Компьютерные новости
Все разделы
Демонстрация оперативной памяти стандарта DDR4
На конференции International Solid-State Circuits, компании Hynix и Samsung продемонстрировали первые образцы оперативной памяти стандарта DDR4. Микросхемы от Hynix были созданы с использованием 38-нм техпроцесса. Модели работали на тактовой частоте 2400 МГц при напряжении питания 1,2 В.
DDR 4-чипы компании Samsung выполнены на базе 30-нм техпроцесса. Тактовая частота их работы составила 2133 МГц, а напряжение питания – 1,2 В. Таким образом, новые модули оперативной памяти будут более быстрые и энергоэффективнее, чем существующие решения стандарта DDR3. Их массовое производство должно начаться в следующем году. В 2014 новинки должны появиться на рынке. Согласно предварительным прогнозам, до конца 2014 года их доля на рынке оперативной памяти составит всего 12%. Однако уже в 2015 модули стандарта DDR4 будут доминировать с показателем 56%, возрастая, пока на смену DDR4 не придут модули следующего поколения.
