Компьютерные новости
Все разделы
Новые 20-нм микросхемы памяти от компаний Intel и Micron
Компания IMFT (Intel Micron Flash Technologies), которая является общим предприятием Intel и Micron в сфере производства NAND флеш-микросхем памяти, накануне сделала несколько важных заявлений.
Во-первых, стало известно о начале массового производства новых 20-нм микросхем памяти емкостью 64 Гб, тестовый выпуск которых был анонсирован в апреле текущего года. Они используют технологию High-k Metal Gate (HKMG) и структуру ячеек, которая позволяет поддерживать показатели производительности и надежности на уровне с 25-нм решениями.
Во-вторых, анонсировано тестовое производство 128 ГБ NAND флеш-микросхем памяти, изготовленных на базе 20-нм техпроцесса. Новинки используют многоуровневую структуру ячеек, улучшенную архитектуру и поддерживают новую версию стандарта ONFI 3.0, что обеспечивает достижение скорости передачи данных на уровне 333 МБ/с. Таким образом впервые для реализации объема 1 Тб используется лишь восемь микросхем памяти и все они могут разместиться на кончике пальца.
Планируется, что массовый выпуск 128 Гб NAND флеш-чипов памяти начнется в первой половине 2012 года. Обе новинки в будущему будут использоваться в SSD-накопителях, картах памяти и в других запоминающих устройствах. И благодаря увеличению их емкости (по сравнению с микросхемами предыдущего поколения) удастся уменьшить затраты на них производство, что приведет к дальнейшему снижению цен на данную категорию товаров.
