Компьютерные новости
Все разделы
Компания Hynix анонсирует первые в мире DRAM 2 Гб
Анонсированные микросхемы памяти компании Hynix Semiconductor знамениты тем, что являются первыми в мире DRAM 2 Гб, выполненные по 54 нм техпроцессу. Новинки могут использоваться как в модулях SDRAM, так и DDR DRAM, потребляя всего 1,2 В и обеспечивая скорость обмена данными до 400 Мб/с.
Новые микросхемы Hynix DRAM 2 Гб соответствуют стандартам, разработанным JEDEC, а их массовый выпуск, согласно ожиданиям, начнется в первой половине 2009 года.
