Компьютерные новости

Samsung перераспределяет производство NAND на DRAM на корейских заводах

Samsung готовит значительные изменения в своей производственной стратегии памяти. Это решение обусловлено постоянным ростом спроса на DRAM, который стимулируется развитием глобальной инфраструктуры искусственного интеллекта.

Согласно корейским отраслевым отчетам, компания планирует перевести часть своих линий флеш-памяти NAND в Пхёнтхэке и Хвасоне на производство DRAM. Кроме того, ее будущая фабрика Pyeongtaek Fab 4 (P4) будет запущена как линия, исключительно ориентированная на DRAM, используя новейший процесс 1c от Samsung.

Источники в отрасли отмечают, что Samsung стала осторожна в отношении рынка NAND, в то время как спрос на стандартную DRAM резко возрос. Цены быстро растут; некоторые серверные клиенты предлагают на 70% более высокие цены за модули DDR5 объемом 96 ГБ и 128 ГБ, но все еще испытывают дефицит поставок. Крупные технологические компании ожидают, что дефицит продлится годами, и уже ведут переговоры о распределении DRAM на 2027 год.

В настоящее время Samsung производит как DRAM, так и NAND на заводах Pyeongtaek Fab 1, Pyeongtaek Fab 3 и в своем кампусе Хвасон. Гибридные линии на заводах P1 и Хвасон будут больше ориентированы на DRAM, поскольку оборудование NAND будет постепенно выводиться из эксплуатации. Fab 4, которая сейчас находится на завершающей стадии строительства, в следующем году стартует как специализированная линия 1c DRAM. Samsung также рассматривает возможность использования второй зоны P4, первоначально запланированной для литейного производства, также для DRAM. После внесения изменений ожидается, что производство DRAM на заводах P1 и Fab 4 значительно возрастет уже в первой половине следующего года. Сокращение производства NAND в Корее будет компенсировано увеличением производства на заводе Samsung в Сиане, Китай.

techpowerup.com
Павлик Александр

Samsung повысила цены на чипы памяти до 60% из-за ограниченного предложения

По сообщениям, Samsung повысила цены на несколько модулей памяти DDR5 на величину до 60% в этом месяце. Этот резкий рост происходит на фоне сокращения предложения, вызванного глобальным бумом строительства центров обработки данных с ИИ.

Повышение цен произошло после необычного шага Samsung по отсрочке октябрьского контрактного ценообразования, которое компания обычно устанавливает ежемесячно. Резкий рост цен на DDR5 серверного класса создает дополнительное давление на производителей оригинального оборудования (OEM), которые уже испытывают дефицит комплектующих.

Президент Fusion Worldwide Тоби Гоннерман сообщил Reuters, что многие крупные производители серверов «теперь признают, что они не получат достаточно продукции», а премиальные цены достигли «экстремального» уровня.

Недавнее контрактное ценообразование демонстрирует, как быстро росли расходы. Например, цена на модуль DDR5 от Samsung на 32 ГБ выросла со 149 долларов США в сентябре до 239 долларов в ноябре. Компания также повысила цены на модули DDR5 на 16 ГБ и 128 ГБ примерно на 50%, до 135 долларов и 1194 долларов соответственно. Цены на модули на 64 ГБ и 96 ГБ выросли более чем на 30%, сообщили источники.

Этот дефицит вызвал панические покупки у некоторых клиентов и нарушает спрос на другие полупроводниковые компоненты. Международная корпорация по производству полупроводников (SMIC) заявила, что плотный рынок DDR5 вынудил покупателей воздерживаться от заказов на дополнительные типы чипов, тогда как Xiaomi предупредила, что рост цен на память приводит к увеличению производственных расходов смартфонов.

Текущий дефицит превращается в значительное преимущество для Samsung. Хотя компания все еще отстает от конкурентов в сфере передовых процессоров искусственного интеллекта, ее подразделение памяти теперь обладает более сильным ценовым рычагом, чем SK Hynix и Micron. TrendForce ожидает, что контрактные цены Samsung вырастут на 40-50% в четвертом квартале, что выше прогнозируемого роста примерно на 30% для более широкого рынка, благодаря высокому спросу и долгосрочным соглашениям о поставках, действующим до 2026 и 2027 годов.

techpowerup.com
Павлик Александр    

Память Patriot Viper Xtreme 5 DDR5 достигает рекорда скорости 13 211 МТ/с

Patriot Memory объявила о значительном достижении своей флагманской памяти Viper Xtreme 5 DDR5 DRAM, которая официально установила новый мировой рекорд частоты памяти, впервые в истории преодолев барьер в 13 200 МТ/с.

Профессиональный оверклокер Ai Max в сотрудничестве с экспертом по настройке Брайаном, также известным как "Chew", достиг подтвержденной скорости 6605,7 МГц (13 211,4 МТ/с). Для установления рекорда были использованы память Patriot Viper Xtreme 5 DDR5, процессор Intel Core Ultra 7 265K и материнская плата GIGABYTE Z890 AORUS Tachyon Ice в условиях охлаждения жидким азотом. Этот балл теперь занимает первое место в мире на HWBOT.org, что подчеркивает инженерный опыт Patriot и ее неустанное стремление расширять границы производительности.

Эта веха закрепляет за Viper Xtreme 5 статус самой быстрой памяти DDR5 в мире, демонстрируя непревзойденную целостность сигнала, стабильность и возможности на экстремальных частотах. Каждый компонент серии Xtreme 5 — от компоновки печатной платы до биннинга микросхем — был разработан для обеспечения элитной производительности разгона как для энтузиастов-спортсменов, так и для профессионалов.

Лес Генри, вице-президент по продажам Patriot Memory, прокомментировал: «Побитие мирового рекорда частоты памяти – это монументальный подвиг, который подтверждает неустанную философию инженерии и дизайна, лежащую в основе серии Viper Xtreme 5. Эта веха – не просто число, это доказательство нашей приверженности высокой производительности».

Память серии Patriot Viper Xtreme 5 DDR5 уже доступна в широком диапазоне скоростей и емкостей через авторизованных дистрибьюторов и ведущих интернет-магазинов по всему миру.

techpowerup.com
Павлик Александр   

ADATA и MSI создали уникальную память DDR5: до 128 ГБ на одном модуле

ADATA Technology, известный производитель памяти, в партнерстве с ведущим производителем материнских плат MSI представил революционный модуль памяти.

Речь идет о ADATA High Capacity DDR5 4-Rank CUDIMM — первом в мире модуле, который вмещает целых 128 ГБ. Этот модуль удваивает стандартную емкость и открывает новую эру высокопроизводительной памяти для настольных компьютеров, особенно для тех, что базируются на платформе Intel Z890.

Секрет такого впечатляющего объема заключается в инновационной архитектуре 4-Rank, которая позволяет разместить вдвое больше чипов по сравнению с традиционными модулями. Это идеальное решение для тех, кто работает с большими массивами данных или нуждается в значительных объемах памяти. Модуль сохраняет высокую скорость и стабильность, обеспечивая отличную эффективность передачи данных.

ADATA подтвердила, что ее 128-гигабайтный модуль успешно интегрирован и протестирован на новых материнских платах MSI Z890. Тестирование показало отличную совместимость и стабильную работу на скорости 5600 МТ/с. Благодаря этой технологии, пользователи, чьи материнские платы имеют всего два слота DIMM, смогут установить до 256 ГБ общей памяти.

Такая конфигурация нужна не только геймерам-энтузиастам, требующим максимальной производительности. Она особенно ценна для профессионалов, которые занимаются созданием контента, разработкой искусственного интеллекта (ИИ) и инженерными вычислениями. Большая память позволяет эффективно выполнять сложные задачи, такие как точная настройка моделей ИИ, редактирование крупномасштабного 8K-видео и анализ данных – и все это непосредственно на компьютере, без привлечения облачных сервисов. Это обеспечивает более плавную работу и расширяет возможности для креативности и производительности нового поколения.

techpowerup.com
Павлик Александр   

XPG представила игровую память NOVAKEY, получившую награду CES за новаторский дизайн

XPG, игровой бренд ADATA Technology, объявила, что ее игровая память NOVAKEY RGB DDR5 (проект INFINITY) получила высшую награду CES 2026 "Лучшая инновация".

Эта награда, выбранная из тысяч заявок, отметила дизайн и инженерное мастерство XPG.

Дизайн Infinity Mirror

NOVAKEY стала первой в мире игровой памятью с дизайном подсветки Infinity Mirror. Команда XPG интегрировала оптику Infinity Mirror в радиатор, что создает туннелеобразное визуальное изображение, раскрывающее различную глубину сияющих деталей под разными углами обзора. Дизайн использует фирменные диагональные вырезы XPG и минимальные геометрические контуры. Матовая черная металлическая верхняя панель простирается вдоль световой панели.

Производительность и экологичность

Память NOVAKEY сочетает высокую производительность с дизайном, ориентированным на ESG (экологические, социальные и управленческие стандарты).

• Производительность: Модули предлагают скорость до 8000 МТ/с и емкость до 32 ГБ на модуль. NOVAKEY полностью совместима с профилями Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, обеспечивая стабильность для хардкорных игр и рабочих нагрузок.
• Экологичность: Радиатор изготовлен из 50% переработанного алюминия и 85% PCR (переработанных материалов после потребления). Упаковка продукта сертифицирована FSC.

Память NOVAKEY подтверждает обязательство XPG сочетать экстремальную производительность с принципами устойчивого развития и дизайнерскими инновациями.

techpowerup.com
Павлик Александр

Следующее поколение ПК получит рекордно быструю память DDR5: 9200 МТ/с благодаря новому чипу

Montage Technology, один из ключевых поставщиков компонентов для индустрии памяти, объявила о выпуске чипа, который сделает память DDR5 в потребительских компьютерах значительно быстрее.

Компания представила свой новый драйвер тактовой частоты (CKD) для DDR5, который поддерживает рекордно высокую скорость передачи данных — до 9200 МТ/с.

Это не просто техническое обновление. Этот чип имеет решающее значение для оптимизации производительности памяти в высокопроизводительных ПК, ноутбуках и рабочих станциях следующего поколения. Фактически, он закладывает основу для заметного ускорения и стабильности вашего будущего компьютера.

CKD 9200 МТ/c использует собственную высокоскоростную архитектуру Montage, которая гарантирует, что сигналы памяти передаются суперстабильно и без сбоев. Это повышает общую стабильность системы и производительность всех основных типов памяти, используемых в клиентских устройствах (включая стандартные модули, SO-DIMM для ноутбуков и новые компактные CAMM).

Большая скорость и экономия батареи

Помимо надежной и быстрой передачи данных, новый чип также обладает расширенными возможностями управления энергоэффективностью. Это критически важно для мобильных устройств. Пользователи смогут программно отключать неиспользуемые каналы чипа, что эффективно снижает динамическое энергопотребление. Это удовлетворяет все более строгим требованиям к продлению времени работы от батареи и лучшему тепловому управлению в клиентских системах.

Г-н Стивен Тай, президент Montage Technology, подтвердил, что этот CKD «не только решает критические проблемы распределения тактовой частоты и синхронизации для высокоскоростных платформ DDR5, но и закладывает основу для достижения клиентскими устройствами более высокой пропускной способности, превосходной производительности и более компактного дизайна».

Montage Technology уже предлагает образцы этого ключевого чипа (M88DR5CK01P) производителям памяти, что означает, что очень быстрая память DDR5 скоро появится в ваших устройствах следующего поколения.

techpowerup.com
Павлик Александр

Samsung готовит память LPDDR6 пропускной способностью 10,7 Гбит/с

Samsung разработала свою память следующего поколения LPDDR6 с низким энергопотреблением, предназначенную для мобильных устройств.

Построенный по 12-нм техпроцессу, этот модуль памяти LPDDR6 достигает начальной скорости передачи данных 10,7 Гбит/с.

Инженеры Samsung увеличили количество входных/выходных каналов и внедрили динамическую настройку питания, которая регулирует потребление энергии в режиме реального времени в соответствии с рабочей нагрузкой. Samsung также интегрировала надежные функции безопасности непосредственно в подсистему памяти. Интересно, что усовершенствованная память LPDDR5X от Samsung также достигает 10,7 Гбит/с, что устанавливает отправную точку для нового стандарта LPDDR6.

Ключевое преимущество LPDDR6 — 21% улучшение энергоэффективности по сравнению с ее предшественником, LPDDR5X. Это означает, что устройства могут достигать той же пропускной способности и скорости, используя примерно на одну пятую меньше энергии, что критично для мобильных устройств. Ожидается, что будущие итерации LPDDR6 достигнут скорости до 14 Гбит/с, значительно превосходя даже самые быстрые чипы LPDDR5X. Более подробная информация, включая устройства на базе новой памяти и ее конкретные функции, ожидается на выставке CES в этом году.

techpowerup.com
Павлик Александр  

Цены на DRAM выросли на 172% в годовом исчислении без признаков замедления

Производители повысили цены на RDIMM на 40-50% только в августе, несмотря на то, что крупнейшие мировые провайдеры облачных услуг заключили сделки по значительно более низким ценам.

Это изменение сейчас быстро влияет на потребителей. Согласно последнему отчету CTEE, цены на DRAM выросли на 171,8% в годовом исчислении, что делает этот «товар» одним из самых ценных активов для применений, начиная от центров обработки данных и заканчивая сборкой домашних систем. Дефицит DRAM, вызванный спросом на ИИ, который потребляет весь запас памяти и хранилищ из-за расширения дата-центров, довел цены на эти модули до заоблачных уровней.

Южнокорейские гиганты памяти, такие как Samsung и SK Hynix, не в состоянии выполнить все заказы, и только 70% из них выполнено. Это приводит к тому, что портфели заказов на облачные услуги первого уровня в США и Китае достигают фактического уровня выполнения 70%, ликвидируя страховой запас. Производители модулей, такие как Kingston и ADATA, сейчас платят 13 долларов США за 16-гигабайтные микросхемы DDR5, которые стоили 7 долларов США всего шесть недель назад. Этот рост достаточно значителен, чтобы полностью уничтожить их валовую маржу.

Меньшим производителям оригинального оборудования и дистрибьюторам каналов сообщили, что следует ожидать выполнения только на 35-40% в течение первого квартала 2026 года. Это не только задерживает запланированные выпуски их продуктов, но и ставит под угрозу ожидаемые потоки доходов, если ситуация сохранится. Они сталкиваются с выбором: либо сделать ставку на спотовом рынке ради огромной наценки, либо оставить свои производственные линии простаивать. Пример роста цен заметен на популярных веб-сайтах: комплект памяти G.Skill Trident Z5 Neo RGB 32 GB (2 x 16 GB) DDR5-6000 CL30, который ранее стоил примерно 106 долларов США, теперь продается за 239 долларов США. Генеральный директор ADATA Чэнь Лібай смело заявил, что последний квартал этого года знаменует начало значительного роста в секторе памяти, одновременно сигнализируя о начале ограничений поставок. Аналогично, генеральный директор Phison Electronics Пуа Кхей-Сенг утверждает, что дефицит флэш-пам'яті NAND может длиться целое десятиліття.

techpowerup.com
Павлик Александр