Компьютерные новости
Оперативная память
DDR6 готовится к выходу в 2028 году, обещая скорость до 17 600 MT/s
DDR6 готовится к выходу в 2028 году, обещая скорость до 17 600 MT/s, но реальные потребительские поставки могут задержаться до 2029–2030 годов.
DDR6 разрабатывается совместными усилиями SK hynix, Samsung и Micron под контролем JEDEC. Первые проекты стандарта появились ещё в 2024 году, но до сих пор нет финализированных параметров напряжения, сигналов и pinout. Сейчас производители ускорили работу, и уже речь идёт о пропускной способности 8 800 MT/s с масштабированием до 17 600 MT/s — почти вдвое больше, чем у DDR5.
Ключевое отличие DDR6 — архитектура 4×24‑битных субканалов, требующая новых решений для целостности сигнала. Чтобы преодолеть физические ограничения DIMM‑формата, индустрия делает ставку на CAMM2, который может стать стандартом для серверов и ноутбуков. Ожидается, что первыми DDR6 получат серверные платформы, а потребительские ПК — только после масштабного производства.
Ранее прогнозировали старт в 2027 году, но теперь речь идёт о коммерческих поставках в 2028‑м. Это совпадает с тенденцией вытеснения DDR4: её производство постепенно сворачивается, чтобы освободить фабрики под DDR5 и будущий DDR6.
Скептики отмечают, что даже если DDR6 появится в 2028 году, для массового рынка он станет доступным не раньше 2029–2030 годов, а цены на старте будут высокими. Поэтому для большинства пользователей актуальным останется DDR5, который к тому времени достигнет скоростей свыше 10 000 MT/s.
techpowerup.com
Павлик Александр
Samsung преодолела барьер 10 нм в DRAM благодаря новой структуре 4F‑cell
Samsung преодолела барьер 10 нм в производстве DRAM, представив новую структуру 4F‑cell, которая увеличивает плотность ячеек на 30–50% и открывает путь к массовому выпуску суб‑10 нм памяти уже в 2028 году. Это первый в мире рабочий кристалл DRAM на уровне 9,5–9,7 нм.
Samsung применила комбинацию новой квадратной структуры 4F и процесса Vertical Channel Transistor (VCT), что позволило перейти от традиционной 6F‑архитектуры к более компактной. Такой подход не только повышает плотность, но и снижает энергопотребление. Для удержания данных в сверхузких ячейках компания использовала материал IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), который лучше сохраняет заряд по сравнению с кремнием.
Разработка 10a DRAM должна быть завершена в этом году, а серийное производство намечено на 2028‑й. Следующие поколения — 10b и 10c — получат дальнейшие улучшения, а 10d станет первым шагом к 3D DRAM в 2029–2030 годах.
Конкуренты, такие как Micron, пока откладывают внедрение 4F‑структуры, делая ставку на 3D DRAM. Китайские производители сталкиваются с трудностями из‑за отсутствия доступа к передовым литографическим технологиям, хотя схожесть с 3D NAND даёт им определённую надежду.
С учётом стремительного роста спроса со стороны сегмента ШИ, новая технология Samsung может стать ключевым фактором в обеспечении рынка более ёмкими и энергоэффективными модулями памяти.
Постоянная ссылка на новостьРынок памяти застыл: снижение цен ожидается лишь к концу 2027 года
Аналитики отмечают, что нынешнее плато цен на память не означает окончания дефицита.
В Европе, США и Китае уже заметны локальные коррекции стоимости, однако спрос со стороны дата‑центров для ШИ остаётся высоким и продолжает удерживать рынок в напряжении.
По прогнозам Sigmaintell, первое ощутимое смягчение цен на память произойдёт в IV квартале 2027 года, когда производители смогут частично увеличить объёмы. Полное выравнивание ожидается лишь к 2030 году, так как запуск новых фабрик и производственных линий требует нескольких лет.
В Китае ситуацию частично стабилизируют локальные поставщики, которые обеспечивают не только внутренний рынок, но и крупные международные бренды. В США же некоторые проекты дата‑центров заморожены из‑за проблем с энергосетями и опасений инвесторов относительно «ШИ‑пузыря».
Постоянная ссылка на новостьSamsung, SK Hynix и Micron покрывают лишь 60% мирового спроса на DRAM
Мировой рынок памяти DRAM столкнулся с затяжным дефицитом.
Три ключевых производителя — Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology — сейчас обеспечивают лишь около 60% глобального спроса. Остальные мощности направлены на выпуск HBM‑памяти для ШИ‑чипов, что ещё больше ограничивает доступность обычной DRAM.
Дефицит начался осенью 2025 года, а уже в первом квартале 2026 цены на DRAM выросли почти на 90%. Особенно сильно это ударило по производителям смартфонов и автомобильных компонентов. По прогнозам IDC, продажи смартфонов в 2026 году сократятся на 13% из‑за высоких затрат на память, которая в бюджетных моделях может составлять до 40% себестоимости.
Samsung планирует запуск нового завода в Пхёнтхэке в 2026 году, но серийное производство начнётся не раньше 2027‑го. SK Hynix открыла предприятие по выпуску HBM в Чхонджу, а второй завод под Сеулом будет завершён в феврале 2027 года. Micron разворачивает производство в США и Сингапуре, а также строит завод в Хиросиме, который заработает в 2028 году.
По оценкам Counterpoint Research, чтобы удовлетворить спрос, отрасли необходимо увеличивать производство на 12% ежегодно, однако текущие планы дают лишь 7,5%. Глава SK Group Чхе Тхе Вон предположил, что дефицит памяти для ШИ может продолжаться вплоть до 2030 года.
asia.nikkei.com
Павлик Александр
ASRock добавляет поддержку DDR5 HUDIMM для снижения стоимости памяти на платформах Intel
ASRock добавила поддержку нового формата DDR5 HUDIMM (1×32‑bit), который может снизить цену памяти на платформах Intel.
Технология позволяет использовать модули с одним подканалом вместо стандартных двух, что уменьшает количество чипов на планке и соответственно снижает себестоимость.
ASRock объявила, что её материнские платы серий Intel 600, 700 и 800 теперь поддерживают DDR5 HUDIMM, а компактные системы DeskMini — HSODIMM. В стандартных DDR5 UDIMM используется архитектура 2×32‑bit, которая хорошо подходит для модулей большой ёмкости, но не всегда практична для бюджетных систем. Новый формат 1×32‑bit ориентирован на доступные решения, где важна цена.
Партнёром ASRock в проекте стала TEAMGROUP, которая подтвердила, что новый формат позволяет сократить количество чипов вдвое. Это открывает возможности для более дешёвых модулей и комбинированных конфигураций памяти. Например, на плате H610M COMBOII комбинация 8 ГБ (1×32‑bit) и 16 ГБ (2×32‑bit) обеспечила большую пропускную способность, чем один модуль 24 ГБ (2×32‑bit).
Intel поддержала инициативу, отметив, что более доступные модули DDR5 помогут сохранить доступность настольных платформ в период роста цен на память. BIOS‑обновления для поддержки HUDIMM уже доступны на сайте ASRock.
videocardz.com
Павлик Александр
YMTC расширяет производство NAND и DRAM
По данным Reuters, китайский производитель памяти YMTC (Yangtze Memory Technologies Corp) планирует построить ещё два завода в дополнение к третьему, который уже почти завершён в Ухане.
Когда все три новые фабрики заработают, общий объём производства компании увеличится более чем вдвое — с нынешних 200 000 пластин в месяц до 400 000.
Третий завод, расположенный рядом с двумя действующими, уже построен и сейчас оснащается производственными линиями и технологическим оборудованием. Ожидается, что он начнёт работу позже в этом году и достигнет уровня 50 000 пластин в месяц к 2027 году. Примечательно, что более половины оборудования закуплено внутри страны, включая инструменты для вертикальной укладки слоёв — это показывает, насколько YMTC полагается на местных поставщиков после внесения в список ограниченных организаций в декабре 2022 года. В то же время сообщается, что Бюро промышленности и безопасности США недавно исключило YMTC из списка.
Две новые фабрики пока не имеют подтверждённых местоположений или дат запуска, но все три проекта предусматривают производство не только NAND, но и DRAM. YMTC уже разослала клиентам образцы LPDDR и ожидает отзывов до конца года, что определит дальнейшую стратегию развития DRAM.
На рынке NAND YMTC уже занимает 11,8% — на уровне Sandisk и недалеко от SK Hynix (16%), Kioxia (15,9%) и Micron (13,3%), тогда как Samsung лидирует с 30,4%. Аналитики UBS прогнозируют, что доля YMTC превысит 14% к началу 2027 года. Компания активно продвигает свою архитектуру Xtacking 4.0, которую считают конкурентоспособной по сравнению с решениями лидеров отрасли.
techpowerup.com
Павлик Александр
Цены на память во втором квартале резко вырастут
Согласно новому отчёту TrendForce, во втором квартале 2026 года ожидается значительное повышение стоимости памяти.
Цены на DRAM могут вырасти на 58–63% по сравнению с первым кварталом, а NAND Flash — до 75%. Основным фактором называют высокий спрос на RDIMM для дата‑центров и систем ШИ, а также ограниченное предложение GDDR6 и GDDR7 для видеокарт.
Производители памяти перенаправляют мощности на HBM и серверные решения, что создаёт дефицит в потребительском сегменте. Это может привести к сокращению объёмов памяти в смартфонах и ноутбуках, а также к удорожанию SSD.
Аналитики прогнозируют, что дефицит продлится как минимум до 2027–2028 годов, когда ожидается расширение производственных линий. Спрос на высокопроизводительные SSD и модули памяти для ШИ остаётся стабильным, что создаёт долгосрочное давление на рынок.
techpowerup.com
Павлик Александр
Цены на память падают на некоторых рынках, но контракты остаются стабильными
DDR4 и DDR5 модули резко подешевели в розничных каналах.
В Китае снижение составило до 14% за день, что эквивалентно примерно 14 долларам США на отдельных комплектах. В Европе цены DDR5 упали на 7,2% в марте после длительного периода роста.
Несмотря на это, контрактные цены остаются стабильными. Производители памяти объясняют, что колебания спотового рынка ещё не повлияли на долгосрочные соглашения, и спрос в сегментах промышленного контроля и серверных решений сохраняется.
Финансовые рынки отреагировали быстрее: акции Micron потеряли почти 10% после квартального отчёта, а Samsung Electronics и SK hynix также показали значительное падение.
Дополнительным фактором коррекции стала технология Google TurboQuant, которая благодаря экстремальной компрессии уменьшает потребность в памяти для моделей ШИ. TurboQuant сокращает использование кеша ключ‑значение как минимум вдвое без потери точности, что может снизить давление на рынок DRAM.
Таким образом, падение розничных цен на память в США, Европе и Китае является результатом рыночной коррекции и технологических инноваций, но долгосрочные контракты остаются стабильными, а серверный спрос — высоким.
videocardz.com
Павлик Александр
Показать еще
