Intel и Micron разработали 20-нм NAND флеш-микросхемы памяти

Компания IM Flash Technologies, которая является общим предприятием Intel и Micron, объявила об успешном завершении процесса разработки 8 ГБ (64 Гб) NAND флеш-микросхем памяти с многоуровневой структурой ячеек (MLC), при изготовлении которых использовались нормы 20-нм технологического процесса. Напомним, что на сегодняшний день основные представители рынка SSD-накопителей лишь начинают выпускать первые решения на базе 25-нм технологии, завершив переход с 34-нм микросхем.  

Новые 8 ГБ NAND флеш-чипы памяти обладают площадью 118 мм², что составляет на 30-40% меньше, чем у решений выполненных с использованием 25-нм техпроцесса. Это позволяет эффективнее использовать материальные ресурсы, повысить плотность записи информации и увеличить объем SSD-накопителей при использовании стандартного форм-фактора.

Что же касается уровня производительности и долговечности новинок, то по данным показателям они не уступают своим предшественникам. Можно ожидать, что в массовую продажу 20-нм 8 ГБ NAND флеш-микросхемы памяти поступят во второй половине 2011 года, однако первые SSD-накопители, выполненные на их основе, появятся не раньше 2012.

Также стало известно, что компания IM Flash Technologies в скором времени представит 16 ГБ NAND флеш-микросхемы, которые также используют нормы 20-нм техпроцесса. При этом, размеры новинок будут меньшие, чем у почтовой марки США.

http://www.tcmagazine.com
http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский