Компьютерные новости
Все разделы
Новые модули оперативной памяти DDR3 SO-DIMM для ноутбуков
Согласно последнему релизу, компания TwinMOS представила новое поколение модулей оперативной памяти для ноутбуков DDR3 SO-DIMM с высокой рабочей частотой равной 1333MHz.
Главным изменением в DDR3 SO-DIMM является возможность выборки сразу 8 бит данных за такт (8n-prefetch), в противоположность 4-битной выборке (4n-prefetch), реализованной в DDR2. По существу, это означает, что на каждом такте шины памяти DDR3 SO-DIMM осуществляет пересылку 8 бит информации из логических (внутренних) банков микросхемы памяти в буферы ввода-вывода по одной линии интерфейса данных, тогда как обычная DDR2 способна переслать лишь 4 бита за такт на линию.
По правилу 2n-prefetch, на каждом такте памяти (200 МГц) по каждой линии интерфейса данных в буфер ввода-вывода поступает 2 бита информации. DDR3 SO-DIMM модули памяти имеют возможности вдвое большие, по сравнению с DDR2, и частотой, которая начинается от 800MHz с максимально достижимой 1066MHz , 1333MHz. В отличие от 200-pin DDR2, новый DDR3 SO-DIMM стандарт памяти имеет 204-pin и характеризуется потребляемым напряжением 1.5V, что меньше по сравнению с 1.8V у DDR2.
Новые DDR3 типы памяти не только увеличат производительность системы ноутбуков, но и продлят «жизнь» их аккумуляторам за счет меньшего энергопотребления, что важно для производителей, где проблема рассеиваемой модулями памяти мощности занимает далеко не последнее место.
На сегодняшний день, DDR3 модули от компании TwinMOS только анонсированы, но насколько нам известно, первыми ноутбуками с DDR3 SO-DIMM будут модели нового поколения на основе мобильной платформы Intel Montevina и их официальный релиз запланирован на начало 2008г.
