 млрд юаней, что составляет около 22,4 млрд долларов США.
Чистая прибыль компании достигла 77,61 млрд юаней — примерно 11,6 млрд долларов США, тогда как за аналогичный период прошлого года производитель понес убытки в размере 2,33 млрд юаней.
Стремительный рост финансовых показателей обусловлен мировым дефицитом DRAM и ростом цен на память из-за повышенного спроса со стороны сектора ИИ.
Поскольку ведущие мировые производители перенаправили значительные мощности на выпуск памяти HBM для ИИ-ускорителей, на рынке возникла нехватка классической оперативной памяти DDR4, DDR5 и LPDDR. CXMT воспользовалась этой конъюнктурой, увеличив объемы поставок стандартной DRAM, и уже заняла четвертое место на мировом рынке с долей около 7%.
В настоящее время компания готовит к массовому производству память LPDDR6 и разрабатывает собственные решения HBM.
Постоянная ссылка на новостьCXMT перешла на технологию HKMG для перехода к техпроцессу 1a DRAM и наращивания мощностей
Китайский производитель памяти CXMT внедрил технологию High-k Metal Gate (HKMG) в транзисторы своей DRAM-памяти, заменив диэлектрик из диоксида кремния на материал на основе оксида гафния.
Нововведение применено в техпроцессе G4 (класс 1z nm) и чипах LPDDR5X для предотвращения утечек тока и повышения энергоэффективности, что устраняет главное техническое ограничение для перехода к более продвинутой норме 1a и последующей разработки 15-нм технологии G5. Одновременно компания находится на стадии рискового производства памяти HBM2E по 18-нм техпроцессу G3.
Параллельно CXMT масштабирует объемы выпуска кремниевых пластин: к концу текущего года объем производства вырастет до 300 тысяч пластин в месяц, а строительство новых фабрик в Шанхае и Хефэе позволит увеличить показатель до 600 тысяч. Согласно долгосрочному плану расширения, к 2031 году совокупная мощность компании должна достигнуть 800 тысяч пластин в месяц.
Постоянная ссылка на новостьОперативная память DDR5 на чипах CXMT достигла 9000 МТ/с и 6000 МТ/с при CL28
Оперативная память стандарта DDR5, построенная на базе микросхем китайского производителя CXMT, за последние дни покорила два важных технологических рубежа. Разработчики и оверклокеры смогли зафиксировать как предельно высокие частотные показатели, так и рекордные значения низких задержек на реальном железе.
Первого результата достигла Colorful, продемонстрировавшая возможности своего новейшего комплекта iGame Shadow II общим объемом 48 ГБ из двух планок по 24 ГБ. В ходе эксперимента память установили на флагманскую материнскую плату iGame X870E VULCAN W OC и объединили с топовым процессором AMD Ryzen 9 9950X3D. В такой конфигурации систему удалось стабильно запустить на впечатляющей эффективной частоте DDR5-9000.
Второе достижение касается оптимизации задержек на стандартных частотах и принадлежит ASUS. Инженеры испытали тот же комплект iGame Shadow II от Colorful на собственных материнских платах. В серии тестов планки продемонстрировали уверенную работу в режиме DDR5-6000 с таймингами CL30, а после дополнительной настройки и подъема напряжения до 1,435 В задержки удалось урезать до значения CL28. Это существенный шаг вперед, ведь подавляющее большинство серийных модулей на базе чипов CXMT до сих пор рассчитано только на тайминги уровня CL36.
Подобные тесты показывают стремительный эволюционный скачок китайской DRAM-индустрии. Микросхемы от CXMT постепенно выходят за рамки скромных спецификаций JEDEC и начинают уверенно конкурировать с признанными лидерами рынка в оверклокерском сегменте, показывая высокие результаты на платформах AMD и Intel.
videocardz.com
Павлик Александр
Показать еще
