Компьютерные новости
Все разделы
Подробности спецификации новых SSD-накопителей Intel X25-M и X25-E
В предыдущих публикациях мы уже сообщали о планах компании Intel относительно обновления всех линеек собственных SSD-накопителей в четвертом квартале текущего года. В сети появились подробности спецификации новой третьего поколения SSD-накопителей линеек Intel X25-M и X25-E.
Обновленный модельный ряд Intel X25-M получил кодовое название Postville Refresh и основан на использовании 25-нм микросхем NAND Flash-памяти, которые выполнены с использованием технологии многоуровневой структуры ячеек (MLC). Среди особенностей третьей генерации следует отметить увеличение общего объема, скорости записи, производительности, мощности потребления и максимально-возможной записанной информации за период службы. Обновленная линейка SSD-накопителей Intel X25-M также поддерживает энергосберегающую кэш-память. В продажу новинки должны поступить в четвертом квартале 2010 или в начале 2011 года.
Новые SSD-накопители серии Intel X25-E с кодовым названием Lyndonville будут изготовляться по нормам 25-нм техпроцесса с применением технологии многоуровневой структуры ячеек для продуктов бизнес класса (Enterprise MLC). Они также получат существенное увеличение объема и незначительное повышение скоростных характеристик. Обновленная серия Intel X25-e будет доступная лишь в форм-факторе 2,5” и поступит в продажу в первом квартале 2011 года. Новые линейки также будут обеспечивать дополнительное шифрование данных с помощью 128- битного алгоритма AES.Сравнительная характеристика второго (текущего) и третьего (нового) поколения SSD- накопителей серий Intel X25-M и X25-e:
|
Серия |
Intel X25-M (2-е поколение) |
Intel X25-M |
X25-E (2-е поколение) |
X25-E (3-е поколение) |
|
Кодовое название |
Postville |
Postville Refresh |
Ephraim |
Lyndonville |
|
Объем, ГБ |
80/160 |
80/160/300/600 |
32/64 |
100/200/400 |
|
Технология изготовления |
34 нм MLC |
25 нм MLC |
50 нм SLC |
25 нм emlc |
|
Скорость чтения/записи, МБ/с |
250/100 |
250/170 |
250/170 |
250/200 |
|
Производительность произвольного чтения/записи, IOPS |
35 000 / 8 600 |
50 000 / 40 000 |
35000/3300 |
50 000/5 000 |
|
Потребительская мощность максимальная / в режиме простоя, Вт |
3,0/0,06 |
6,0/0,075 |
3,0/0,06 |
5,0/0,095 |
|
Максимальный объем записанных данных за время службы |
7,5 – 15 ТБ |
30-60 ТБ |
32 ГБ: 1 PB |
100 ГБ: 900 ТВ-1РВ |
|
Энергосберегающий буфер для записи |
- |
+ |
- |
+ |
|
Форм-фактор |
1,8” / 2,5” |
2,5” | ||
|
Защита данных |
Ata-пароль |
Ata-пароль + AES-128 бит |
Ata-пароль |
Ata-пароль + AES-128 бит |
http://www.fudzilla.com
http://www.anandtechttpm
Сергей Будиловский
