up
ru ua
menu

ru.gecid.com-160x600px-10-2019.gif


Новости: > 2019 > 10 > 22

Telegram

rss

На 40% эффективнее: SK hynix представила 16-гигабитные чипы DDR4-памяти

Компания SK hynix с гордостью представила самые емкие в индустрии 16-гигабитные микросхемы памяти DDR4, созданные на основе техпроцесса 1z нм. Их производство не требует использования дорогой EUV литографии, а значит есть все предпосылки для снижения конечной стоимости.

SK hynix

Пропускная способность новинок достигает 3200 Мбит/с – это самый большой номинальный показатель для интерфейса DDR4. При этом энергоэффективность готовых модулей на базе этих чипов улучшилась на 40% по сравнению с аналогичными по плотности модулями, созданными на основе 8-гигабитных чипов прошлого поколения (технология 1y нм).

Массовое производство 1z-нм микросхем памяти запланировано на следующий год. SK hynix также планирует использовать эту технологию для создания чипов LPDDR5 и HBM3.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Новость прочитана 1547 раз(а)

Тэги: ddr4   hbm3   lpddr5   sk hynix   


<< предыдущая новость     следующая новость >>

Подписаться на наши каналы
telegram YouTube facebook VK Instagram google plus
Социальные комментарии Cackle

Рекомендуемые видео:


Поиск по сайту
Почтовая рассылка

top10

vote

Голосование



SL600M_160x600.jpg